专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100433470B1 결합제를 첨가한 납축전지용 무기 젤 전해질의 제조방법및 그 전해질 有权
标题翻译： 결합제를첨가한납축전지지용무기젤전해질의제조방법및그전해질
公开(公告)号：KR100433470B1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：KR1020010079232
申请日：2001-12-14
申请人： 주식회사 아트라스비엑스 , 한국과학기술원
发明人： 박진 , 최대근 , 홍성훈 , 박승빈 , 양승만 , 홍원희 , 김광석 , 송현우
IPC分类号： H01M10/08
CPC分类号： Y02E60/126
摘要： PURPOSE: Provided is a binder-added inorganic gel electrolyte for a sealed type lead storage battery, which is excellent in structural strength, charging capacity, and lifetime property. CONSTITUTION: The binder-added inorganic gel electrolyte is produced by mixing and dispersing silica in sulfuric acid solution at more than 2000rpm and then adding 0.001-1%(based on the weight of the electrolyte) of polyvinyl alcohol as a binder to the silica-sulfuric acid solution dispersion, wherein the polyvinyl alcohol has a molecular weight of more than 10000.
摘要翻译：用途：本发明提供一种用于密封型铅蓄电池的无机凝胶电解质粘结剂，其结构强度，充电容量和寿命特性优异。构成：添加粘合剂的无机凝胶电解质是通过将二氧化硅在硫酸溶液中以大于2000rpm的速度混合和分散，然后将作为粘合剂的聚乙烯醇的0.001-1％（基于电解质的重量）加入到二氧化硅 - 硫酸溶液分散液，其中聚乙烯醇的分子量大于10000。

2. 发明公开

KR1020030049115A 결합제를 첨가한 납축전지용 무기 젤 전해질의 제조방법및 그 전해질 有权
标题翻译：生产用于铅蓄电池和其电解质的添加无机凝胶电解质的方法
公开(公告)号：KR1020030049115A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010079232
申请日：2001-12-14
申请人： 주식회사 아트라스비엑스 , 한국과학기술원
发明人： 박진 , 최대근 , 홍성훈 , 박승빈 , 양승만 , 홍원희 , 김광석 , 송현우
IPC分类号： H01M10/08
CPC分类号： Y02E60/126
摘要： PURPOSE: Provided is a binder-added inorganic gel electrolyte for a sealed type lead storage battery, which is excellent in structural strength, charging capacity, and lifetime property. CONSTITUTION: The binder-added inorganic gel electrolyte is produced by mixing and dispersing silica in sulfuric acid solution at more than 2000rpm and then adding 0.001-1%(based on the weight of the electrolyte) of polyvinyl alcohol as a binder to the silica-sulfuric acid solution dispersion, wherein the polyvinyl alcohol has a molecular weight of more than 10000.
摘要翻译：目的：提供一种密封型铅蓄电池用粘结剂添加无机凝胶电解质，结构强度，充电能力和使用寿命性优异。构成：添加粘合剂添加无机凝胶电解质是通过将二氧化硅在硫酸溶液中以大于2000rpm的速度混合分散，然后加入作为粘合剂的聚乙烯醇作为粘合剂的0.001-1％（基于电解质的重量）硫酸溶液分散体，其中聚乙烯醇的分子量大于10000。

3. 发明授权

KR101716851B1 용액재료를 이용한 미세패턴 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101716851B1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150163401
申请日：2015-11-20
申请人： 한국과학기술원 , 한국기계연구원
发明人： 유승협 , 문한얼 , 정현호 , 최대근 , 김한중 , 박창구
IPC分类号： G03F7/00 , B81C1/00
摘要： 용액재료를이용한미세패턴제조방법에서, 베이스기판상에친수성막및 소수성막을포함하는제1 층을형성한다. 베이스몰드상에제1 패턴을형성하여임프린팅몰드를제작한다. 상기제1 패턴을포함한임프린팅몰드로상기제1 층을패터닝한다. 상기패터닝으로제2 패턴이형성된상기기판상에용액을도포한다. 상기도포된용액을건조한다.

