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1. 发明公开

KR1020070079177A 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成图案的光电组合物和形成使用其的显示图案的方法
公开(公告)号：KR1020070079177A
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020060009686
申请日：2006-02-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정두희 , 이희국 , 김동민 , 최기식 , 박정민
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0007 , G03F7/008
摘要： A photoresist composition for forming a pattern is provided to improve residual photoresist uniformity and embody the reduction of active protrusions and the reduction of skew when forming a pattern of a display device. A photoresist composition for forming a pattern comprises 5-30 parts by weight of a novolak resin, 2-10 parts by weight of a diazide-based photosensitive compound, 0.5-3 parts by weight of a heat-resistant control additive, and 60-90 parts by weight of an organic solvent. The method for forming a pattern includes the steps of: forming a photoresist layer on an insulating substrate(10) by using the photoresist composition solution; performing photolithography to form the photoresist pattern(110); performing a baking process to reflow the photoresist pattern(110); and etching the reflowed photoresist pattern(110).
摘要翻译：提供用于形成图案的光致抗蚀剂组合物以改善残留的光致抗蚀剂均匀性，并且在形成显示装置的图案时体现活性突起的减少和歪斜的减少。用于形成图案的光致抗蚀剂组合物包括5-30重量份的酚醛清漆树脂，2-10重量份的二叠氮基感光性化合物，0.5-3重量份的耐热控制添加剂和60- 90重量份的有机溶剂。形成图案的方法包括以下步骤：通过使用光致抗蚀剂组合物溶液在绝缘基板（10）上形成光致抗蚀剂层; 执行光刻以形成光致抗蚀剂图案（110）; 进行烘烤处理以回流光致抗蚀剂图案（110）; 并蚀刻回流的光致抗蚀剂图案（110）。

2. 发明授权

KR101293155B1 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成图案的光电组合物和形成使用其的显示图案的方法
公开(公告)号：KR101293155B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020060009686
申请日：2006-02-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정두희 , 이희국 , 김동민 , 최기식 , 박정민
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/004
摘要： 리플로우 특성 및 접착력이 향상된 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법이 개시되어 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 5 내지 30중량부와, 디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10중량부와, 내열성 조정 첨가제 0.5 내지 3중량부 및 유기용매 60 내지 90중량부를 포함하고 있다. 이러한 포토레지스트 조성물로 표시장치의 패턴을 형성 시 포토레지스트 잔량 균일성을 향상할 수 있을 뿐더러 액티브돌출부의 감소 및 스큐 감소를 구현할 수 있다.
내열성 조정 첨가제, 하드베이킹, 리플로우, 접착력

3. 发明公开

KR1020070006346A 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶组合物，使用其形成图案的方法以及使用其制造薄膜晶体管阵列板的方法
公开(公告)号：KR1020070006346A
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：KR1020050061606
申请日：2005-07-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박정민 , 이희국 , 주진호 , 전우석 , 정두희 , 김동민 , 최기식
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G02F1/133
CPC分类号： G03F7/022 , G03F7/0045 , G03F7/0007 , G03F7/0236
摘要： A photoresist composition useful for patterning and manufacturing thin film transistor array panel is provided to homogeneously maintain amount of photoresist remaining in a channel part and reduce protrusion of terminal of a semiconductor layer by comprising photosensitive compound having balast structure, as well as alkaline soluble resin. The photoresist composition comprises alkaline soluble resin and photosensitive compound having balast structure represented by the formula(I), wherein R1 and R2 are same or different and alkyl group. The patterning process includes the steps of: forming a conductive or non-conductive layer on a substrate; forming a photoresist film containing the photoresist composition on the layer; patterning the photoresist film to form a photoresist pattern; and etching the layer by employing the photoresist pattern. The photosensitive compound is diazide-based compound. The alkaline soluble resin is contained in amount of 5 to 30wt.% to total weight of the composition.
摘要翻译：提供了用于图案化和制造薄膜晶体管阵列面板的光致抗蚀剂组合物以均匀地保持残留在通道部分中的光致抗蚀剂的量，并且通过包括具有平坦结构的光敏化合物以及碱溶性树脂来减少半导体层的端子的突出。光致抗蚀剂组合物包含碱溶性树脂和具有由式（I）表示的保湿结构的光敏化合物，其中R 1和R 2相同或不同，和烷基。图案化工艺包括以下步骤：在衬底上形成导电层或非导电层; 在该层上形成含有光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂膜; 图案化光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案; 并通过使用光致抗蚀剂图案来蚀刻该层。光敏化合物是二叠氮基化合物。碱溶性树脂的含量相对于组合物的总重量为5〜30重量％。

4. 发明授权

KR101240643B1 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶组合物，使用其形成图案的方法以及使用其制造薄膜晶体管阵列板的方法
公开(公告)号：KR101240643B1
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020050061606
申请日：2005-07-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박정민 , 이희국 , 주진호 , 전우석 , 정두희 , 김동민 , 최기식
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G02F1/133
CPC分类号： G03F7/022 , G03F7/0045
摘要： 본 발명은, 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 데이터 층을 형성하는 단계, 상기 데이터 층 위에 알칼리 가용성 수지 및 화학식 (I)의 발라스트(balast) 구조를 가지는 감광성 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터 층을 1차 식각하는 단계, 상기 1차 식각된 데이터 층을 마스크로 하여 반도체층을 식각하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 열처리하여 리플로우하는 단계, 상기 리플로우된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터층을 2차 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
포토레지스트, 내열성, 균일성, 리플로우

