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    • 2. 发明授权
    • 저항성 메모리에서의 비트 결함의 실시간 정정
    • 实时修正电阻式存储器中的位缺陷
    • KR101746701B1
    • 2017-06-13
    • KR1020167020441
    • 2014-12-12
    • 퀄컴 인코포레이티드
    • 김,태현김,성렬김,정필
    • G11C29/00G11C11/16G06F11/10H03M13/05
    • G06F11/0766G06F11/1008G11C29/808G11C29/814G11C2029/0411H03M13/05
    • 저항성메모리디바이스에서비트결함들을정정하기위한시스템들및 방법들은메모리디바이스를제 1 메모리뱅크및 제 2 메모리뱅크로분할하는것을포함한다. 제 1 SBR(single bit repair) 어레이는제 2 메모리뱅크에저장되고, 제 1 SBR 어레이는제 1 메모리뱅크의제 1 행에서의제 1 결함비트에서의결함의제 1 표시를저장하도록구성된다. 제 1 메모리뱅크및 제 1 SBR 어레이는메모리액세스동작동안병렬로액세스되도록구성된다. 유사하게, 제 1 메모리뱅크에저장된제 2 SBR 어레이는제 2 메모리뱅크에비트들의결함들의표시들을저장할수 있고, 제 2 SBR 어레이및 제 2 메모리뱅크는병렬로액세스될수 있다. 따라서, 제 1 및제 2 메모리뱅크들에서의비트결함들은실시간으로정정될수 있다.
    • 用于纠正电阻式存储器装置中的位缺陷的系统和方法包括将存储器装置分成第一存储体和第二存储体。 第一单个位修复(SBR)阵列被存储在第二存储体中,并且第一SBR阵列被配置为在第一存储体的第一行中的第一有缺陷位中存储缺陷的第一指示。 第一存储体和第一SBR阵列被配置为在存储器访问操作期间并行访问。 类似地,存储在第一存储体中的第二SBR阵列可以存储第二存储体中的比特缺陷的指示,并且可以并行访问第二SBR阵列和第二存储体。 因此,可以实时校正第一和第二存储体中的位缺陷。