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1. 发明授权

KR100344226B1 정류 다이오드의 전극단자 有权
标题翻译：整流二极管的电极端子
公开(公告)号：KR100344226B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020000009759
申请日：2000-02-28
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 박중언 , 이원오 , 최연식
IPC分类号： H01L29/423
摘要： 개시된 전극단자는 정류장치의 플레이트에 형성된 고정구멍에 압입 설치되어 발전기로부터 입력되는 발전 교류전원을 정류 및 출력하는 정류 다이오드에서 전극단자의 구조를 개선하여 전극단자를 접합할 경우에 공기층이 발생되지 않도록 하고, 접합면을 증대시킴은 물론 열 응력을 완화하여 열 피로 현상에 대한 신뢰성을 향상시킨다.
전극단자의 헤드의 접합면에, 상호간에 직경이 상이하고 동심원을 가지는 복수의 제 1 홈과, 방사상으로 복수의 제 2 홈을 형성하고, 제 1 홈 및 제 2 홈의 깊이는 접합면의 중앙에서 외측으로 점차 깊어지게 형성하는 것으로서 접합층과의 접합 면적이 증가되고, 접합층내에 공기층이 거의 발생하지 않음은 물론 크랙의 발생이 지연됨은 물론 크랙의 진행을 차단하게 되며, 열 응력이 완화되어 제품에 대한 신뢰성이 향상된다.

2. 发明公开

KR1020010093972A 정류 다이오드 제조방법 失效
标题翻译：修复二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010093972A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：KR1020000017304
申请日：2000-04-03
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최연식 , 이원오
IPC分类号： H01L29/86
摘要： PURPOSE: A rectifying diode and a method for manufacturing the same are provided to mold a rectifying diode within a short time by using a thermoplastic resin. CONSTITUTION: A semiconductor chip and a head pin are formed sequentially on a support portion of a socket. The semiconductor chip and the head pin are fixed on the support portion by melting the leads. A plurality of rectifying diode assembly(200) is located on a lower mold(210). An upper mold(220) is covered on the lower mold(210). A thermoplastic resin is implanted into an injection hole(221) of the upper mold(220). The thermoplastic resin is pressed by an arm(230). The pressed thermoplastic resin is shifted to the rectifying diode assembly(200) through a path(240) between the lower mold(210) and the upper mold(220). The remaining part except for a head wire of the head pin is molded thereby.
摘要翻译：目的：提供一种整流二极管及其制造方法，通过使用热塑性树脂在短时间内对整流二极管进行成型。构成：在插座的支撑部上依次形成半导体芯片和头针。半导体芯片和头销通过熔化引线而固定在支撑部分上。多个整流二极管组件（200）位于下模具（210）上。上模具（220）被覆盖在下模具（210）上。将热塑性树脂注入到上模具（220）的注入孔（221）中。热塑性树脂被臂（230）挤压。压制的热塑性树脂通过下模具（210）和上模具（220）之间的路径（240）移动到整流二极管组件（200）。因此，除了头销的头部线之外的其余部分被模制。

3. 发明公开

KR1020010086778A 전력반도체모듈 失效
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：KR1020010086778A
公开(公告)日：2001-09-15
申请号：KR1020000010648
申请日：2000-03-03
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이원오 , 최연식 , 주성철
IPC分类号： H01L23/16
摘要： PURPOSE: A power semiconductor module is to fill a filling material in a resin sealing material to closely connect each inner component, thereby reducing fabricating process, and also previously prevent a moisture permeating path, thereby preventing defect of a product. CONSTITUTION: A semiconductor chip(12) is attached on an upper face of a heat radiating plate(10) for discharging heat to an outside to mutually transfer an external electric signal along a circuit pattern formed thereon. An electrode terminal(13) is connected to the circuit pattern of the semiconductor chip to receive and transfer the electric signal from/to the outside. A side sealing member(11) is attached to an upper end of the heat radiating plate to prevent foreign material from being permeated. A filling material(30) is filled into the side sealing member to protect inner components from the foreign material. A space portion(23) is formed on an upper portion of the filling material so that the filling material is moved upward and downward according to thermal expansion and reduction.
摘要翻译：目的：功率半导体模块将树脂密封材料中的填充材料填充以紧密连接每个内部组件，从而减少制造工艺，并且还防止湿气渗透路径，从而防止产品的缺陷。构成：半导体芯片（12）安装在散热板（10）的上表面，用于将热量放出到外部，以沿着形成在其上的电路图案相互传送外部电信号。电极端子（13）连接到半导体芯片的电路图案，以从外部接收和传送电信号。侧密封构件（11）附接到散热板的上端，以防止异物渗透。填充材料（30）被填充到侧密封构件中以保护内部组分免受异物的影响。在填充材料的上部形成空间部（23），使得填充材料根据热膨胀和还原而向上和向下移动。

