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1. 发明公开

KR1020130008008A 상층막 형성용 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：表面层成膜组合物和耐蚀图案形成方法
公开(公告)号：KR1020130008008A
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020127020339
申请日：2011-03-23
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 구사비라키,가즈노리 , 하야마,다카히로 , 스기에,노리히코 , 시마,모토유키 , 다나카,기요시
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/265 , H01L21/0273
摘要： 알칼리성 수용액에 가용이고 또한 불소 원자를 함유하는 수지 (A)와, 101.3kPa에서의 비점이 150℃ 이상이고 또한 정적 표면 장력이 23.0mN/m 이하인 용제 (B1)을 함유하는 용제 성분 (B)를 포함하고, 포토레지스트막 상에 상층막을 피복 형성하기 위해서 이용되는 상층막 형성용 조성물을 제공한다.

2. 发明授权

KR101426116B1 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101426116B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020107006497
申请日：2008-09-10
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 고노,다이타 , 스기에,노리히코 , 와카마츠,고지 , 나츠메,노리히로 , 니시무라,유키오 , 스기우라,마코토
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본 발명의 목적은 워터마크 결함이나 용해 잔류 결함 등의 액침 노광 공정에서 유래하는 결함의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 상층막을 형성할 수 있는 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 상층막 형성용 조성물은 수지 성분과 용제를 포함하는 것이며, 수지 성분으로서, 화학식 (1-1) 내지 (1-3)으로 표시되는 반복 단위 중 1종 이상과, 화학식 (2-1) 및 (2-2)로 표시되는 반복 단위 중 하나 이상을 함유하는 수지 (A)를 포함한다.

[식 중, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
2 및 R
3 은 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 탄소수 4 내지 12의 지환식의 알킬렌기를 나타내고, R
4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
5 는 단결합, 메틸렌기, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타냄]

3. 发明授权

KR101367502B1 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：上层膜形成组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR101367502B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020127003927
申请日：2010-09-15
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 스기에,노리히코 , 구사비라키,가즈노리 , 다나카,기요시 , 시마,모토유키 , 야마구치,요시카즈
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본 발명은 (A) 현상액에 가용인 수지와, (B) 101.3 kPa에서의 비점이 180 내지 280 ℃이고, 20 ℃에서의 증기압이 0.001 내지 0.1 kPa인 (B1) 용제를 1 내지 15 질량％ 함유하는 용제 성분을 포함하고, 포토레지스트막 위에 상층막을 피복 형성하기 위해 사용되는 상층막 형성 조성물을 제공한다.

4. 发明授权

KR101433565B1 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成上层暴露的上层膜的组合物，用于浸没曝光的上层膜和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR101433565B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020147006572
申请日：2008-09-10
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 고노,다이타 , 스기에,노리히코 , 와카마츠,고지 , 나츠메,노리히로 , 니시무라,유키오 , 스기우라,마코토
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본 발명의 목적은 워터마크 결함이나 용해 잔류 결함 등의 액침 노광 공정에서 유래하는 결함의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 상층막을 형성할 수 있는 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 상층막 형성용 조성물은 수지 성분과 용제를 포함하는 것이며, 수지 성분으로서, 화학식 (1-1) 내지 (1-3)으로 표시되는 반복 단위 중 1종 이상과, 화학식 (2-1) 및 (2-2)로 표시되는 반복 단위 중 하나 이상을 함유하는 수지 (A)를 포함한다.

[식 중, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
2 및 R
3 은 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 탄소수 4 내지 12의 지환식의 알킬렌기를 나타내고, R
4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
5 는 단결합, 메틸렌기, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타냄]

5. 发明公开

KR1020140037976A 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成浸没上层膜的组合物和用于形成浸没上层膜和光致抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR1020140037976A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020147006572
申请日：2008-09-10
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 고노,다이타 , 스기에,노리히코 , 와카마츠,고지 , 나츠메,노리히로 , 니시무라,유키오 , 스기우라,마코토
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본 발명의 목적은 워터마크 결함이나 용해 잔류 결함 등의 액침 노광 공정에서 유래하는 결함의 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 상층막을 형성할 수 있는 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 상층막 형성용 조성물은 수지 성분과 용제를 포함하는 것이며, 수지 성분으로서, 화학식 (1-1) 내지 (1-3)으로 표시되는 반복 단위 중 1종 이상과, 화학식 (2-1) 및 (2-2)로 표시되는 반복 단위 중 하나 이상을 함유하는 수지 (A)를 포함한다.

