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1. 发明公开

KR1019990082206A 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR1019990082206A
公开(公告)日：1999-11-25
申请号：KR1019980705934
申请日：1997-04-23
申请人： 오카무라 수수무 , 이케다 타케시
发明人： 나카니시츄토무 , 오카모토아키라
IPC分类号： H01L23/10
摘要： 기판 상에 형성된 인덕터 도체를 포함하는 반도체 칩이 외부에 대해 끼치는 자기적 영향을 최소한으로 억제하는 것을 목적으로 한다. 기판(1) 상에 인덕터 도체를 포함하는 반도체 칩(2)을 실장하고, 그 실장위치 보다 외측에 복수개의 쓰루 홀(8)을 형성한다. 또한, 기판(1)의 칩 실장면측과, 그 반대 면측과, 쓰루 홀(8) 내부에 실드부재(4)를 형성하고, 이 실드부재(4)에 의해 기판(1)의 양면측에서부터 반도체 칩(2)을 피복한다. 이에 따라, 반도체 칩(2)에 형성된 회로에서 발생되는 자속은 실드부재(4)의 내부를 순환하게 되어 실드부재(4)의 외부로는 누출되지 않게 된다.

2. 发明授权

KR100396629B1 동조회로 失效
公开(公告)号：KR100396629B1
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：KR1019970704378
申请日：1996-01-11
申请人： 이케다 타케시
发明人： 이케다타케시 , 오헤타다타카 , 나카니시츄토무
IPC分类号： H03H11/12
CPC分类号： H03H11/1217 , H03H11/1291 , H03H11/20 , H03H11/481 , H03H11/483 , H03H11/485 , H03H2210/012 , H03H2210/015 , H03H2210/026 , H03H2210/028
摘要： A tuning circuit which has a wide tuning bandwidth. The tuning bandwidth of the tuning frequency can be easily changed. The tuning circuit (1) is composed of two cascade-connected tuning amplifier sections (2 and 3). Each of the sections (2 and 3) is provided with cascade-connected phase-shifting circuits (10C and 30C), a voltage dividing circuit (60), and an adding circuit composed of a feedback resistor (70) and an input resistor (74). Prescribed tuning operation is performed by shifting the phase of a prescribed frequency by 360 DEG by means of the phase shifting circuits (10C and 30C) and setting the open loop gain of a feedback loop at less than (1) when the output of the voltage dividing circuit (60) is feedback. The resistance ratio between the feedback resistor (70) and input resistor (74) of each tuning amplifier section is adjusted in order that the maximum damping of each tuning amplifier section becomes smaller and the tuning bandwidth of each amplifier section becomes wider. Therefore, since the tuning amplifier sections are cascade-connected, the maximum damping is increased and the tuning bandwidth is widened as a whole.
摘要翻译：具有宽调谐带宽的调谐电路。调谐频率的调谐带宽可以很容易地改变。调谐电路（1）由两个级联连接的调谐放大器部分（2和3）组成。每个部分（2和3）设置有级联连接的相移电路（10C和30C），分压电路（60）以及由反馈电阻器（70）和输入电阻器（70）组成的加法电路 74）。规定的调谐操作是通过利用移相电路（10C和30C）将规定频率的相位移动360°并将反馈回路的开环增益设置为小于（1）当电压输出除法电路（60）被反馈。调节每个调谐放大器部分的反馈电阻器（70）和输入电阻器（74）之间的电阻比，以便每个调谐放大器部分的最大阻尼变得更小并且每个放大器部分的调谐带宽变得更宽。因此，由于调谐放大器部分是级联连接的，因此最大阻尼增大，调谐带宽整体变宽。＆lt;图像＆GT;