4. 实用新型

KR200199511Y1 전력 반도체 모듈의 방수 장치 失效
公开(公告)号：KR200199511Y1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR2019980012446
申请日：1998-07-08
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최연식 , 송종규 , 이원오 , 이근혁 , 박중언
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 본 고안은 전력 반도체 모듈의 방수 장치에 관한 것으로서, 방열판 상에 반도체 칩, 전극 단자 등을 접합하고, 겔 상의 실리콘 고무 및 에폭시 수지를 충진한 상태로 케이스와 결합된 전력 반도체 모듈에 있어서, 상기 방열판의 상면 가장자리 쪽에 케이스와의 접촉부 사이를 통하여 수분을 침투시키지 못하도록 돌출턱이 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 고안에 의하면 고온의 발열 작용에 의하여 방열판과 케이스 사이를 통하여 수분이 침투되는 현상을 저지시킬 수 있으므로 모듈 전체의 동작 불능을 미연에 방지할 수 있다.

5. 发明授权

KR100260045B1 전력 반도체 모듈의 방열판 구조 失效
标题翻译：功率半导体模块的散热结构
公开(公告)号：KR100260045B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019980007497
申请日：1998-03-06
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최연식 , 송종규 , 이원오 , 이근혁 , 박중언
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A structure of heat-sink in a power semiconductor module is provided to prevent a crack of a junction layer by improving a heat-sink plate of a device such as a power transistor and an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor). CONSTITUTION: A power semiconductor module comprises a heat-sink plate(21) bonded on a ceramic substrate(22) formed with a circuit pattern(24), a chip(25), and an electrode terminal(26) by using a solder(23). The heat-sink plate(21) has a rectangular groove(21a) in order to be bonded by using the solder(23). The rectangular groove(21a) has a thickness thinner than a surrounding portion. The thickness of the rectangular groove(21a) has a minimum critical value which is in a mechanical strength and a thermal capacity.
摘要翻译：目的：提供功率半导体模块中的散热结构，通过改进诸如功率晶体管和IGBT（绝缘栅双极晶体管）的器件的散热板来防止接合层的裂纹。构成：功率半导体模块包括通过使用焊料（25）结合在形成有电路图案（24）的陶瓷基板（22），芯片（25）和电极端子（26）上的散热板（21） 23）。散热板（21）具有矩形槽（21a），以便通过使用焊料（23）粘合。矩形槽（21a）的厚度比周围部分薄。矩形槽（21a）的厚度具有机械强度和热容量的最小临界值。

6. 实用新型

KR2020000002554U 전력 반도체 모듈의 방수 장치 失效
标题翻译：功率半导体模块的防水装置
公开(公告)号：KR2020000002554U
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR2019980012446
申请日：1998-07-08
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최연식 , 송종규 , 이원오 , 이근혁 , 박중언
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 본 고안은 전력 반도체 모듈의 방수 장치에 관한 것으로서, 방열판 상에 반도체 칩, 전극 단자 등을 접합하고, 겔 상의 실리콘 고무 및 에폭시 수지를 충진한 상태로 케이스와 결합된 전력 반도체 모듈에 있어서, 상기 방열판의 상면 가장자리 쪽에 케이스와의 접촉부 사이를 통하여 수분을 침투시키지 못하도록 돌출턱이 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 고안에 의하면 고온의 발열 작용에 의하여 방열판과 케이스 사이를 통하여 수분이 침투되는 현상을 저지시킬 수 있으므로 모듈 전체의 동작 불능을 미연에 방지할 수 있다.

