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1. 发明授权

KR100948705B1 초미세 바늘 전극 제조 방법 및 장치 有权
标题翻译：制造超细针电极的方法与应用
公开(公告)号：KR100948705B1
公开(公告)日：2010-03-22
申请号：KR1020070070602
申请日：2007-07-13
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 민병권 , 이상조 , 정재원 , 여강우
IPC分类号： C25D11/04 , H01G9/04 , B82B3/00
摘要： 본 발명은 초미세 바늘 전극 제조 방법 및 장치에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 텅스텐 와이어에 인가되는 전류를 실시간으로 측정하여 그 전류치를 전기화학적 모델에 대입함으로써 현재 텅스텐 와이어의 에칭량을 예측하고 상기 에칭량을 기준으로 텅스텐 와이어의 담금깊이를 조절함으로써, 원하는 형상의 초미세 바늘 전극의 제조가 가능한 초미세 바늘 전극 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.
이를 위해,
(a) 텅스텐 와이어를 전해질 용액에 입수시키는 단계;
(b) 상기 텅스텐 와이어에 (+) 전극을, 전해질 용액에 (-) 전극을 연결하여 전압을 인가하는 단계;
(c) 상기 전해질 용액에 흐르는 전류값을 측정하는 단계;
(d) 텅스텐 와이어의 반경을 예측하는 단계;
(e) 텅스텐 와이어의 추출 길이를 계산하는 단계;
(f) 상기 계산된 추출 길이만큼 텅스텐 와이어를 이동시키는 단계;
(g) 상기 (c) 단계에서 측정된 전류값이 설정값보다 크거나 같아질 때까지 (c) 단계부터 (f) 단계까지 반복하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초미세 바늘 전극 제조 방법 및 장치를 제공한다.
초미세 바늘 전극, 형상 정밀제어, 실시간, 텅스텐 와이어, 에칭, 전기화학적 모델.

2. 发明授权

KR100787536B1 미세구조물의 ＦＩＢ(ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍ)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 ＦＩＢ가공방법 및 ＦＩＢ를 이용한 미세구조물 가공장치 失效
标题翻译：用于制造微结构的薄膜离子束制造误差数据的方法，使用错误减少数据的微结构的FIB制造方法和用于微结构的FIB制造的系统的方法
公开(公告)号：KR100787536B1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020060046074
申请日：2006-05-23
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경석 , 정재원 , 민병권 , 이상조 , 이희원
IPC分类号： G06F19/00 , G06Q50/04 , H01J37/305
摘要： 본 발명은 미세구조물의 집속이온빔(Focused Ion Beam:이하 FIB라 한다) 가공시의 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, FIB를 이용하여 미세구조물을 가공하고, 재부착에 의해 발생하는 가공오차에 대한 보정데이터를 생성하며, 그 가공오차 보정데이터를 이후의 가공에 적용하여 한번에 효과적으로 목표한 형상을 가공하게 할 수 있는, 미세구조물의 FIB 가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법, 가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 FIB 가공방법 및 FIB를 이용한 미세구조물 가공장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, FIB 가공 후, 화상처리기법을 이용하여 재부착된 재료형태를 정확히 측정하고, 이에 따른 FIB 수정가공을 행하는 제어 알고리즘을 통하여, 재부착에 의한 가공오차 보정데이터를 산출하고, 이에 따라 향후 대량생산 시에는 상기 보정데이터를 이용한 FIB 가공으로써, 고가의 가스(gas)를 이용할 필요없이, 의도했던 정확한 형상으로 다양한 재료의 미세구조물에 대하여 효율적인 가공을 할 수 있다.
집속이온빔, 미세구조물 가공, 가공오차 보정

