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1. 发明授权

KR101469258B1 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101469258B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020100139758
申请日：2010-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 김형수 , 최병호 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 산화세륨입자; 연마패드에상기산화세륨입자를흡착시키는흡착제; 상기흡착제의기능을조절하는흡착조절제; 및 pH 조절제를포함하는 CMP 슬러리조성물이개시되어있다. 상기 CMP 슬러리조성물은패턴화된산화막의연마효율및 다이아몬드디스크컨디셔너의수명을향상시킬수 있다.
摘要翻译：氧化铈颗粒; 吸附剂，其将氧化铈粒子吸附到研磨垫上; 控制吸附剂功能的吸附调节剂; 还有一种pH调节剂。 CMP浆料组合物可以提高图案化氧化膜的抛光效率和金刚石圆盘调节器的寿命。

2. 发明公开

KR1020100079694A 산화세륨 ＣＭＰ 슬러리 조성물 无效
标题翻译： CERIA CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR1020100079694A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138239
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 정재훈 , 최병호 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A ceria oxide CMP slurry composition is provided to use the composition for removing ILD and STI primitive stage, and to secure the high performance of polishing a pattern. CONSTITUTION: A ceria oxide CMP slurry composition contains a pyrrolidone compound selected from the group consisting of polyvinyl pyrrolidone, 2-pyrrolidone, 1-methyl-2-pyrrolidone, 2-pyrrolidone-5-carboxylic acid, 1-vinyl-2-pyrrolidone, 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone, 1-octyl-2-pyrrolidone, and their mixture. 0.005~10wt% of pyrrolidone compound is mixed with the total amount of slurry composition. The pH of the slurry composition is 3~6.5.
摘要翻译：目的：提供二氧化铈CMP浆料组合物，用于除去ILD和STI原始阶段的组合物，并确保高性能的抛光图案。构成：二氧化铈CMP浆料组合物含有选自聚乙烯吡咯烷酮，2-吡咯烷酮，1-甲基-2-吡咯烷酮，2-吡咯烷酮-5-羧酸，1-乙烯基-2-吡咯烷酮， 1-环己基-2-吡咯烷酮，1-辛基-2-吡咯烷酮及其混合物。将0.005〜10重量％的吡咯烷酮化合物与浆料组合物的总量混合。浆料组成的pH为3〜6.5。

3. 发明公开

KR1020090057207A 상변화 메모리 소자 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于相变材料的CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR1020090057207A
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：KR1020090044532
申请日：2009-05-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A CMP slurry composition is provided to improve a polishing speed for a phase change memory device, to ensure high polishing selectivity to a polishing stop film such as a phase change memory device and a silicon oxide film, and to form the polished surface of high quality by minimizing processing defection such as dishing and erosion. A CMP slurry composition for polishing a phase-change memory device comprises: ultrapure water; polishing particles; and at least one nitrogenous compound selected from aliphatic amine, aromatic amine, ammonium salt and ammonium base. When a phase change memory device including a polishing stop film and a phase change film is polished, a polishing speed ratio of a phase change film to a polishing stop film is 100 or greater. The primary particle diameter mean value of the polished particles is 1-200 nm. The mean value of the specific surface area is 10-500 m / g.
摘要翻译：提供CMP浆料组合物以改善相变存储器件的抛光速度，以确保对诸如相变存储器件和氧化硅膜的抛光停止膜的高抛光选择性，并且形成高质量的抛光表面通过最小化诸如凹陷和侵蚀的加工缺陷。用于抛光相变存储器件的CMP浆料组合物包括：超纯水; 抛光颗粒; 和至少一种选自脂族胺，芳族胺，铵盐和铵碱的含氮化合物。当研磨包括抛光停止膜和相变膜的相变存储器件时，相变膜与抛光停止膜的抛光速度比为100以上。研磨颗粒的一次粒径平均值为1-200nm。比表面积的平均值为10-500m / g。

