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1. 发明公开

KR1020170103648A SOI 기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170103648A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170023070
申请日：2017-02-21
申请人： 징 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 샤오디유안 , 창리차드알.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/02164 , H01L29/34
摘要： 본발명은 SOI 기판을제조하는방법을제공하며, 상기방법은: 제1 반도체기판을제공하는단계; 제1 웨이퍼를형성하기위해상기제1 반도체기판의상부표면상에제1 절연층을성장시키는단계; 상기제1 절연층의상부표면으로부터미리결정된깊이로도핑층을형성하기위해이온빔을통해상기제1 반도체기판을조사하는단계; 제2 기판을제공하는단계; 제2 웨이퍼를형성하기위해상기제2 반도체기판의상부표면상에제2 절연층을성장시키는단계; 상기제1 웨이퍼를상기제2 웨이퍼와본딩하는단계; 제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼를듀테륨(deuterium) 환경에서어닐링하는단계; 상기제1 웨이퍼의일부분을상기제2 웨이퍼로부터분리하는단계; 그리고상기제2 웨이퍼상에듀테륨도핑된 층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造SOI衬底的方法，包括：提供第一半导体衬底; 在第一半导体衬底的顶表面上生长第一绝缘层以形成第一晶片; 通过离子束照射第一半导体衬底以在距离第一绝缘层的上表面预定深度处形成掺杂层; 提供第二衬底; 在第二半导体衬底晶片上生长第二绝缘层以形成第二晶片; 将第一晶片与第二晶片接合; 在氘环境中退火第一晶片和第二晶片; 将第一晶片的一部分与第二晶片分离; 并在第二晶圆上形成氘掺杂层。

2. 发明公开

KR1020170103642A 웨이퍼를 위한 열 처리 방법 审中-实审
标题翻译：晶圆的热处理方法
公开(公告)号：KR1020170103642A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170022621
申请日：2017-02-21
申请人： 징 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 샤오디유안 , 창리차드알.
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/3003
摘要： 본발명은웨이퍼의열처리방법에관한것이다. 웨이퍼가산소가스및 듀테륨(deuterium) 가스를포함하는혼합기체로충진된 환경에놓여지고, 급속한열처리공정이웨이퍼의표면상에서수행된다. 결과적으로, 웨이퍼의표면상에서무 결함영역(denuded zone)이형성되고, 이후제조공정에서반도체디바이스의인터페이스에서특성을개선시키기위해방출될 수있는듀테륨원자가웨이퍼에보유되고, 벌크미세결함이반도체디바이스들로부터먼 곳에서형성된다.
摘要翻译：晶片的热处理方法技术领域本发明涉及一种晶片的热处理方法。将晶片放置在充满含有氧气和氘气的混合器的环境中，并且在晶片的表面上执行快速热处理。其结果，在晶片的表面上的脱模性，在氘原子被保持后的不含缺陷的区域（洁净区）是可以在为了提高在半导体装置的制造过程中的界面的性质而释放晶片，从半导体器件的体微缺陷它在远处形成。

3. 发明公开

KR1020170103651A SOI 기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170103651A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170023836
申请日：2017-02-23
申请人： 징 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 샤오디유안
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/3115 , H01L21/18 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L21/324 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/167 , H01L29/207 , H01L29/227
摘要： 본발명은 SOI 기판을제조하는방법을제공하며, 상기방법은: 제1 반도체기판을제공하는단계; 제1 웨이퍼를형성하기위해상기제1 반도체기판의상부표면상에제1 절연층을성장시키는단계; 상기제1 웨이퍼의일정한미리결정된깊이로듀테륨및 수소이온공동도핑층을임플랜트하는단계; 제2 기판을제공하는단계; 제2 웨이퍼를형성하기위해상기제2 반도체기판의상부표면상에제2 절연층을성장시키는단계; 상기제1 웨이퍼를상기제2 웨이퍼와본딩하는단계; 제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼를어닐링하는단계; 상기제1 웨이퍼의일부분을상기제2 웨이퍼로부터분리하는단계; 그리고상기제2 웨이퍼상에듀테륨및 수소이온공동도핑층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造SOI衬底的方法，包括：提供第一半导体衬底; 在第一半导体衬底的顶表面上生长第一绝缘层以形成第一晶片; 将氘和氢离子腔掺杂层注入到第一晶片的预定的预定深度; 提供第二衬底; 在第二半导体衬底晶片上生长第二绝缘层以形成第二晶片; 将第一晶片与第二晶片接合; 退火第一晶片和第二晶片; 将第一晶片的一部分与第二晶片分离; 并在第二晶圆上形成氘氢离子腔掺杂层。

4. 发明授权

KR101869641B1 SOI 기판 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101869641B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020170023070
申请日：2017-02-21
申请人： 징 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 샤오디유안 , 창리차드알.
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/02164 , H01L29/34
摘要： 본발명은 SOI 기판을제조하는방법을제공하며, 상기방법은: 제1 반도체기판을제공하는단계; 제1 웨이퍼를형성하기위해상기제1 반도체기판의상부표면상에제1 절연층을성장시키는단계; 상기제1 절연층의상부표면으로부터미리결정된깊이로도핑층을형성하기위해이온빔을통해상기제1 반도체기판을조사하는단계; 제2 기판을제공하는단계; 제2 웨이퍼를형성하기위해상기제2 반도체기판의상부표면상에제2 절연층을성장시키는단계; 상기제1 웨이퍼를상기제2 웨이퍼와본딩하는단계; 제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼를듀테륨(deuterium) 환경에서어닐링하는단계; 상기제1 웨이퍼의일부분을상기제2 웨이퍼로부터분리하는단계; 그리고상기제2 웨이퍼상에듀테륨도핑된 층을형성하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020170103652A SOI 기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170103652A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170023872
申请日：2017-02-23
申请人： 징 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 샤오디유안
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/3115 , H01L21/324 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/265 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L29/167 , H01L29/207 , H01L29/227
摘要： 본발명은 SOI 기판을제조하는방법을제공하며, 상기방법은: 제1 반도체기판을제공하는단계; 제1 웨이퍼를형성하기위해상기제1 반도체기판의상부표면상에제1 절연층을성장시키는단계; 상기제1 절연층의상부표면으로부터미리결정된깊이로듀테륨및 헬륨이온공동도핑층을형성하기위해이온빔을통하여제1 반도체기판을조사하는단계; 제2 웨이퍼를형성하기위해상기제2 반도체기판의상부표면상에제2 절연층을성장시키는단계; 상기제1 웨이퍼를상기제2 웨이퍼와본딩하는단계; 제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼를어닐링하는단계; 상기제1 웨이퍼의일부분을상기제2 웨이퍼로부터분리하는단계; 그리고상기제2 웨이퍼상에듀테륨및 헬륨공동도핑반도체층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造SOI衬底的方法，包括：提供第一半导体衬底; 在第一半导体衬底的顶表面上生长第一绝缘层以形成第一晶片; 通过离子束照射第一半导体衬底以从第一绝缘层的上表面到预定深度形成氘离子和氦离子空穴掺杂层; 在第二半导体衬底晶片上生长第二绝缘层以形成第二晶片; 将第一晶片与第二晶片接合; 退火第一晶片和第二晶片; 将第一晶片的一部分与第二晶片分离; 并且在第二晶片上形成第二掺杂半导体层。

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