3. 发明公开

KR1020070113352A 미세구조물의 ＦＩＢ(ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍ)가공시 가공오차 보정데이터의 산출방법,가공오차 보정데이터를 적용한 미세구조물의 ＦＩＢ가공방법 및 ＦＩＢ를 이용한 미세구조물 가공장치 失效
标题翻译：用于在FIB（聚焦离子束）中制造误差数据的方法微结构的制造，使用错误减少数据的微结构的FIB制造方法和用于FIB制造微结构的系统的方法
公开(公告)号：KR1020070113352A
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020060046074
申请日：2006-05-23
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경석 , 정재원 , 민병권 , 이상조 , 이희원
IPC分类号： G06F19/00 , G06Q50/04 , H01J37/305
CPC分类号： G06F19/00 , G06Q50/04 , H01J37/3056
摘要： A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure, a method for the FIB fabrication of the micro structure using the error correction data, and an apparatus for the FIB fabrication of the micro structure applying the error correction data are provided to measure accurately a shape of re-deposited material by using image processing technique after the FIB fabrication and produce the error correction data by re-deposition through a control algorithm, and perform the FIB fabrication by using the error correction data in next mass production, thereby enabling the efficient processing of the micro structure of various materials with an intended shape without using expensive gas. A method for producing error correction data in the FIB fabrication of a micro structure comprises the following steps of: initializing an error cumulative value(302); irradiating FIB(Focused Ion Beam) which can be processed as much as an intended pocket depth for the micro structure(308,309); measuring depth from the surface of material before processing to the surface of material re-deposited within the pocket and a value that is a deduction from the pocket depth to the processing depth(311); progressing a next process when the re-deposition error is within a set permitted limit and repeating processes from the second process after adding the re-deposition error to the error cumulative value when the re-deposition error is not within the set permitted limit(315); and storing a value, which is a sum of the error cumulative value for the micro structure and the pocket depth, as the error correction data(316).
摘要翻译：提供了微结构的FIB制造中的纠错数据的制造方法，使用误差校正数据的微结构的FIB制造方法以及应用误差校正数据的微结构的FIB制造装置通过FIB制作后的图像处理技术精确测量再沉积材料的形状，并通过控制算法进行再沉积生成误差校正数据，并通过使用后续批量生产中的纠错数据进行FIB制作，从而能够在不使用昂贵的气体的情况下以期望的形状有效地处理各种材料的微结构。在微结构的FIB制造中产生纠错数据的方法包括以下步骤：初始化误差累积值（302）; 照射可以处理微结构（308,309）的预期袋深度的FIB（聚焦离子束）; 测量从处理前的材料表面到再次沉积在口袋内的材料的表面的深度以及从凹穴深度到加工深度（311）的扣除值; 当重新沉积误差在设定的允许极限内时，当重新沉积误差在设定的允许极限内时进行下一个处理，并且当重新沉积误差不在设定的允许极限内时，将重新沉积误差加到重新沉积误差之后重复来自第二过程的处理（315 ）; 并将作为微结构的误差累积值和凹坑深度的和的值存储为纠错数据（316）。

4. 发明公开

KR1020090007025A 초미세 바늘 전극 제조 방법 및 장치 有权
标题翻译：制造超细针电极的方法和装置
公开(公告)号：KR1020090007025A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：KR1020070070602
申请日：2007-07-13
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 민병권 , 이상조 , 정재원 , 여강우
IPC分类号： C25D11/04 , H01G9/04 , B82B3/00
CPC分类号： C25D11/34 , C25D21/12 , H01G9/042
摘要： A method and an apparatus for manufacturing a hyperfine needle electrode are provided to easily manufacture a hyperfine needle electrode of a desired shape without performing a plurality of tests, and to manufacture a plurality of hyperfine needle electrodes using a plurality of the apparatuses formed in a parallel structure. A method for manufacturing a hyperfine needle electrode comprises: a step(S600) of dipping a tungsten wire into an electrolyte solution; a step(S610) of applying a voltage to the electrodes after connecting a positive electrode to the tungsten wire and connecting a negative electrode to the electrolyte solution; a step(S630) of measuring a current value flowing to the electrolyte solution; a step(S650) of predicting a radius of the tungsten wire; a step(S660) of calculating a drawing length of the tungsten wire; a step(S670) of moving the tungsten wire as long as the calculated drawing length of the tungsten wire; and a step of repeating the step(S630) to the step(S670) until the current value measured in the step(S630) becomes larger than or the same as a set value.
摘要翻译：提供了一种用于制造超细针电极的方法和装置，以便容易地制造所需形状的超细针电极，而不进行多次测试，并且使用并联形成的多个装置制造多个超精细针电极结构体。超细针电极的制造方法包括：将钨丝浸渍到电解液中的工序（S600）在将正极连接到钨丝并将负极连接到电解液之后，向电极施加电压的步骤（S610）测量流向电解液的电流值的步骤（S630）; 预测钨丝的半径的步骤（S650）; 计算钨丝的拉丝长度的步骤（S660）; 只要计算出的钨丝的拉丝长度，就移动钨丝的步骤（S670）以及重复步骤（S630）至步骤（S670）的步骤，直到在步骤（S630）中测量的当前值变得大于或等于设定值。

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