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1. 发明公开

KR1020170094586A 컬러레지스트 제거용 신너 조성물 审中-实审
标题翻译：用于去除色阻的稀释剂组合物
公开(公告)号：KR1020170094586A
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：KR1020160015483
申请日：2016-02-11
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 한두석 , 이두원 , 이상대
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/32 , C11D7/26
摘要： 본발명은액정디스플레이디바이스제조공정에서기판의가장자리부또는후면부에도포된불필요한컬러레지스트를효과적으로제거할수 있는신너조성물에관한것이다. 본발명의컬러레지스트제거용신너조성물은, 기판가장자리에발생하는에지비드를효과적으로제거할수 있고, 포토레지스트잔사를발생시키지않으므로액정디스플레이소자에유용하게활용될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种在液晶显示装置制造工艺中能够有效地去除施加到基板的边缘部分或后部的不必要的颜色抗蚀剂的较薄组合物。本发明的用于去除彩色抗蚀剂的较薄组合物可以有效地用于液晶显示装置，因为其有效地去除了在基板边缘处产生的边缘珠并且不产生光刻胶残留物。

2. 发明公开

KR1020130057656A 구리와 몰리브덴 합금막의 식각액 조성물 有权
标题翻译：铜和钼合金的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020130057656A
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020110123513
申请日：2011-11-24
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 신효섭 , 김세훈 , 이은경 , 정진배 , 이상대 , 한두석
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306 , C23F1/14
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/18 , H01L27/124
摘要： PURPOSE: An etchant composition of copper and molybdenum alloy film is provided to maintain etching characteristics such as an etching directivity and taper angle even when the content of metal ion in an etching solution is high. CONSTITUTION: An etchant composition of copper and molybdenum alloy comprises 5 to 40 weight% of hydrogen peroxide, 0.01 to 5 weight% of a chemical compound with nitrogen and sulfur atoms, 0.01 to 5 weight% of organic acid, 0.1 to 5 weight% of heterocyclic compounds, 0.1 to 5 weight% of a chelating agent, 0.01 to 1 weight% of fluoride and deionized water in response to the gross weight.
摘要翻译：目的：提供铜和钼合金膜的蚀刻剂组成，以便即使当蚀刻溶液中的金属离子的含量高时，也能够保持蚀刻方向性和锥角等蚀刻特性。构成：铜和钼合金的蚀刻剂组成包含5至40重量％的过氧化氢，0.01至5重量％的具有氮和硫原子的化合物，0.01至5重量％的有机酸，0.1至5重量％的杂环化合物，0.1〜5重量％的螯合剂，0.01〜1重量％的氟化物和去离子水。

3. 发明公开

KR1020110124955A 포토레지스트 박리액 조성물 有权
标题翻译：光电剥离组合物
公开(公告)号：KR1020110124955A
公开(公告)日：2011-11-18
申请号：KR1020100044444
申请日：2010-05-12
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 박영진 , 한두석 , 이상대 , 신효섭
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426
摘要： PURPOSE: A photo-resist stripping composition is provided to prevent the occurrence of corrosion with respect to metal wirings under a photo-resist film in a stripping process and a deionized water-based rinsing process. CONSTITUTION: A photo-resist stripping composition includes 0.5 to 5 weight% of alkylammonium hydroxide, 60-90 weight% of an aprotic polar solvent, 0.1-3 weight% of aromatic polyalcohol, 0.1-5 weight% of linear polyalcohol, and 5-30 weight% of water. The aromatic alcohol includes one or more carboxylic groups or alkylester groups and includes three or more hydroxylic groups. The aromatic polyalcohol is selected from a group including gallic acid, methyl gallate, ethyl gallate, propyl gallate, butyl gallate, and the mixture of the same. The linear polyalcohol includes three or more hydroxyl groups. The alkylammonium hydroxide is selected from a group including tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, and the mixture of the same.
摘要翻译：目的：提供光阻剥离组合物，以防止在剥离过程和去离子水基漂洗工艺中在光致抗蚀剂膜下相对于金属布线发生腐蚀。构成：光阻剥离组合物包含0.5-5重量％的烷基氢氧化铵，60-90重量％的非质子极性溶剂，0.1-3重量％的芳族多元醇，0.1-5重量％的线性多元醇和5- 30重量％的水。芳族醇包括一个或多个羧基或烷基酯基，并且包括三个或更多个羟基。芳族多元醇选自不含有没食子酸，没食子酸甲酯，没食子酸乙酯，没食子酸丙酯，没食子酸丁酯及其混合物的组。线性多元醇包括三个或更多个羟基。烷基氢氧化铵选自氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙铵，氢氧化四丙基铵及其混合物。

4. 发明公开

KR1020170106815A 신너 조성물 审中-实审
标题翻译：稀释剂组成
公开(公告)号：KR1020170106815A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020160030437
申请日：2016-03-14
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 한두석 , 이두원
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , G02F1/13 , H01L21/02 , H01L21/027
摘要： 본발명은포토리소그래피공정에서사용되는신너조성물로서, 부틸아세테이트 30~50 중량%; 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20~40 중량%; 및프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 10~30 중량%를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于光刻工艺的较薄组合物，其包含30至50重量％的乙酸丁酯; 20至40重量％的丙二醇单甲醚; 和10-30重量％的丙二醇单甲醚乙酸酯。

5. 发明授权

KR102230869B1 세정액 조성물 有权
公开(公告)号：KR102230869B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020170117926
申请日：2017-09-14
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 허준 , 임나래 , 한두석 , 이명호
IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/30 , C11D3/00 , C11D3/48 , C11D1/66 , C11D1/02 , C11D1/38 , C11D1/88 , H01L21/02 , H01L21/304
摘要： 본발명은카테콜아민류또는이의유도체화합물을포함하는세정액조성물에관한것으로서, 구체적으로는금속의화학적기계적평탄화(CMP) 공정등에서발생할수 있는금속산화물과금속연마입자를세정할수 있는세정액조성물을제공한다. 본발명에따른세정액조성물에의하면, 금속연마입자에대한착화력을증가시키고, 환원력을유지시킴으로써세정액의안정성을개선하여금속표면에대한방식력을높인세정공정을진행할수 있다.

