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1. 发明公开

KR1020160123898A 알루미나 기반 광 디퓨저 제조방법 및 이를 통해 제작된 광 디퓨저 有权
标题翻译：由此制造基于氧化铝的光漫射体和光漫射体的制造方法
公开(公告)号：KR1020160123898A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：KR1020150054720
申请日：2015-04-17
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 강구민 , 배규영
IPC分类号： G02B5/02
CPC分类号： G02B1/118 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25D11/26
摘要： 알루미나기반광 디퓨저제조방법및 이를통해제작된광 디퓨저가개시된다. 본발명의실시예에따른광 디퓨저제조방법(S100)은, 산화알루미늄나노와이어어레이를포함하는광 디퓨저를제조하는방법(S100)으로서, a) 알루미늄소재로구성된베이스기판(10)에전해연마를실시하는전해연마단계(S110); b) 베이스기판(10)을양전극에연결하고백금소재로구성된전극기판(20)에음전극을연결한상태로옥살산용액(40)에담근후, 소정크기의전압을인가해베이스기판(10)을양극산화시키는제 1 차양극산화단계(S120); c) 제 1 차양극산화단계(S120)를거친베이스기판(10)을에칭용액(30)에담가식각을실시하는식각단계(S130); d) 식각단계(S130)를거친베이스기판(10)을양전극에연결하고백금소재로구성된전극기판(20)에음전극을연결한상태로옥살산용액(40)에담근후, 소정크기의전압을인가해베이스기판(10)을양극산화시키는제 2 차양극산화단계(S140); 및 e) 제 2 차양극산화단계(S140)를거친베이스기판(10)을인산용액(50)에담가알루미나나노와이어(70) 어레이(array)를형성시키는기공확장단계(S150);를포함하는것을구성의요지로한다.

2. 发明授权

KR101000675B1 표면 플라즈몬 공명을 이용한 나노 스케일 간극 측정장치및 이를 이용한 나노 스케일 간극 측정방법 失效
标题翻译：基于表面等离子体共振和光学纳米尺度间隙感测方法的光学纳米尺度间隙感测装置
公开(公告)号：KR101000675B1
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020080077463
申请日：2008-08-07
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 김재훈 , 이광칠 , 강구민 , 박해성
IPC分类号： G01B11/00 , G01B11/14 , B82Y35/00
摘要： 본 발명은 표면 플라즈몬 공명을 이용한 나노 스케일 간극 측정장치 및 이를 이용한 나노 스케일 간극 측정방법에 관한 것으로, 프리즘(10); 빛의 투과성이 상대적으로 우수한 소재로 구성되어 상기 프리즘(10)에 증착되는 제1금속박막(20); 및 이미징대상물(50)과 0nm이상 수십nm이하에 해당되는 간극을 두고 이격되며, 상기 제1금속박막(20)에 비해 화학적 안정성이 상대적으로 우수한 소재로 구성되어 상기 제1금속박막(20)에 증착되고, 상기 제1금속박막(20)과 함께 30nm이상 60nm이하의 두께를 가지는 금속층을 형성하는 제2금속박막(30);을 포함하여 구성되어, 빛이 특정한 조사각도로 상기 프리즘(10)을 투과하여 상기 제1금속박막(20) 및 제2금속박막(30)에 조사되어 발생되는 표면 전자기파의 상태에 따라 상기 이미징대상물(50)과 제2금속박막(30)간의 간극을 측정하는 것을 기술적 요지로 하여, 표면 플라즈몬 공명을 확대 이미징 기술로서 실질적으로 적용함에 있어서, 이미징대상물의 표면형상을 nm에서 수십nm단위로 정밀하게 이미징 가능하도록 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 나노 스케일 간극 측정장치 및 이를 이용한 나노 스케일 간극 측정방법에 관한 것이다.
표면 플라즈몬 공명, 프리즘, 다중박막, 이미징

