专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100810467B1 결정 성장 장비 有权
标题翻译：水晶生长单元
公开(公告)号：KR100810467B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020067009551
申请日：2004-10-25
申请人： 크리스탈 그로우잉 시스템즈 게엠베하
发明人： 뮈헤,안드레아스 , 알텍뤼거,부르크하르트 , 본호프,액셀
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B15/30 , C30B11/00 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/10
摘要： 본 발명은 결정 성장 장비에 관한 것이다. 이 장비에는 융액(13)을 가열하는 저항 히터 및 도가니에서 교류 자계 (이 자계의 흐름은 융액(13)에서 유도된다)를 발생하는 필드 코일이 장착된다.
본 발명은 저항 히터들이 또한 필드 코일로서 기능하도록 즉, 이 코일들이 중공 원통체(1)로 형성되고 그 주위에 권선된 서라운딩 슬릿(2)에 의해 나선형 단일층 전류 경로가 형성되도록 하는 식으로 설계된다. 이는 장비에서 전기 가열에 필요한 전류가 또한 자게 발생에도 이용되는 장점을 갖는다. 따라서, 개별적인 필드 코일도 개별적인 전류공급도 불필요하게 된다. 또한, 코일 어레이로서 배열된 필드 코일로서 역할을 하는 저항 히터는 고온 저항성이며, 장비의 바로 뜨거운 코어 영역을 에워싸고 이에 따라 융액 영역을 에워싼다. 따라서, 자계를 발생하는 체적이 최소화된다. 더욱이, 교류 자계가 결정 성장 장비의 베젤벽을 관통할 필요가 없으므로 이 베젤은 통상적인 스틸 보일러로서 설계될 수 있다.
반도체, 융액, 코일 어레이, 자계, 결정, 성장

2. 发明公开

KR1020080010291A 중결정(重結晶)을 제조하기 위한결정인상장치(結晶引上裝置) 및 방법 有权
标题翻译：克里斯蒂安·伦敦维也纳
公开(公告)号：KR1020080010291A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020070073305
申请日：2007-07-23
申请人： 크리스탈 그로우잉 시스템즈 게엠베하 , 실트로닉 아게
发明人： 알텍뤼거,부르크하르트 , 헨켈,스테판 , 본호프,액셀 , 톰지그,에리히 , 크레너,디터
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/32 , Y10S117/911 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： An apparatus and a method of pulling a crystal are provided not to allow the movement of latches from a stop position to a work position to affect the crystal by simplifying the release of the latches. An apparatus of pulling a crystal includes latches(7), a base unit(1), and stoppers. The latches are installed on the base unit, and rotates around a rotation axis(8). The base unit has the stoppers which determine the stop position and work position of the latches. The stoppers control the center of the latch to be placed at the opposite side of the rotation axis in the stop position of the latch, and at the rotation axis side in the work position.
摘要翻译：提供了一种拉晶体的装置和方法，其不允许通过简化闩锁释放来使闩锁从停止位置移动到工作位置以影响晶体。拉晶体的装置包括闩锁（7），基座单元（1）和塞子。闩锁安装在基座单元上，并绕旋转轴线（8）旋转。基座单元具有确定闩锁的停止位置和工作位置的止动器。止动器控制闩锁的中心，以在闩锁的停止位置和工作位置的旋转轴线侧位于旋转轴线的相对侧。

3. 发明授权

KR100888754B1 중결정(重結晶)을 제조하기 위한결정인상장치(結晶引上裝置) 및 방법 有权
标题翻译： Kristallziehanlage und Verfahren zur Herstellung von schweren Kristallen
公开(公告)号：KR100888754B1
公开(公告)日：2009-03-17
申请号：KR1020070073305
申请日：2007-07-23
申请人： 크리스탈 그로우잉 시스템즈 게엠베하 , 실트로닉 아게
发明人： 알텍뤼거,부르크하르트 , 헨켈,스테판 , 본호프,액셀 , 톰지그,에리히 , 크레너,디터
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/32 , Y10S117/911 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키 방법에 따라 인상장치를 이용하여 특히 중결정(重結晶)(5)을 인상할 수 있는 인상설비 및 인상방법에 관한 것이다. 이를 위하여 상기 결정(5)의 경부(頸部)(4)에 융기부(10)가 형성되어 있으며, 이 융기부(10)는 지지장치에 의하여 밑에서 지지된다. 이 지지장치에는 걸쇠(7)들이 장치되어, 정지위치로부터 작업위치로 전환될 수 있도록 되어있으며, 상기 작업위치에서는 걸쇠(7)들이 상기 융기부(10)를 밑에서 지지하여 준다. 이때 각 걸쇠(7)는 기초부(1)에 장착되어 선회축(8)을 중심으로 선회할 수 있도록 지지되어 있으며, 2개의 안정된 위치, 즉, 정지위치와 작업위치를 취할 수 있다. 상기 각 위치는 상기 기초부(1)에 형성된 스토퍼(stopper)에 의하여 결정된다. 상기 걸쇠가 한쪽의 스토퍼에 놓일 때는 그의 중심(重心)이 경부(4)로부터 보아 선회축(8) 반대쪽에 위치하고, 상기 걸쇠가 다른 쪽 스토퍼에 놓일 때는 그의 중심은 선회축(8) 쪽에 위치하게 된다.
상기 걸쇠(7)의 조작은 인상설비에 설치하여 고정된 조작장치에 의하여 이루어진다.
결정인상장치, 쵸크랄스키 방법, 중결정

4. 发明公开

KR1020060104999A 결정 성장 장비 有权
标题翻译：水晶生长单元
公开(公告)号：KR1020060104999A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020067009551
申请日：2004-10-25
申请人： 크리스탈 그로우잉 시스템즈 게엠베하
发明人： 뮈헤,안드레아스 , 알텍뤼거,부르크하르트 , 본호프,액셀
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B15/30 , C30B11/00 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/10
摘要： The invention relates to a crystal growing unit, generally provided with a resistance heater for heating the melt (13) and also with field coils (inductors), generating an alternating field in the crucible (11), by means of which currents are induced in the melt (13). According to the invention, the resuistance heater is also embodied as a field coil, in other words, is formed by a hollow cylindrical body (1) in which a helical, single-layer current path is formed by a peripheral slot (2). The above has the advantage that the current necessary for heating the unit is also used to generate a moving magnetic field. As a result, neither separate field coils nor a separate power supply for the field coils is necessary. The resistance heater also serving as field coil which is embodied as a coil arrangement, is high temperature resistant and directly encloses the hot core of the unit and hence the melt region. The volume in which the magnetic field must be generated is thus minimised. The magnetic field must not extend beyond the shell wall of the crystal growing unit, said shell wall can thus be embodied as a conventional steel shell.
摘要翻译：本发明涉及一种晶体生长单元，其通常设置有用于加热熔体（13）的电阻加热器，并且还具有励磁线圈（电感器），在坩埚（11）中产生交变电场，通过该电场加热电流熔体（13）。根据本发明，电阻加热器还被实施为场线圈，换句话说，由中空圆柱体（1）形成，其中螺旋形单层电流路径由外围槽（2）形成。上述优点在于，加热单元所需的电流也用于产生移动磁场。因此，不需要单独的励磁线圈和用于励磁线圈的单独的电源。作为实现为线圈装置的励磁线圈的电阻加热器是耐高温的，并且直接包围该单元的热芯并因此包围熔融区域。因此必须产生磁场的体积被最小化。磁场不能超出晶体生长单元的壳壁，因此所述壳壁可以被实施为传统的钢壳。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式