基本信息:
- 专利标题： 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법
- 专利标题（英）：Composition for forming upper layer film for immersion exposure, upper layer film for immersion exposure, and method of forming photoresist pattern
- 专利标题（中）：用于形成浸没上层膜的组合物和用于形成浸没上层膜和光致抗蚀剂图案的方法
- 申请号：KR1020147006572 申请日：2008-09-10
- 公开(公告)号：KR1020140037976A 公开(公告)日：2014-03-27
- 发明人： 고노,다이타 , 스기에,노리히코 , 와카마츠,고지 , 나츠메,노리히로 , 니시무라,유키오 , 스기우라,마코토
- 申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 申请人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 제이에스알 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： *-*-*, Higashi-Shinbashi, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 장수길; 김성완; 이석재
- 优先权： JPJP-P-2007-250080 2007-09-26
- 国际申请： PCT/JP2008/066351 2008-09-10
- 国际公布： WO2009041270 2009-04-02
- 主分类号： G03F7/11
- IPC分类号： G03F7/11 ; G03F7/38 ; H01L21/027
[식 중, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
2 및 R
3 은 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기, 또는 탄소수 4 내지 12의 지환식의 알킬렌기를 나타내고, R
4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R
5 는 단결합, 메틸렌기, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타냄]
An object of the present invention is a watermark defects or melting immersion upper layer film forming composition capable of forming a top layer which can effectively be suppressed defects of that comes from the liquid immersion lithography process, such residual defects and the immersion upper layer film and the resist pattern to provide a forming method. As an upper layer film forming composition is the resin component and the resin component will comprises the solvent of the present invention, the formula (1-1) to (1-3) and to at least one of the repeating unit represented formula (2-1 ) and a resin (a) containing one or more of the repeating unit represented by the formula (2-2).
[Wherein, R
1 is a hydrogen atom or a methyl group, R
2 and R
3 represents a methylene group, having 2 to 6 carbon straight or branched alkylene group, or an alkylene group of aliphatic 4 to 12 carbon atoms , R
4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R
5 represents a single bond, methylene group, or 2 to 6 carbon atoms straight chain or branched alkylene group of the ground;
公开/授权文献:
- KR101433565B1 액침용 상층막 형성용 조성물 및 액침용 상층막 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 公开/授权日：2014-08-27