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1. 发明授权

KR102204751B1 클러스터 레벨에서의 데이터 일관성 모델 및 프로토콜 有权
公开(公告)号：KR102204751B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020160163593
申请日：2016-12-02
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스샤르마,드벤드라 , 쿠마르,모한제이. , 플레이셔,발린티.
IPC分类号： G06F13/16
摘要： 본명세서에서는데이터일관성을제공하기위한장치가설명된다. 장치는글로벌영구메모리를포함한다. 글로벌영구메모리는입/출력(I/O) 시맨틱스및 메모리시맨틱스를포함하는프로토콜을이용하여액세스된다. 장치또한반사메모리영역을포함한다. 반사메모리영역은글로벌영구메모리의일부이며, 복수의노드의각각의노드는반사메모리영역을캐싱불가능한공간으로맵핑한다. 또한, 장치는세마포어메모리를포함한다. 세마포어메모리는실시되는데이터일관성에대한하드웨어지원을제공한다.

2. 发明公开

KR1020170098802A 장애 허용 자동 듀얼 인라인 메모리 모듈 리프레시 审中-实审
标题翻译：容错自动双列直插式内存模块刷新
公开(公告)号：KR1020170098802A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020177014138
申请日：2015-11-24
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 자야쿠마르,사라티 , 쿠마르,모한제이.
IPC分类号： G06F11/14 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0891 , G06F1/32 , G06F1/30 , G11C14/00
CPC分类号： G06F11/1441 , G06F1/30 , G06F1/3275 , G06F11/2015 , G06F12/0246 , G06F12/0638 , G06F12/0891 , G06F2212/205 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C5/04 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C14/0036 , G11C14/0045
摘要： 장애허용자동 DIMM(듀얼인라인메모리모듈) 리프레시또는 ADR에대한방법및 장치가설명된다. 실시예에서, 프로세서는프로세서의하나이상의휘발성버퍼로부터의데이터를저장하기위한비휘발성메모리를포함한다. 프로세서의하나이상의휘발성버퍼로부터의데이터는시스템리셋또는셧다운을야기하는이벤트의발생에응답하여비휘발성메모리로저장된다. 다른실시예들이또한개시되고청구된다.
摘要翻译：描述了用于容错自动DIMM（双列直插存储器模块）刷新或ADR的方法和设备。在一个实施例中，处理器包括用于存储来自处理器的一个或多个易失性缓冲器的数据的非易失性存储器。来自处理器的一个或多个易失性缓冲区的数据存储在非易失性存储器中，以响应导致系统重置或关闭的事件的发生。其他实施例也被公开和要求保护。

3. 发明授权

KR101781769B1 서비스가능한 비휘발성 메모리 모듈들을 인에이블시키는 서버 플랫폼 아키텍처들을 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于服务器平台体系结构的方法和设备，实现可维护的非易失性存储器模块
公开(公告)号：KR101781769B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020167010670
申请日：2013-11-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 지아카스,디미트리오스 , 코우리,바쌈엔. , 쿠마르,모한제이. , 나치무투,무루가사미케이. , 당,티 , 운더리치,러셀제이.
IPC分类号： G06F15/78 , G06F3/06 , G06F13/42 , G06F13/20
CPC分类号： G06F15/7803 , G06F11/1662 , G06F2201/805
摘要： 컴퓨터시스템들에서메모리컴포넌트들의서비싱을용이하게할 수있는서버아키텍처들을구현하는시스템들및 방법들이개시된다. 시스템들및 방법들은시스템메모리및 대용량스토리지, 뿐만아니라펌웨어메모리를위해사용될수 있는비휘발성메모리(NVM)를포함하는비휘발성메모리/스토리지모듈들을사용한다. 각자의 NVM/스토리지모듈들은컴퓨터시스템들의전방또는후방-로딩베이들에수용될수 있다. 시스템들및 방법들은단일, 듀얼, 또는쿼드소켓프로세서들을추가로사용하며, 여기서각각의프로세서가하나이상의메모리및/또는입력/출력(I/O) 채널들에의해전방또는후방-로딩베이들에배치된 NVM/스토리지모듈들중 적어도일부에통신가능하게연결된다. 컴퓨터시스템들의전방또는후방-로딩베이들에수용될수 있는 NVM/스토리지모듈들을사용함으로써, 시스템들및 방법들은종래의서버아키텍처들을구현하는컴퓨터시스템들에서지금까지달성할수 없었던메모리컴포넌트서비스가능성을제공한다.
摘要翻译：用于实现服务器体系结构，可以促进在计算机系统中的存储器组件的维修系统和方法被公开。的系统和方法利用系统存储器和大容量存储的，非易失性存储器/存储模块以及其可被用于固件存储器的非易失性存储器（NVM）。每个NVM /存储模块可以安装在计算机系统的前部或后部装载机架中。装载仓 - 的系统和方法是单，双，或使用添加四接口的处理器，其中每个处理器具有一个或多个存储器和/或输入/输出（I / O）向前或向后由信道并通信地耦合到部署的NVM /存储模块的至少一部分。前或者通过使用NVM /存储模块的可容纳在装载托架中的计算机系统的后面，系统和方法提供了一种存储器组件服务的可能性无法在计算机系统中用于实现常规服务器架构迄今实现。