[식 중, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
2 및 R
3 은 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 탄소수 4 내지 12의 지환식의 알킬렌기를 나타내고, R
4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
5 는 단결합, 메틸렌기, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타냄]
摘要翻译：本发明的一个目的是水印缺陷或在液浸曝光液浸组合物溶解的残留缺陷和浸没用于上层膜可以形成能够抑制从工艺造成的缺陷的发生有效地上层膜，上层膜与抗蚀剂图案以及用于形成其的方法。对于本发明的膜形成的上层组合物包括树脂成分和溶剂，以及作为树脂组分，由通式（1-1）表示的重复单元中的至少一个，以（1-3），式（2-1 （A）含有至少一种由下式（1）和（2-2）表示的重复单元。

6. 发明授权

KR101839631B1 상층막 형성용 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101839631B1
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR1020127020339
申请日：2011-03-23
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 구사비라키,가즈노리 , 하야마,다카히로 , 스기에,노리히코 , 시마,모토유키 , 다나카,기요시
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 알칼리성수용액에가용이고또한불소원자를함유하는수지 (A)와, 101.3kPa에서의비점이 150℃이상이고또한정적표면장력이 23.0mN/m 이하인용제 (B1)을함유하는용제성분 (B)를포함하고, 포토레지스트막상에상층막을피복형성하기위해서이용되는상층막형성용조성물을제공한다.

7. 发明公开

KR1020120037991A 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：上层膜形成组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020120037991A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020127003927
申请日：2010-09-15
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 스기에,노리히코 , 구사비라키,가즈노리 , 다나카,기요시 , 시마,모토유키 , 야마구치,요시카즈
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/2041 , H01L21/0274
摘要： An upper layer film-forming composition includes a resin and a solvent component. The resin is soluble in a developer. The solvent component includes first solvent which has a boiling point of 180 to 280° C. at 101.3 kPa and a vapor pressure of 0.001 to 0.1 kPa at 20° C. The upper layer film-forming composition is used to form an upper layer film on a photoresist film.

8. 发明公开

KR1020100068261A 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成上层暴露的上层膜的组合物，用于浸没曝光的上层膜和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020100068261A
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020107006497
申请日：2008-09-10
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 고노,다이타 , 스기에,노리히코 , 와카마츠,고지 , 나츠메,노리히로 , 니시무라,유키오 , 스기우라,마코토
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/38 , H01L21/0274
摘要： A composition for forming an upper layer film for immersion exposure. It can form an upper layer film effectively inhibited from developing defects through an immersion exposure process, such as a watermark defect and dissolution residue defect. Also provided are an upper layer film for immersion exposure and a method of forming a resist pattern. The composition for forming an upper layer film comprises a resin ingredient and a solvent. The resin ingredient comprises a resin comprising at least one kind of repeating units selected among those represented by the formulae (1-1) to (1-3) and at least either of the two kinds of repeating units represented by the formulae (2-1) and (2-2). (1-1) (1-2) (1-3) (2-1) (2-2). [In the formulae, Rrepresents hydrogen or methyl; Rand Reach represents methylene, linear or branched Calkylene, or alicyclic Calkylene; Rrepresents hydrogen or methyl; and Rrepresents a single bond, methylene, or linear or branched Calkylene]
摘要翻译：一种用于形成浸渍曝光用上层膜的组合物。可以通过浸没曝光工艺（如水印缺陷和溶解残留缺陷）形成上层膜，从而有效抑制显影缺陷。还提供了用于浸渍曝光的上层膜和形成抗蚀剂图案的方法。用于形成上层膜的组合物包括树脂成分和溶剂。树脂成分包含由式（1-1）〜（1-3）表示的重复单元中选出的至少一种重复单元和由式（2-1）表示的两种重复单元中的至少一种的树脂， 1）和（2-2）。（1-1）（1-2）（1-3）（2-1）（2-2）。 [式中，R代表氢或甲基; Rand Reach表示亚甲基，直链或支链C亚烷基或脂环族C亚烷基; 表示氢或甲基; 并且R表示单键，亚甲基或直链或支链C亚烷基]

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