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1. 发明授权

KR101659144B1 유기막 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 有权
标题翻译：用于有机膜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101659144B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020140045953
申请日：2014-04-17
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 최정민 , 노조,하루키 , 박용순 , 유용식 , 강동헌 , 김고은 , 김태완
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/31058 , H01L21/3212
摘要： 본발명은극성용매, 비극성용매중 하나이상; 및금속산화물연마제를포함하고, 산성이고, 탄소함량이 50 내지 95atom%인유기막을연마하기위한유기막 CMP 슬러리조성물및 이를이용한연마방법에관한것이다.

2. 发明授权

KR101610997B1 구리 연마용 CMP 슬러리 조성물　및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于铜的CMP CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101610997B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020120157623
申请日：2012-12-28
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정정환 , 김원래 , 박용순 , 홍창기 , 김태완 , 노종일
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명의구리연마용 CMP 슬러리조성물은연마입자; 및탈이온수를포함하며, 상기연마입자는양의제타전위를갖는유기입자를포함하는것을특징으로한다.

3. 实用新型

KR2020150003441U 화학적 기계적 연마 후 세정 시스템 无效
标题翻译：后CMP清洁系统
公开(公告)号：KR2020150003441U
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR2020140001861
申请日：2014-03-07
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김고은 , 박용순 , 강동헌
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67046 , B24B37/04
摘要： 본고안은화학적기계적연마(CMP) 후웨이퍼를세정하기위한롤-브러쉬(roll-brush)가구비되고, 상기웨이퍼의공급방향은상기롤-브러쉬의길이방향과수직이며, 상기롤-브러쉬는원통형하우징및 상기하우징외주면에형성된나일론계극미세모를포함하는세정시스템에관한것이다. 상기세정시스템은웨이퍼표면에스크래치를최소화할수 있으며, 세정시오염입자가흡착되지않는세정브러쉬가구비되어공정효율성이우수하다.

4. 发明授权

KR101279965B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于铜线抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279965B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135849
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노종일 , 츄호머 , 김원래 , 이인경 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 유기산, 및 첨가제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 아크릴산-아크릴아미드 공중합체를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.04 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 연마 압력에 따른 구리 배선에 대한 연마 속도비가 크고, 배리어막에 대한 연마 속도가 높으므로 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 연마 속도비, 배리어막, 연마 속도
摘要翻译：更具体地，本发明涉及包含超纯水，研磨剂，氧化剂，腐蚀抑制剂，有机酸和添加剂的CMP浆料组合物，其中所述添加剂是丙烯酸 - 丙烯酰胺共聚物其中CMP浆料组合物的用量为总CMP浆料组合物的0.001-0.04重量％。

5. 发明公开

KR1020120078104A 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光图案波形的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020120078104A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140290
申请日：2010-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 전종선 , 홍창기 , 박용순 , 정영철 , 김동진
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP(chemical mechanical polishing) slurry composition is provided to remove defects like protrusion, stepped height, edge over erosion, scratch, dishing, SEAM stack, erosion, etc in two polishing steps and to improve planarity. CONSTITUTION: A CMP(chemical mechanical polishing) slurry composition comprises abrasive, a Fe(3+) compound or complex compound, a water-soluble polymer, and an amino acid. The abrasive composition has the polishing rate of a tungsten metal layer of 200-600 Å/min, and the polishing rate of an insulating layer is 600-1500 Å/min. The comprised amount of the Fe3+ compound or the complex compound is 0.1-1.5 weight% based on the composition.
摘要翻译：目的：提供CMP（化学机械抛光）浆料组合物，以在两个抛光步骤中去除突起，阶梯高度，边缘过度侵蚀，划痕，凹陷，SEAM叠层，侵蚀等缺陷，并提高平面度。构成：CMP（化学机械抛光）浆料组合物包含研磨剂，Fe（3+）化合物或络合物，水溶性聚合物和氨基酸。磨料组合物的钨金属层的抛光速率为200-600 / min，绝缘层的抛光速率为600-1500 / min。 Fe3 +化合物或络合物的含量相对于组合物为0.1〜1.5重量％。

6. 发明授权

KR100943020B1 상변화 메모리 소자 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组成用于相变记忆材料和抛光方法使用
公开(公告)号：KR100943020B1
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：KR1020070065874
申请日：2007-06-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 상변화 메모리 소자 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 질소화합물, 및 산화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 의하면, 상변화 메모리 소자에 대한 연마 속도를 향상시키고, 상변화 메모리 소자와 실리콘 산화막 등의 연마 정지막에 대한 높은 연마 선택비를 달성함과 동시에, 디싱(Dishing)과 침식(Erosion) 등의 공정 결함을 최소화시켜 고품질의 연마 표면을 제공할 수 있다.
상변화 메모리 소자, CMP 슬러리 조성물, 질소화합물, 산화제, 연마 속도, 연마 선택비, 디싱, 침식