6. 发明公开

KR1020170124359A 신너 조성물 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170124359A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160054157
申请日：2016-05-02
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 한두석 , 김광호 , 이두원 , 이상대
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 본발명은신너조성물에관한것으로서, 다양한레지스트종류및 공정에대하여, 균일하고우수한용해성능을유지시킴으로써, 반도체 EBR 공정, RRC 공정의효율을향상시킬수 있고, 레지스트의사용량을절감시킬수 있다.

7. 发明授权

KR101169332B1 포토레지스트 박리액 조성물 有权
标题翻译：光刻胶剥离液溶液组成
公开(公告)号：KR101169332B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020100044444
申请日：2010-05-12
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 박영진 , 한두석 , 이상대 , 신효섭
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 본 발명은 반도체/LED/LCD소자를 제조하는 공정에서 포토레지스트를 제거하기 위해 사용되는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로서, 알킬암모늄 수산화물 0.5 내지 5 중량%, 비양자성 극성용매 60 내지 90 중량%, 방향족 다가알콜 0.1 내지 3 중량%, 직쇄구조 다가알콜 0.1 내지 5 중량% 및 물 5 내지 30 중량%의 조성으로 이루어지며, 포지티브 포토레지스트와 네거티브 포토레지스트에 대한 박리력이 우수하고 하부 금속배선에 대한 부식이 없다.
摘要翻译：本发明涉及用于在制造半导体/ LED / LCD器件的工艺中用于去除光刻胶的光刻胶剥离液体组合物，其包含0.5至5重量％的烷基氢氧化铵，60至90重量％的非质子极性溶剂，，芳香族多元醇0.1〜3重量％，直链多元醇0.1〜5重量％，水5〜30重量％，对正型光致抗蚀剂和负型光致抗蚀剂的剥离性优异，没有腐蚀。

8. 发明公开

KR1020170106000A 신너 조성물 审中-实审
标题翻译：稀释剂组成
公开(公告)号：KR1020170106000A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029524
申请日：2016-03-11
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 한두석 , 김광호 , 이두원 , 이상대
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , G02F1/13 , H01L21/02 , C11D1/66
摘要： 본발명은신너조성물에관한것으로서, 다양한레지스트종류및 공정에대하여, 균일하고우수한용해성능을유지시킴으로써, 반도체 EBR 공정, RRC 공정의효율을향상시킬수 있고, 레지스트의사용량을절감시킬수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种稀释剂组合物，通过保持各种类型的抗蚀剂和处理的均匀且优异的溶解效率，并提高半导体sikilsu EBR处理中，RRC过程的效率，降低sikilsu的抗蚀剂的量。

9. 发明授权

KR101333551B1 구리와 몰리브덴 합금막의 식각액 조성물 有权
标题翻译：铜和钼合金的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR101333551B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020110123513
申请日：2011-11-24
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 신효섭 , 김세훈 , 이은경 , 정진배 , 이상대 , 한두석
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306 , C23F1/14
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/18 , H01L27/124
摘要： 본 발명은 구리와 몰리브덴 합금막의 식각액 조성물에 관한 것으로, 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 40 중량%의 과산화수소, 0.01 내지 5 중량%의 질소 원자와 황 원자를 동시에 포함하는 화합물, 0.1 내지 5 중량%의 유기산, 0.1 내지 5 중량%의 헤테로고리 화합물, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제, 0.01 내지 1 중량%의 불화물 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 식각액 조성물은 식각 공정을 반복하여 식각액 내의 금속 이온 함량이 높은 경우에도 테이퍼 앵글, 시디 로스 및 식각 직진성 등의 식각 특성이 유지될 수 있으므로 TFT-LCD 디스플레이 전극 제조 등에 유용하게 사용될 수 있다.

10. 发明授权

KR101132618B1 포토레지스트 사용량을 절감할 수 있는 신너 조성물 有权
标题翻译：可以减少光电消耗的薄膜组合物
公开(公告)号：KR101132618B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020090078827
申请日：2009-08-25
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 이상대 , 박영진 , 한두석
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 본 발명은 포토레지스트 사용량을 절감할 수 있는 신너 조성물에 관한 것으로서, 조성물 총 중량을 기준으로, (1) 비점이 180℃ 이상이고 수소결합 가능한 유기용제 0.01 내지 20 중량%, (2) 상기 유기용제와 수소결합할 수 있는 비점 150℃ 이하의 글리콜류 10 내지 70 중량%, 및 (3) 에스터류 10 내지 89.99 중량%를 포함하는 본 발명에 따른 신너 조성물은 패턴 구현을 위해 사용되는 포토레지스트의 양을 획기적으로 절감할 수 있을 뿐만 아니라 포토레지스트의 균일한 도포를 달성할 수 있고, 기판의 가장자리부 또는 후면부에 도포된 불필요한 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다.

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