4. 发明授权

KR101732557B1 메모리에 에러들을 인젝션하기 위한 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR101732557B1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020147008424
申请日：2011-09-29
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 이그자우,티오드로스 , 쳉,카이 , 쿠마르,모한제이. , 바르가스,조세에이. , 잔드히얄라,고피크리쉬나
IPC分类号： G06F11/263
CPC分类号： G06F11/263 , G06F11/3664 , G06F11/3688
摘要： 메모리에에러들을인젝션하기위한장치및 방법이개시된다. 일실시예에서, 전용인터페이스는에러인젝션시스템어드레스레지스터및 에러인젝션시스템어드레스레지스터에결합된에러인젝션마스크레지스터를포함한다. 에러인젝션시스템어드레스레지스터가인입하는기입어드레스와매치되는시스템어드레스를포함하는경우, 에러인젝션마스크레지스터는메모리에에러를출력한다.

5. 发明公开

KR1020100080383A 집적 메모리 제어기의 결함 메모리 디바이스들과의 투과성 동작 인에이블링 失效
标题翻译：使用集成式存储器控制器来透明地处理有缺陷的存储器件
公开(公告)号：KR1020100080383A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020090129726
申请日：2009-12-23
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다타,샤만나엠. , 알렉산더,제임스더블유. , 나투,마헤쉬에스. , 칸나,라훌 , 쿠마르,모한제이.
IPC分类号： G11C11/4078 , G11C11/4074 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C29/50 , G11C5/04 , G11C29/028 , G11C29/46 , G11C29/50016 , G11C29/76 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/5002 , G11C2029/5004 , G11C2029/5606
摘要： PURPOSE: An enabling an integrated memory controller is provided to improve the whole performance by applying a lower refresh rate than a predetermined refresh rate which is defined by a memory module. CONSTITUTION: A system(100) comprises an integrated circuit(102), a DRAM sub system(104), and a memory(106). The integrated circuit comprises a logic controlling the transmission of information to the DRAM sub system. The integrated circuit comprises a processor cores and a logic unit(110). The process core is comprised of one of general process cores and an integrated process cores with graphic processor cores.
摘要翻译：目的：通过应用比由存储器模块定义的预定刷新率更低的刷新率来提供启用集成存储器控制器以提高整体性能。构成：系统（100）包括集成电路（102），DRAM子系统（104）和存储器（106）。集成电路包括控制向DRAM子系统传输信息的逻辑。集成电路包括处理器核心和逻辑单元（110）。过程核心由通用过程核心和具有图形处理器核心的集成过程核心组成。

6. 发明授权

KR101969008B1 영구 메모리에서의 에러 처리 기술 有权
公开(公告)号：KR101969008B1
公开(公告)日：2019-04-15
申请号：KR1020167033503
申请日：2015-05-28
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 쿠마르,모한제이. , 나치무수,무루가사미케이. , 라드,카밀씨.
IPC分类号： G06F11/07 , G09C1/00 , G11C5/04 , G11C29/52 , G11C29/04