3. 发明授权

KR100396630B1 동조회로 失效
公开(公告)号：KR100396630B1
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：KR1019970704701
申请日：1996-01-11
申请人： 이케다 타케시
发明人： 이케다타케시 , 오헤타다타카 , 나카니시츄토무
IPC分类号： H03H11/04
CPC分类号： H03H11/20 , H03H11/04 , H03H11/1291 , H03H11/481 , H03H11/485
摘要： A tuning circuit which has a wide tuning bandwidth. The tuning bandwidth or the tuning frequency can be easily changed. The tuning circuit (1) is imposed of two cascade-connected tuning amplifier sections (2 and 3). Each of the sections (2 and 3) is provided with cascade-connected phase-shifting circuits (10C and 30C), a noninverting circuit (50), a voltage dividing circuit (160), and an aadding circuit composed of a feedback resistor (70) and an input resistor (74). Prescribed tuning operation is performed by shifting the prescribed frequency 360 DEG by means of the phase shifting circuits (10C and 30C) and setting the open loop gain of a feedback loop at less than 1 when the output of the voltage dividing circuit (160) is feedback. The resistance ratio between the feedback resistor (70) and the input resistor (74) of each section (2, 3) is adjusted so that the maximum damping of each section (2, 3) may become smaller and the tuning bandwidth of each section (2, 3) becomes wider. Therefore, since the two tuning amplifier sections are cascade-connected, the maximum damping is increased and thetuning bandwidth is widened as a whole.
摘要翻译：具有宽调谐带宽的调谐电路。调谐带宽或调谐频率可以很容易地改变。调谐电路（1）由两个级联连接的调谐放大器部分（2和3）组成。每个部分（2和3）设置有级联连接的相移电路（10C和30C），非反相电路（50），分压电路（160）以及由反馈电阻器 70）和输入电阻器（74）。当分压电路（160）的输出为低电平时，利用移相电路（10C和30C）移动规定的频率360°并将反馈回路的开环增益设置为小于1来执行规定的调谐操作反馈。调节每个部分（2,3）的反馈电阻器（70）和输入电阻器（74）之间的电阻比，使得每个部分（2,3）的最大阻尼可以变小，并且每个部分（2,3）变宽。因此，由于两个调谐放大器部分是级联连接的，因此最大阻尼增大并且调谐带宽总体上变宽。＆lt;图像＆GT;

4. 发明公开

KR1019980701312A 동조회로 失效
公开(公告)号：KR1019980701312A
公开(公告)日：1998-05-15
申请号：KR1019970704701
申请日：1996-01-11
申请人： 이케다 타케시
发明人： 이케다타케시 , 오헤타다타카 , 나카니시츄토무
IPC分类号： H03H11/04
摘要： 넒은 동조대역폭을 갖고 있으며, 동조대역폭 혹은 동조주파수를 용이하게 변경할 수 있는 동조회로를 제공하는 것을 목적으로 하며, 동조회로(1)는 종속접속된 2개의 동조증폭부(2, 3)로 구성되어 있다. 각 동조증폭부(2, 3)는 종속접속된 이상회로(10C, 30C), 비반전회로(50) 및 분압회로(160)와, 귀환저항(70) 및 입력저항 (74)으로 이루어진 가산회로를 포함하여 구성되어 있으며, 2개의 이상회로(10C, 30C)의 전체에 의해 소정의 주파수에 있어서 360°의 위상 쉬프트가 행하여지며, 분압회로(160)의 출력을 귀환시켰을 때의 귀환루프의 오픈루프 이득을 1 이하로 설정함으로써 소정의 동조동작이 행하여진다. 각 동조증폭부의 귀환저항(70)과 입력저항(74)의 저항비를 조정함으로써 각 동조증폭부의 최대 감쇠량이 적고, 그리고 동조대역폭이 넓어지며, 이와 같은 2개의 동조증폭부를 종속접속함으로써, 전체의 최대 감쇠량이 크고, 그리고 동조대역폭을 넓게 설정할 수 있다.

5. 发明授权

KR100367069B1 반도체장치 失效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100367069B1
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1019980705934
申请日：1997-04-23
申请人： 오카무라 수수무 , 이케다 타케시
发明人： 나카니시츄토무 , 오카모토아키라
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L23/645 , H01L23/3135 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399
摘要： 기판 상에 형성된 인덕터 도체를 포함하는 반도체 칩이 외부에 대해 끼치는 자기적 영향을 최소한으로 억제하는 것을 목적으로 한다. 기판(1) 상에 인덕터 도체를 포함하는 반도체 칩(2)을 실장하고, 그 실장위치 보다 외측에 복수개의 쓰루홀(8)을 형성한다. 또한, 기판(1)의 칩 실장면측과, 그 반대 면측과, 쓰루 홀(8) 내부에 실드부재(4)를 형성하고, 이 실드부재(4)에 의해 기판(1)의 양면측에서부터 반도체 칩(2)을 피복한다. 이에 따라, 반도체 칩(2)에 형성된 회로에서 발생되는 자속은 실드부재(4)의 내부를 순환하게 되어 실드부재(4)의 외부로는 누출되지 않게 된다.
摘要翻译：其目的是使形成在基板上的半导体芯片的外部的磁性影响最小化，包括电感器导体。包括电感器导体的半导体芯片2安装在基板1上，并且在安装位置的外侧的区域中形成有多个通孔8。屏蔽部件4形成在芯片安装侧和基板1的相反侧以及通孔8中，从而从基板1的两侧将屏蔽部件4覆盖半导体芯片2。因此，从形成在半导体芯片2上的电路不会从屏蔽部件4泄漏，而是在屏蔽部件4的内部循环。

6. 发明公开

KR1019980701155A 동조회로 失效
标题翻译：通过参考
公开(公告)号：KR1019980701155A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019970704378
申请日：1996-01-11
申请人： 이케다 타케시
发明人： 이케다타케시 , 오헤타다타카 , 나카니시츄토무
IPC分类号： H03H11/12

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