3. 发明公开

KR1020100018797A 표면 플라즈몬 공명을 이용한 나노 스케일 간극 측정장치및 이를 이용한 나노 스케일 간극 측정방법 失效
标题翻译：基于表面等离子体共聚焦和光学纳米光栅尺度光栅感测装置的光学纳米光栅传感装置
公开(公告)号：KR1020100018797A
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：KR1020080077463
申请日：2008-08-07
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 김재훈 , 이광칠 , 강구민 , 박해성
IPC分类号： G01B11/00 , G01B11/14 , B82Y35/00
摘要： PURPOSE: An optical nanometer scale gap sensing device based on surface plasmon resonance and an optical nanometer scale gap sensing method using the same are provided to improve the precision and reliability of reading and writing by sensing or controlling the distance between a pick-up head and an optical disk. CONSTITUTION: An optical nanometer scale gap sensing device comprises a prism(10), a first metal foil film(20), and a second metal foil(30). The light transmits prism at a specific illumination angle. The light which transmits the prism is emitted on the first metal foil and the second metal foil. The optical nanometer scale gap sensing device measures gap between an object(50) to be imaged and the second metal foil according to the state of created surface electro-magnetic wave. A metal layer is formed on the first and the second metal foil.
摘要翻译：目的：提供一种基于表面等离子体共振的光学纳米尺度间隙感测装置和使用其的光学纳米尺度间隙感测方法，以通过感测或控制拾取头与摄像头之间的距离来提高读写的精度和可靠性光盘。构成：光学纳米级间隙感测装置包括棱镜（10），第一金属箔膜（20）和第二金属箔（30）。光以特定的照明角度透射棱镜。透射棱镜的光在第一金属箔和第二金属箔上发射。光学纳米尺度间隙感测装置根据所产生的表面电磁波的状态来测量待成像的物体（50）与第二金属箔之间的间隙。在第一和第二金属箔上形成金属层。

4. 发明授权

KR101783104B1 나노와이어 번들 어레이, 광대역의 초고성능 옵티컬 필름 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101783104B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020150152643
申请日：2015-10-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 강구민 , 배규영
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02B5/0247 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02B5/02 , G02B5/0268 , G02B5/0278 , Y02E10/52 , Y02E10/549 , Y10S977/766
摘要： 본발명의실시예들은광전소자시스템및 광학시스템의광 특성을향상시키기위한옵티컬헤이즈의제어가가능한나노와이어번들어레이, 광대역의초고성능옵티컬필름및 그제조방법을제시한다.

5. 发明授权

KR101745080B1 알루미나 기반 광 디퓨저 제조방법 및 이를 통해 제작된 광 디퓨저 有权
标题翻译：一种用于制造氧化铝基光学漫射器和光学漫射器的方法
公开(公告)号：KR101745080B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020150054720
申请日：2015-04-17
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 강구민 , 배규영
IPC分类号： G02B5/02
CPC分类号： G02B1/118 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25D11/26
摘要： 알루미나기반광 디퓨저제조방법및 이를통해제작된광 디퓨저가개시된다. 본발명의실시예에따른광 디퓨저제조방법(S100)은, 산화알루미늄나노와이어어레이를포함하는광 디퓨저를제조하는방법(S100)으로서, a) 알루미늄소재로구성된베이스기판(10)에전해연마를실시하는전해연마단계(S110); b) 베이스기판(10)을양전극에연결하고백금소재로구성된전극기판(20)에음전극을연결한상태로옥살산용액(40)에담근후, 소정크기의전압을인가해베이스기판(10)을양극산화시키는제 1 차양극산화단계(S120); c) 제 1 차양극산화단계(S120)를거친베이스기판(10)을에칭용액(30)에담가식각을실시하는식각단계(S130); d) 식각단계(S130)를거친베이스기판(10)을양전극에연결하고백금소재로구성된전극기판(20)에음전극을연결한상태로옥살산용액(40)에담근후, 소정크기의전압을인가해베이스기판(10)을양극산화시키는제 2 차양극산화단계(S140); 및 e) 제 2 차양극산화단계(S140)를거친베이스기판(10)을인산용액(50)에담가알루미나나노와이어(70) 어레이(array)를형성시키는기공확장단계(S150);를포함하는것을구성의요지로한다.
摘要翻译：公开了一种制造氧化铝基光学漫射体的方法和由此制成的光学漫射体。用于制造根据本发明（S100）的一个实施例的光学扩散方法是一种用于制造，a）所述研磨输送到基底基板10，其包括氧化铝纳米线阵列的光学扩散器（S100）是由铝制成的方法电解研磨工序（S110）; b）将底部基板10连接到正极，将正极连接到由铂材料制成的电极基板20，将底部基板10浸入草酸溶液40中，第一阳极氧化步骤（S120），用于氧化第一阳极氧化步骤; c）将已经过第一阳极氧化步骤（S120）的基础基板（10）浸入蚀刻溶液（30）中以执行蚀刻的蚀刻步骤（S130） d）将所述蚀刻步骤（S130）粗糙基材10，正电极和浸渍于铂草酸盐溶液后，在电极基板20上的负电极在连接hansangtae 40由材料构成，通过将预定大小的电压对所述基底基板（10）进行阳极氧化的次级阳极氧化步骤（S140）; 以及e）在第二阳极氧化步骤（粗糙基底基板10在磷酸溶液50毛孔扩张步骤浸泡S140）（S150，以形成纳米线的氧化铝70阵列（阵列））;含作为构成的要点。