5. 发明公开

KR1020100050303A 패턴 형성방법 无效
标题翻译：图案的准备方法
公开(公告)号：KR1020100050303A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109528
申请日：2008-11-05
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 최기식 , 제갈은 , 김정원 , 변철기 , 신재호 , 변자훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0272 , G03F7/0392 , G03F7/095
摘要： PURPOSE: A method for forming a pattern is provided to easily form a profile with an undercut shape by increasing a fill speed using a polymer chemical compound of a specific structure when forming a multilayer photoresist layer. CONSTITUTION: A first photoresist layer(20) is formed on a substrate. A second photoresist layer(30) is formed on the first photoresist layer. A resist pattern with an undercut shape is formed by exposing and developing the first photoresist layer and the second photoresist layer. The fill speed of the second photoresist layer is slower than the fill speed of the first photoresist layer.
摘要翻译：目的：提供形成图案的方法，以便在形成多层光致抗蚀剂层时，通过使用特定结构的聚合物化合物增加填充速度，从而容易地形成具有底切形状的轮廓。构成：在基板上形成第一光致抗蚀剂层（20）。在第一光致抗蚀剂层上形成第二光刻胶层（30）。通过曝光和显影第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层来形成具有底切形状的抗蚀剂图案。第二光致抗蚀剂层的填充速度比第一光致抗蚀剂层的填充速度慢。

6. 发明授权

KR101596911B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR101596911B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020090005522
申请日：2009-01-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신재호 , 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 제갈은 , 최기식 , 김정원 , 변철기 , 변자훈
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
摘要： 본발명은액정표시장치회로, 반도체집적회로등의미세회로제조에사용되는포토레지스트조성물에관한것으로서, 보다상세하게는노볼락수지, 디아지드계감광성화합물, 특정구조의광산발생제와멜라민수지, 및유기용매를포함하는내열성이우수한포지-네가형포토레지스트조성물을제공한다.

7. 发明授权

KR100741296B1 포토레지스트 조성물 失效
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR100741296B1
公开(公告)日：2007-07-20
申请号：KR1020050091764
申请日：2005-09-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉기 , 박찬석 , 김동민 , 김주혁 , 최기식 , 김정원
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004
摘要： 본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 유리전이온도가 150 ℃ 이하인 아크릴레이트계 수지 및 노볼락 수지를 함유하는 고분자 수지 10 내지 27 중량%; b) 디아지드계 감광성 화합물 3 내지 8 중량%; 및 c) 잔량의 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트에 관한 것이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 고분자 수지로서 저유리전이온도의 용해속도가 빠른 아크릴레이트계 수지를 포함하여 드라이필름 형태로의 사용 가능하며, 우수한 패턴형성능력과, 저유리전이점을 갖는 아크릴레이트로 인한 유연성 증가로 플라스틱 기판에 대한 접착력이 매우 우수하여 디스플레이의 투명전극의 형성에 특히 적합하다.
포토레지스트

8. 发明授权

KR101324645B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101324645B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020060041089
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, R은 수소, -OH기 또는 -CH
3 기이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(
m -cresol), 파라-크레졸(
p -cresol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 살리실릭 알데히드, 내열성, 해상도, 패턴 균일도
摘要翻译：本发明是一种酚醛清漆树脂来，是一种）更详细地涉及一种液晶显示装置的电路，微电路光刻胶（在半导体集成电路的制造中，包括由式（1）表示的重复单元中使用的光致抗蚀剂）的组合物， b）二叠氮化物基光敏化合物，和c）有机溶剂。

9. 发明授权

KR101324646B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101324646B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020060041090
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 메타-크레졸, 파라-크레졸, 레조시놀 및 살리실릭 알데히드를 2 내지 5: 2 내지 5: 0.5 내지 3: 0.5 내지 3의 중량비로 사용하여 축합 중합된 것으로, 2,000 내지 10,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(
m -cresol), 파라-크레졸(
p -cresol), 레조시놀(resorcinol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 레조시놀, 살리실릭 알데히드, 내열성, 패턴 균일도
摘要翻译：本发明涉及一种液晶显示装置，电路，光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）在微电路，例如半导体集成电路，更具体地涉及一种）间甲酚，对甲酚，间苯二酚和水杨酸盐西里奇醛的制造中使用的组合物 2至5：2至5：0.5至3：通过使用具有2000〜10000的重均分子量的酚醛清漆树脂，b）二叠氮类感光化合物0.5至3重量比聚合的冷凝，以及c）和包含有机溶剂的光刻胶组合物。

10. 发明公开

KR1020100086251A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020100086251A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020090005522
申请日：2009-01-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신재호 , 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 제갈은 , 최기식 , 김정원 , 변철기 , 변자훈
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
摘要： PURPOSE: A photoresist composition is provided to obtain excellent a photosensitive speed before second exposure, residual film rate, development contrast, adhesive force with a substrate, 4-mask property, and uniformity of a circuit wire width and to remarkably improve heat resistance after the second exposure. CONSTITUTION: A photoresist composition includes a novolak resin, a diazide-based photosensitive compound, a photoacid generator of a chemical formula 1 or a chemical formula 2, a melamine resin of a chemical formula 3, and an organic solvent. In the chemical formula 1, R1 is an aromatic compound having a carbon number of 10-20 and R2 and R3 are halogen elements. In the chemical formula 2, R1 is an alkyl group which has a carbon number of 1-10 and is substituted with the halogen element.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物，以在第二曝光之前获得优异的感光速度，残留膜率，显影对比度，与基板的粘合力，4掩模性能和电路线宽度的均匀性，并且显着提高后的耐热性第二次曝光构成：光致抗蚀剂组合物包括酚醛清漆树脂，二叠氮基感光性化合物，化学式1的光酸产生剂或化学式2，化学式3的三聚氰胺树脂和有机溶剂。在化学式1中，R 1为碳数为10〜20的芳香族化合物，R 2，R 3为卤素元素。在化学式2中，R 1是碳数为1-10并被卤素元素取代的烷基。

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