专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101496078B1 자기 센서 칩 및 자기 센서 有权
标题翻译：磁性传感器芯片和磁性传感器
公开(公告)号：KR101496078B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020137025801
申请日：2012-01-21
申请人： 큐, 빙준
发明人： 큐,빙준 , 시옹,웨이
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/00
CPC分类号： G01R33/05 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/08
摘要： 자기 센서 칩 및 자기 센서가 배치된다. 자기 센서 칩은 자기 감광막(2, 21)을 포함하고, 상기 자기 감광막(2, 21)의 길이 방향으로 반자기장의 분할된 억제를 달성할 수 있는 다수의 n 개의 억제 유닛들(4)을 구비하고, 이때 n 수는 2 이상인 정수이다. 자기 감광막(2, 21)의 길이 방향을 따라 배치된 억제 유닛들(4)에 의하여, 자기 감광막(2, 21)은 반자기장의 억제를 달성하여 자기 감광막(2, 21)의 히스테리시스를 줄어거나 심지어 제거하고, 이로써, 자기 센서 칩의 감도를 개선시킨다.
摘要翻译：公开了一种磁传感器芯片和磁传感器。磁传感器芯片包括一个感光膜（2,21），并且在磁敏膜（2,21）的长度方向设置有数个n个抑制单元（4），该抑制单元能够实现分解抑制磁场，其中数字n为等于或大于2的整数。通过沿着磁敏膜（2,21）的纵向布置的抑制单元（4），感光膜（2,21）以实现对退磁场的抑制，从而减少或甚至消除磁敏膜（2,21）的滞后，从而提高磁传感器芯片的灵敏度。

2. 发明公开

KR1020130132628A 자기 센서 칩 및 자기 센서 有权
标题翻译：磁性传感器芯片和磁性传感器
公开(公告)号：KR1020130132628A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020137025801
申请日：2012-01-21
申请人： 큐, 빙준
发明人： 큐,빙준 , 시옹,웨이
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/00
CPC分类号： G01R33/05 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/08
摘要： 자기 센서 칩 및 자기 센서가 배치된다. 자기 센서 칩은 자기 감광막(2, 21)을 포함하고, 상기 자기 감광막(2, 21)의 길이 방향으로 반자기장의 분할된 억제를 달성할 수 있는 다수의 n 개의 억제 유닛들(4)을 구비하고, 이때 n 수는 2 이상인 정수이다. 자기 감광막(2, 21)의 길이 방향을 따라 배치된 억제 유닛들(4)에 의하여, 자기 감광막(2, 21)은 반자기장의 억제를 달성하여 자기 감광막(2, 21)의 히스테리시스를 줄어거나 심지어 제거하고, 이로써, 자기 센서 칩의 감도를 개선시킨다.
摘要翻译：公开了一种磁传感器芯片和磁传感器。磁传感器芯片包括一个感光膜（2,21），并且在磁敏膜（2,21）的长度方向设置有数个n个抑制单元（4），该抑制单元能够实现分解抑制磁场，其中数字n为等于或大于2的整数。通过沿着磁敏膜（2,21）的纵向布置的抑制单元（4），感光膜（2,21）以实现对退磁场的抑制，从而减少或甚至消除磁敏膜（2,21）的滞后，从而提高磁传感器芯片的灵敏度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式