4. 发明授权

KR100668642B1 단분산 입자를 마스크로 이용하는 자성금속 점 정렬형성방법 失效
标题翻译：使用胶体光刻制作金属点阵的方法
公开(公告)号：KR100668642B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050007276
申请日：2005-01-26
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양승만 , 김사라 , 최대근 , 장세규 , 신성철 , 정종률
IPC分类号： H01L21/306 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 단분산 입자를 마스크로 활용한 자성 금속 점 정렬 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패턴화를 요하는 금속박막 위에 구형의 단분산 입자를 배열하는 단계; 코팅된 단일막 또는 이중막을 반응성 이온 식각 조건을 조절하여 고분자 입자의 크기를 조절하는 단계; 고분자 마스크를 이용하여 아르곤 이온 식각 또는 금속을 증착하는 단계; 및 금속 패턴으로부터 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 금속 점 정렬의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 광식각 공정으로는 구현하기 어려운 100nm 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있으며, 미리 원하는 성질의 자성금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 마스크의 크기 및 모양 조절함에 따라서 원하는 금속패턴의 제조가 가능하다.
또한 본 발명에 의한 나노 패턴은 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 반도체 메모리의 기억소자를 위한 마스크, 촉매의 패턴화된 기저 물질, 바이오센서 등의 생물소자, 반사 방지막 및 광소자 등으로 응용이 가능하다.

5. 发明授权

KR100508337B1 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 失效
标题翻译：具有纳米尺度的图案化聚合物膜的制造方法
公开(公告)号：KR100508337B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020030042676
申请日：2003-06-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양승만 , 장세규 , 최대근
IPC分类号： H01L21/027 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B05D1/42 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L51/0004
摘要： 본 발명의 제 1측면에 따른 방법은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 상기 양각의 스탬프를 원하는 고분자 박막위에 올려두고, 상기 고분자 박막의 유리전이 온도이상에서 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 고분자 박막으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다.
또한, 제 2측면에 따른 본 발명은 연성 고분자 주형에 구비된 패턴내에 소정 크기의 입자를 충진하여 양각의 스탬프를 제조하는 단계; 소정 기판위에 형성된 폴리머전구체의 코팅층에 상기 양각의 스탬프가 놓이도록 하고, 상기 코팅층을 경화시키는 단계; 및 상기 양각의 스탬프를 경화된 상기 코팅층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 패턴화된 고분자 박막의 제조방법을 제공한다

6. 发明公开

KR1020050001111A 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 失效
标题翻译：用于制备纳米级水平的图案聚合物薄膜的方法用于所需位置的快速和独特的聚合物图案
公开(公告)号：KR1020050001111A
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020030042676
申请日：2003-06-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양승만 , 장세규 , 최대근
IPC分类号： H01L21/027 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B05D1/42 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L51/0004
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a patterned polymer thin film of a nanometer level is provided to rapidly and inexpensively form a polymer pattern in a desired position by performing a self-assembly process and a soft lithography process. CONSTITUTION: Particles of a predetermined size are filled in a pattern formed in a soft polymer mold to fabricate an embossed stamp. While the embossed stamp is placed on a polymer thin film, the embossed stamp is left at a glass transition temperature of the polymer thin film for a predetermined interval of time. The embossed stamp is separated from the polymer thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造纳米级图案化聚合物薄膜的方法，以通过执行自组装工艺和软光刻工艺快速且廉价地在所需位置形成聚合物图案。构成：将预定尺寸的颗粒填充在形成于软质聚合物模具中的图案中，以制造压花印模。当将压花印模放置在聚合物薄膜上时，压花印模保持在聚合物薄膜的玻璃化转变温度下一段预定的时间间隔。压花印模与聚合物薄膜分离。