7. 发明授权

KR101946458B1 비휘발성 이중 인-라인 메모리 모듈을 위한 제어기와 통신하기 위한 기법들 有权
公开(公告)号：KR101946458B1
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：KR1020167033687
申请日：2015-05-28
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 자야쿠마르,사라티 , 쿠마르,모한제이. , 브룩스,아담제이. , 베르기스,조지
IPC分类号： G06F9/44 , G06F11/14

8. 发明授权

KR101761044B1 메모리 채널 셧다운에 의한 전력 절약 有权
标题翻译：通过内存通道关闭节能
公开(公告)号：KR101761044B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020157033114
申请日：2011-12-22
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 나치무쓰,무루가사미케이. , 쿠마르,모한제이.
IPC分类号： G06F1/32 , G06F12/08 , G06F12/10
CPC分类号： G06F1/3275 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/0647 , G06F3/0685 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0888 , G06F12/1027 , G06F2212/1028 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/60 , Y02D10/13 , Y02D10/14
摘要： 더낮은전력상태로진입할것을결정하는단계및 그에응답하여컴퓨터시스템내의메모리채널을셧다운하고그 후상기컴퓨터시스템내의다른메모리채널들이활성상태로유지되어상기메모리채널이셧다운되는동안컴퓨터가동작가능하게유지하는단계를포함하는방법이기재된다.
摘要翻译：确定进入较低功率状态并响应于此而关闭计算机系统中的存储器通道，然后使计算机可操作，同时计算机系统中的其他存储器通道保持活动状态，使得存储器通道关闭该方法包括以下步骤：

9. 发明公开

KR1020160055938A 서비스가능한 비휘발성 메모리 모듈들을 인에이블시키는 서버 플랫폼 아키텍처들을 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：使用可维修非易失性存储器模块的服务器平台架构的方法和设备
公开(公告)号：KR1020160055938A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020167010670
申请日：2013-11-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 지아카스,디미트리오스 , 코우리,바쌈엔. , 쿠마르,모한제이. , 나치무투,무루가사미케이. , 당,티 , 운더리치,러셀제이.
IPC分类号： G06F15/78 , G06F3/06 , G06F13/42 , G06F13/20
CPC分类号： G06F15/7803 , G06F11/1662 , G06F2201/805
摘要： 컴퓨터시스템들에서메모리컴포넌트들의서비싱을용이하게할 수있는서버아키텍처들을구현하는시스템들및 방법들이개시된다. 시스템들및 방법들은시스템메모리및 대용량스토리지, 뿐만아니라펌웨어메모리를위해사용될수 있는비휘발성메모리(NVM)를포함하는비휘발성메모리/스토리지모듈들을사용한다. 각자의 NVM/스토리지모듈들은컴퓨터시스템들의전방또는후방-로딩베이들에수용될수 있다. 시스템들및 방법들은단일, 듀얼, 또는쿼드소켓프로세서들을추가로사용하며, 여기서각각의프로세서가하나이상의메모리및/또는입력/출력(I/O) 채널들에의해전방또는후방-로딩베이들에배치된 NVM/스토리지모듈들중 적어도일부에통신가능하게연결된다. 컴퓨터시스템들의전방또는후방-로딩베이들에수용될수 있는 NVM/스토리지모듈들을사용함으로써, 시스템들및 방법들은종래의서버아키텍처들을구현하는컴퓨터시스템들에서지금까지달성할수 없었던메모리컴포넌트서비스가능성을제공한다.

10. 发明公开

KR1020140057369A 메모리에 에러들을 인젝션하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：将错误注入记忆的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140057369A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020147008424
申请日：2011-09-29
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 이그자우,티오드로스 , 쳉,카이 , 쿠마르,모한제이. , 바르가스,조세에이. , 잔드히얄라,고피크리쉬나
IPC分类号： G06F11/263
CPC分类号： G06F11/263 , G06F11/3664 , G06F11/3688
摘要： 메모리에 에러들을 인젝션하기 위한 장치 및 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 전용 인터페이스는 에러 인젝션 시스템 어드레스 레지스터 및 에러 인젝션 시스템 어드레스 레지스터에 결합된 에러 인젝션 마스크 레지스터를 포함한다. 에러 인젝션 시스템 어드레스 레지스터가 인입하는 기입 어드레스와 매치되는 시스템 어드레스를 포함하는 경우, 에러 인젝션 마스크 레지스터는 메모리에 에러를 출력한다.

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