4. 发明授权

KR101279971B1 구리 배리어층 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법, 및 그 연마방법에 의해 제조된 반도체 소자 有权
标题翻译：用于抛光铜阻挡层的CMP浆料组合物，使用该组合物的研磨方法以及通过该方法表现的半导体器件
公开(公告)号：KR101279971B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020090086869
申请日：2009-09-15
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 연마제, 구리 표면 보호제, 구리표면 부식 억제제, 산화제, 및 pH 조절제를 포함하는 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 연마제는 비구형 콜로이드 실리카이고, 막질별 연마속도 비는 0.80 ~ 1.20인 것임을 특징으로 하는 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물은 배리어 막질인 탄탈륨과 절연층 막질인 실리콘 산화막에 대해서 높은 연마 속도를 가지며, 탄탈륨:산화막:구리에 대한 연마속도 비가 약 1:1:1로 비선택성을 가져 최종 연마 후의 표면 결함을 최소화시킬 수 있으므로 구리 배리어층 연마 공정에 유용하다.
구리, 배리어층, CMP, 슬러리, 비구형 콜로이드 실리카, 구리 표면 보호제, 탄탈륨, 산화막, 연마 속도, 비선택성, 표면 결함

5. 发明授权

KR101279964B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于铜线抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279964B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135814
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 노종일 , 츄호머 , 이태영 , 최병호 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 및 유기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 부식 억제제로 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류, 및 아졸류로 이루어진 그룹에서 선택되는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 구리 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타낼 뿐만 아니라, 낮은 에칭 속도에 의하여 피연마물 표면에서의 디싱(dishing) 현상이 감소되므로, 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 부식 억제제, 연마 속도, 에칭 속도, 디싱 현상
摘要翻译：本发明涉及用于铜布线抛光CMP浆料组合物，更具体地，在CMP浆料组合物，包括去离子水，研磨剂，氧化剂，腐蚀抑制剂，和有机酸，氨，烷基胺，在所述腐蚀抑制剂的酸的氨基酸，本发明涉及一种迁移流动，并且唑基2铜布线抛光其包括使用从包括选择的至少一种化合物的CMP浆料组合物。

6. 发明公开

KR1020120078596A 산화막 ＣＭＰ 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光氧化层的CMP浆料组合物，其制备方法和使用其来抛光氧化物层的方法
公开(公告)号：KR1020120078596A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110136746
申请日：2011-12-16
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김용국 , 홍창기 , 강동헌 , 최병호 , 노현수 , 김태영 , 김형수 , 김종우
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition is provided to improve pattern polishing performance, and to able to reduce abrasion ratio of diamond disks. CONSTITUTION: A CMP slurry composition comprises abrasive, adsorber and water, and has pad cutting ratio of 2-6%. The pad cutting ratio is in chemical formula 1: B/A × 100. In chemical formula 1, A is an initial height of a pad, and B is total sum of a cut amount measured per one hour during total polishing time of 5 hours. A manufacturing method of the CMP slurry composition comprises: a step of manufacturing a mixture for slurry by mixing the abrasive, absorber, and the water, and a step of manufacturing a slurry composition by ultrasonic treatment and/or bead milling treatment of the mixture for slurry.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物以改善图案抛光性能，并且能够降低金刚石圆盘的磨损率。构成：CMP浆料组合物包括研磨剂，吸附剂和水，并且具有2-6％的垫切割率。垫切割率在化学式1中：B / A×100。在化学式1中，A是垫的初始高度，B是在5小时的总抛光时间内每1小时测量的切割量的总和。 CMP浆料组合物的制造方法包括：通过混合研磨剂，吸收剂和水来制备用于浆料的混合物的步骤，以及通过超声处理和/或珠磨处理混合物制备浆料组合物的步骤泥浆。

7. 发明公开

KR1020100080329A 구리 배리어층 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법, 및 그 연마방법에 의해 제조된 반도체 소자 有权
标题翻译：用于抛光铜膜层的CMP浆料组合物，使用该组合物的抛光方法和通过该方法分解的半导体器件
公开(公告)号：KR1020100080329A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020090086869
申请日：2009-09-15
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition for polishing copper barrier is provided to minimize surface defect after final polishing and to ensure high polishing speed. CONSTITUTION: A CMP slurry composition for polishing copper barrier layer contains polishing agent, copper surface protecting agent, copper surface corrosion inhibitor, oxidizer, and pH adjusting agent. The polishing agent is non-spherical colloid silica and the ratio of polishing speed is 0.80-1.20. The non-spherical colloid silica has less than 0.6 of primary particle diameter with respect to secondary particle size.
摘要翻译：目的：提供用于抛光铜屏障的CMP浆料组合物，以最终抛光后的表面缺陷最小化，并确保高抛光速度。构成：用于抛光铜阻挡层的CMP浆料组合物含有抛光剂，铜表面保护剂，铜表面腐蚀抑制剂，氧化剂和pH调节剂。抛光剂为非球形胶体二氧化硅，抛光速度比为0.80-1.20。相对于二次粒径，非球形胶体二氧化硅的初级粒径小于0.6。

