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1. 发明授权

KR100247314B1 불화물 결정, 광학 제품, 및 불화물 결정의 제조 방법 失效
标题翻译：氟化物晶体，光学文章和生产方法
公开(公告)号：KR100247314B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980011015
申请日：1998-03-30
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오바,도모루 , 이찌자끼,도시오
IPC分类号： C01B9/08
CPC分类号： H01S3/034 , C30B11/00 , C30B29/12 , G02B1/02 , G03F7/70958 , H01S3/0979 , H01S3/225
摘要： An object of the present invention is to provide a fluoride crystal having a high transmittance with respect to an excimer laser and an excellent resistance with respect to a high output laser, and a production method thereof. The fluoride crystal of the present invention contains at least one kind of atom selected from the group consisting of Zn, Cd, Pb, Li, Bi and Na with a content of 10 ppm or less, and having an internal transmittance of 70% or more with respect to a 135 nm wavelength light. The method of the present invention of producing a fluoride crystal comprises conducting a refining step of adding a scavenger to a calcium fluoride raw material and refining the raw material at least once, and a crystal growth step of further adding the scavenger to the refined raw material and growing a crystal by using a crucible lowering method, wherein the amount of the scavenger to be added in the first refining step is 0.04 to 0.1 mol % based on the raw material, and the total amount of the scavenger to be added in the subsequent refining steps and the crystal growth step is 10% to 50% based on the amount of the scavenger to be added in the first refining step.

2. 发明公开

KR1019980080862A 불화물 결정, 광학 제품, 및 불화물 결정의 제조 방법 失效
标题翻译：氟化物晶体，光学产品，和生产氟化物晶体的方法
公开(公告)号：KR1019980080862A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：KR1019980011015
申请日：1998-03-30
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오바,도모루 , 이찌자끼,도시오
IPC分类号： C01B9/08
摘要： 본 발명의 목적은 엑시머 레이저에 대한 투과율이 크고 고출력 레이저에 대한 내성이 우수한 불화물 결정, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 불화물 결정은 아연, 카드뮴, 납, 리튬, 비스무스 및 나트륨으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 원자를 10 ppm 이하의 함량으로 함유하고, 파장 135 ㎚의 빛에 대한 내부 투과율은 70% 이상이다. 본 발명에 따른 불화물 결정의 제조 방법은 스캐빈저를 불화칼슘 원료에 첨가하고 원료를 적어도 1회 정련하는 정련 단계를 수행하고, 스캐빈저를 추가로, 정련된 원료에 첨가하고, 도가니 저하 방법을 이용하여 결정을 성장시키는 결정 성장 단계를 수행하는 것을 포함하고, 여기에서 제1정련 단계에 첨가하려는 스캐빈저의 양은 원료를 기준하여 0.04 내지 0.1 몰%이고, 후속의 정련 단계 및 결정 성장 단계에 첨가하려는 스캐빈저의 총량은 제1정련 단계에 첨가하려는 스캐빈저의 양을 기준하여 10 내지 50%이다.

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