7. 发明公开

KR1020090002501A 상변화 메모리 소자 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 无效
标题翻译：相变记忆材料的CMP浆料组合物和使用该相变材料的抛光方法
公开(公告)号：KR1020090002501A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070065872
申请日：2007-06-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device is provided to improve the polishing speed of a phase change memory device, to ensure high polishing selectivity for a polishing stop film and a phase change memory device and to minimize the processing defection. A CMP slurry composition for polishing a phase change memory device comprises hyperpure water, abrasive particles and nitrogen compounds. The phase change memory device comprises metal alloy or chalcogenide. The abrasive particles comprise one or more metal oxide particles or polymer synthetic particles selected from the group consisting of silica, alumina, ceria and zirconia. The abrasive particles have the first average of 1-200 nm and specific surface area of 10-500 m / g.
摘要翻译：提供了一种用于抛光相变存储器件的CMP浆料组合物，以改善相变存储器件的抛光速度，以确保抛光停止膜和相变存储器件的高抛光选择性，并使加工缺陷最小化。用于抛光相变记忆装置的CMP浆料组合物包括超纯水，磨料颗粒和氮化合物。相变存储器件包括金属合金或硫族化物。研磨颗粒包含一种或多种选自二氧化硅，氧化铝，二氧化铈和氧化锆的金属氧化物颗粒或聚合物合成颗粒。研磨颗粒的平均厚度为1-200nm，比表面积为10-500m 2 / g。

8. 发明授权

KR101566068B1 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101566068B1
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：KR1020130015479
申请日：2013-02-13
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 김용국 , 김동진 , 박용순 , 홍창기
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은 CMP 슬러리조성물및 이를이용한연마방법에관한것이다. 상기 CMP 슬러리조성물은금속산화물입자; 디이소시아네이트화합물; 및초순수를포함하며, 상기디이소시아네이트화합물은양이온성디이소시아네이트화합물및 음이온성디이소시아네이트화합물중에서하나이상포함할수 있다.

9. 发明公开

KR1020130078605A ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译： CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020130078605A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110147630
申请日：2011-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 김동진 , 박용순 , 김용국 , 정영철
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： PURPOSE: A CMP slurry composite and a grinding method thereof are provided to selectively adjust a grinding speed on a wafer surface composed of a convex part and a concave part and to enlarge the nitration film stopping of secondary grinding. CONSTITUTION: A CMP slurry composite includes a metal oxide particle, a diisocyanate compound, and ultrapure water. The metal oxide particle is formed by calcination, flame oxidation, or thermal synthesis. The metal oxide particle is selected from a group composed of a ceria (CeO2) particle, a silica (SiO2) particle, an alumina (AI2O3) particle, a titania (TiO2) particle, and a zirconia (ZrO2) particle. A grinding method includes a step of grinding a semiconductor wafer by using the CMP slurry composite.
摘要翻译：目的：提供CMP浆料复合物及其研磨方法，以选择性地调节由凸部和凹部构成的晶片表面的研磨速度，并扩大二次研磨的硝化膜停止。构成：CMP浆料复合材料包括金属氧化物颗粒，二异氰酸酯化合物和超纯水。金属氧化物颗粒通过煅烧，火焰氧化或热合成形成。金属氧化物颗粒选自由二氧化铈（CeO 2）颗粒，二氧化硅（SiO 2）颗粒，氧化铝（Al 2 O 3）颗粒，二氧化钛（TiO 2）颗粒和氧化锆（ZrO 2）颗粒组成的组。研磨方法包括通过使用CMP浆料复合物研磨半导体晶片的步骤。

10. 发明公开

KR1020120077908A 화학기계적연마 조성물 및 연마 방법 有权
标题翻译： CMP组合物和使用它们的CMP方法
公开(公告)号：KR1020120077908A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140038
申请日：2010-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노종일 , 전종선 , 홍창기 , 박용순 , 김원래 , 김동진
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition is provided to use two or more kinds of organic acids as a complex agent chelating metal oxide oxidized by an oxidizer, thereby improving chemical mechanical polishing flatness. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition comprises 0.01-20.0 weight% of abrasive, 0.01-10.0 weight% of oxidizer, 0.001-10.0 weight% of corrosion inhibitor, 0.1-10.0 weight% of complex agent in which two or kinds of dicarboxylic acids are mixed, and 50-99 weight% of de-ionized water. The complex agent comprises two kinds of dicarboxylic acid of which dissociation constant(pKa) is 4 or less. The complex agent is added by mixing malic acid and malonic acid with the weight ratio of 1:1-0.7:0.3. The composition has pH of 2-6.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光组合物，使用两种或多种有机酸作为由氧化剂氧化的螯合金属氧化物的复合剂，从而改善化学机械抛光平整度。构成：化学机械抛光组合物包含0.01-20.0重量％的研磨剂，0.01-10.0重量％的氧化剂，0.001-10.0重量％的缓蚀剂，0.1-10.0重量％的二种或两种二羧酸为混合，50-99重量％的去离子水。复合剂包含解离常数（pKa）为4以下的二种二羧酸。通过以1:1-0.7:0.3的重量比混合苹果酸和丙二酸来加入络合剂。组合物的pH为2-6。

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