7. 发明授权

KR100193119B1 전력용 트랜지스터 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100193119B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960011112
申请日：1996-04-13
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이원오 , 신진철 , 박중언
IPC分类号： H01L29/76
摘要： 본 발명은 전력용 반도체 소자에 관한 것으로서, 반도체 기판의 배면에 형성된 드레인 전극; 상기 반도체 기판의 상부에 수직 및 수평으로 등간격 배치된 복수의 홀이 형성된 게이트 전극: 상기 복수의 홀에 각각 형성된 콘택홀을 통하여 상기 반도체 기판의 표면근방에 형성된 제1 전도형의 불순물영역 및 제2전도형의 고농도 제1불순물영역과 접촉되는 소오스전극; 상기 제2전도형의 고농도 제2불순물영역들과 대각선 방향으로 등거리에 형성된 제2 전도형의 고농도 제2불순물영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 인접하는 셀들간의 대각선방향으로 서로 균일한 거리를 갖도록 추가의 P+영역을 형성시킴으로써 소자 내부의 전계분포을 동일하게 할 수 있고 소자의 신뢰성 향상에도 기여할 수가 있다.

8. 发明授权

KR100193118B1 전력용 트랜지스터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：功率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100193118B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960011111
申请日：1996-04-13
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이원오 , 신진철 , 박중언
IPC分类号： H01L29/76
摘要： 본 발명은 전력용 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고농도의 제 1 전도형의 반도체 기판 상에 성장된 저농도의 제 1 전도형이 에피택셜층; 에피택셜층의 상부의 소정영역에 형성된 게이트 산화막상에 형성된 게이트 전극; 게이트 전극을 덮는 층간절연막; 게이트 전극에 셀프얼라인되며 제 1 깊이로 에피택셜층의 표면근방에 형성된 제 2 전도형의 불순물영역; 게이트 전극에 셀프얼라인되며 제 2 전도형의 불순물영역 내의 표면근방에 제 1 깊이 보다는 더 낮은 제 2 깊이로 형성된 제 1 전도형의 불순물영역; 게이트 전극 하방의 반도체 기판의 표면근방에 게이트 전극의 하방으로 확산된 제 2 전도형의 불순물영역과 측방으로 소정 거리로 이격되어 형성된 매몰절연층; 제 2 전도형의 불순물영역과 제 1 전도형의 불순물영역의 노출된 표면과 상기 층간절연막의 표면에 형성된 소오스전극; 및 반도체 기판의 에피택셜층이 형성된 면의 반대 표면에 형성된 드레인 전극을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 입력용량을 줄일 수 있으므로 고속 동작이 가능하다.

9. 发明公开

KR1019960015943A 반도체 소자 및 그의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1019960015943A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019940027974
申请日：1994-10-28
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 엄순영 , 이원오 , 이광일 , 김주연
IPC分类号： H01L29/70

10. 发明授权

KR100391824B1 정류 다이오드 有权
标题翻译： 정류다이오드
公开(公告)号：KR100391824B1
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：KR1020000008985
申请日：2000-02-24
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최연식 , 이원오 , 박중언
IPC分类号： H01L23/049
CPC分类号： H01L24/01
摘要： PURPOSE: A rectifying diode is provided to improve the reliability of a junction layer by controlling a thickness of the junction layer. CONSTITUTION: A support plate(12) is formed on a center portion of a socket(10). A semiconductor chip(14) is fixed on an upper portion of the support plate(12) by a junction layer(16). A head pin(20) is fixed on an upper portion of the semiconductor chip(14) by a junction layer(18). A protective case(22) is formed on an upper portion of the socket(10). A buffer material(24) is formed on an inner portion of the protective case(22). The first head portion(210) of the head pin(20) is formed with a head(211) and a head wire(212). The second head portion(210) of the head pin(20) is formed with an insertion groove(221) and a passing hole(222).
摘要翻译：目的：提供整流二极管以通过控制接合层的厚度来提高接合层的可靠性。组成：支撑板（12）形成在插座（10）的中心部分上。半导体芯片（14）通过接合层（16）固定在支撑板（12）的上部。头销（20）通过接合层（18）固定在半导体芯片（14）的上部。保护壳（22）形成在插座（10）的上部。缓冲材料（24）形成在保护壳（22）的内部。头销（20）的第一头部（210）形成有头部（211）和头部金属丝（212）。头销（20）的第二头部（210）形成有插入槽（221）和通孔（222）。

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