7. 发明公开

KR1020050001109A 미세전자 및 광학소자제작에 유용한 규칙적인 양각 패턴의형성방법 失效
标题翻译：用于形成用于制造微电子器件和光学器件的常规成型图案的方法可选择可用的颗粒并且根据图案类型执行不同的功能
公开(公告)号：KR1020050001109A
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020030042674
申请日：2003-06-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양승만 , 유형균 , 최대근
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A method for forming a regular embossed pattern useful for fabricating a microelectric device and an optical device is provided to freely select usable particles and perform different functions according to a pattern type by previously selecting and disposing particles of a desired property. CONSTITUTION: The first polymer layer of ductility is formed on the upper surface of a master patterned to be an embossed type and is hardened to form an intagliated pattern. The first polymer layer having the intagliated pattern is separated from the master to fill the pattern with the first particles. The second layer of viscosity is formed on the upper surface of the first polymer layer having the pattern and attaches the embossed pattern made of the predetermined particles to the surface of the second polymer layer. The second polymer layer is separated from the first polymer layer and a groove formed in the second polymer layer is filled with the second particles.
摘要翻译：目的：提供用于形成用于制造微电子器件和光学器件的规则压花图案的方法，以通过预先选择和处理所需性质的颗粒来根据图案类型自由选择可用的颗粒并执行不同的功能。构成：延展性的第一聚合物层形成在图案化为压花类型的母版的上表面上，并被硬化以形成凹版图案。将具有凹凸图案的第一聚合物层与母料分离以用第一颗粒填充图案。第二层粘度形成在具有图案的第一聚合物层的上表面上，并将由预定颗粒制成的压花图案附着到第二聚合物层的表面。第二聚合物层与第一聚合物层分离，并且在第二聚合物层中形成的凹槽填充有第二颗粒。

8. 发明授权

KR100700435B1 패턴 복제에 사용되는 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물,그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드,그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여복제된 패턴 有权
标题翻译：用于生产用于替换图案的模具的氟化有机锗化合物，用于使用该模板的图案复制的有机无机混合模具，使用模型复制的图案的方法和由方法重现的图案
公开(公告)号：KR100700435B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050051011
申请日：2005-06-14
申请人： 한국기계연구원 , 한국과학기술원
发明人： 최대근 , 정준호 , 이응숙 , 한창수 , 배병수 , 김우수
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/075 , H01L21/027 , B82B3/00
摘要： 본 발명은 패턴 복제에 사용되는 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물, 그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드, 그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여 복제된 패턴에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 이형제 처리와 같은 표면처리를 필요로 하지 않는 동시에 일정 수준 이상의 강도를 가지므로써, 나노 임프린트 공정 및 소프트 식각(soft lithography) 패터닝 공정에서 모두 사용가능한 새로운 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물, 그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드, 그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여 복제된 패턴에 관한 것이다.
불화 유기규소, 유기-무기, 혼성, 몰드, 패턴, 복제

9. 发明公开

KR1020140141151A 3차원 금속 나노 구조체 제조방법 및 이에 의하여 제조된 3차원 금속 나노 구조체 无效
标题翻译：制备三维矩形纳米结构的方法和由其制备的三维基本纳米结构
公开(公告)号：KR1020140141151A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130062560
申请日：2013-05-31
申请人： 한국과학기술원 , 한국기계연구원
发明人： 박인규 , 엄현진 , 정준호 , 최준혁 , 최대근 , 이지혜 , 정주연
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/225 , B82Y40/00 , C23C14/04 , G02B5/3058
摘要： 양각 패턴과 음각 패턴된 형성된 기판에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 증착된 금속에 열처리와 함께 압력을 인가하여 상기 금속을 상기 양각 또는 음각 패턴에 선택적으로 재배열하여, 상기 양각 및 음각 패턴에 대응하는 양각 또는 음각 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 금속은 상기 음각 패턴 전체를 채우지 않도록 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 나노구조체 제조방법이 제공된다.
摘要翻译：提供一种制备金属纳米结构的方法，包括以下步骤：在形成有压花图案和凹版图案的基板中蒸发金属; 并通过向蒸发的金属施加压力和热过程来选择性地重新排列压花图案或凹版图案上的金属，并形成压花或凹版纳米结构以对应于压花图案和凹版图案，其中金属蒸发不填充整个凹版图案。

10. 发明授权

KR100527409B1 백나노미터 이하의 고정밀 나노 미세패턴 및 자성 금속 점정렬 형성방법 失效
标题翻译：具有亚100nm特征尺寸的高分辨率纳米图案和金属点阵的制造方法
公开(公告)号：KR100527409B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020030025194
申请日：2003-04-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양승만 , 정희태 , 최대근 , 권기영 , 신성철 , 정종률
IPC分类号： H01L21/28 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 종래 광식각 공정으로는 구현하기 힘든 백나노미터 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있다. 또한 미리 원하는 성질의 자성 금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 사용되는 마스크 금속의 성질에 따라 종횡비가 큰 금속패턴을 형성하는 것이 가능하다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式