8. 发明公开

KR1020090002506A 상변화 메모리 소자 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 无效
标题翻译：相变记忆材料的CMP浆料组合物和使用该相变材料的抛光方法
公开(公告)号：KR1020090002506A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070065877
申请日：2007-06-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
摘要： A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device is provided to improve the polishing speed of a phase change memory device and the polishing selectivity of a phase change memory device and a polishing stop film, and to ensure the polished surface of high quality having low etching rate of a phase change material. A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device comprises hyperpure water, iron or an iron compound and pH adjusting agent. The phase change memory device comprises the metal alloy or chalcogenide. The iron or the iron compound is a compound containing iron within ferrous metal or molecule.
摘要翻译：提供了一种用于抛光相变存储器件的CMP浆料组合物，以改善相变存储器件的抛光速度和相变存储器件和抛光停止膜的抛光选择性，并且确保具有高质量的抛光表面相变材料的低蚀刻速率。用于抛光相变记忆装置的CMP浆料组合物包括超纯水，铁或铁化合物和pH调节剂。相变存储器件包括金属合金或硫族化物。铁或铁化合物是含铁金属或分子中含铁的化合物。

9. 发明公开

KR1020090002503A 상변화 메모리 소자 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 有权
标题翻译：相变记忆材料的CMP浆料组合物和使用该相变材料的抛光方法
公开(公告)号：KR1020090002503A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070065874
申请日：2007-06-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device is provided to improve the polishing speed of a phase change memory device and to realize high polishing selectivity of a polishing stop film and a phase change memory device while minimizing the defection of processing. A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device comprises hyperpure water, nitrogen compounds and oxidizer. The phase change memory device comprises metal alloy or chalcogenide. The nitrogen compounds comprise at least one selected from the group consisting of aliphatic amine, aromatic amine, ammonium salt and ammonium base.
摘要翻译：提供了用于抛光相变存储器件的CMP浆料组合物，以提高相变存储器件的抛光速度，并且在最小化加工缺陷的同时实现抛光停止膜和相变存储器件的高抛光选择性。用于抛光相变记忆装置的CMP浆料组合物包括超纯水，氮化合物和氧化剂。相变存储器件包括金属合金或硫族化物。氮化合物包括选自脂族胺，芳族胺，铵盐和铵碱中的至少一种。

10. 发明公开

KR1020110079563A ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020110079563A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020100139758
申请日：2010-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 김형수 , 최병호 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composition and a polishing method using the same are provided to enhance the polishing efficiency of a patterned oxide film as cerium oxide particles are appropriately adsorbed and to improve lifespan of a diamond disc conditioner. CONSTITUTION: A CMP slurry composition includes cerium oxide particles, an adsorbent for adsorbing the cerium oxide particles to a polishing pad, an adsorption adjusting agent for adjusting the adsorption performance of the adsorbent, and a pH adjusting agent. The adsorbent is a heteroaryl compound having one kind or more of hetero atoms selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and sulfur. The adsorption adjusting agent is nonionic surfactants represented by RO(CH2CH2O)n-R' or RO(CH2CHCH3O)n-R'.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料组合物和使用其的抛光方法，以提高氧化铈颗粒被适当吸附的图案化氧化膜的抛光效率，并提高金刚石盘调节剂的使用寿命。构成：CMP浆料组合物包括氧化铈颗粒，用于将氧化铈颗粒吸附到抛光垫的吸附剂，用于调节吸附剂的吸附性能的吸附调节剂和pH调节剂。吸附剂是具有选自氧，氮和硫的一种以上杂原子的杂芳基化合物。吸附调节剂是由RO（CH2CH2O）n-R'或RO（CH2CHCH3O）n-R'表示的非离子表面活性剂。

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