6. 发明授权

KR101795866B1 나노와이어 번들 어레이, 이를 포함하는 멤브레인, 그 제작방법 및 이를 이용한 증기발생장치 有权
公开(公告)号：KR101795866B1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020150162920
申请日：2015-11-20
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 배규영 , 강구민
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C02F1/02 , F22B1/00 , C02F103/08 , B82Y40/00
CPC分类号： F24S10/80 , C23C14/0005 , C23C14/185 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D1/006 , C25D1/08 , C25D1/22 , C25D11/045 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25F3/20 , D01F9/08 , D06M11/83 , D10B2101/02 , Y02E10/44
摘要： 본발명은나노와이어번들어레이를개시한다. 본발명의일 실시예에의한나노와이어번들어레이는, 표면의적어도일부에금속박막이코팅된다수의나노와이어를포함하는, 일단에서타단으로갈수록상기나노와이어사이의폭이점점줄어드는형상을갖는나노와이어집합체를포함하고, 상기나노와이어집합체는다수개가배열될수 있다.

7. 发明公开

KR1020170059080A 나노와이어 번들 어레이, 이를 포함하는 멤브레인, 그 제작방법 및 이를 이용한 증기발생장치 有权
标题翻译：纳米线束阵列，膜，其制造方法及使用其的蒸汽发生器，包括相同的
公开(公告)号：KR1020170059080A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150162920
申请日：2015-11-20
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 배규영 , 강구민
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C02F1/02 , F22B1/00 , C02F103/08 , B82Y40/00
CPC分类号： F24S10/80 , C23C14/0005 , C23C14/185 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D1/006 , C25D1/08 , C25D1/22 , C25D11/045 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C25F3/20 , D01F9/08 , D06M11/83 , D10B2101/02 , Y02E10/44
摘要： 본발명은나노와이어번들어레이를개시한다. 본발명의일 실시예에의한나노와이어번들어레이는, 표면의적어도일부에금속박막이코팅된다수의나노와이어를포함하는, 일단에서타단으로갈수록상기나노와이어사이의폭이점점줄어드는형상을갖는나노와이어집합체를포함하고, 상기나노와이어집합체는다수개가배열될수 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种纳米线束阵列。根据本发明的一个实施方案中纳米线束阵列，在该表面的至少一部分上的纳米级金属薄膜涂覆朝向从一端的另一端，其包括多个具有一形状的纳米线的更减小，并且纳米线导线之间的宽度并且可以布置多个纳米线集合体。

8. 发明公开

KR1020170050737A 나노와이어 번들 어레이, 광대역의 초고성능 옵티컬 필름 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：纳米线束阵列，宽带超高性能光学薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170050737A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150152643
申请日：2015-10-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김경식 , 강구민 , 배규영
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02B5/0247 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02B5/02 , G02B5/0268 , G02B5/0278 , Y02E10/52 , Y02E10/549 , Y10S977/766
摘要： 본발명의실시예들은광전소자시스템및 광학시스템의광 특성을향상시키기위한옵티컬헤이즈의제어가가능한나노와이어번들어레이, 광대역의초고성능옵티컬필름및 그제조방법을제시한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种能够控制用于改善光电元件系统和光学系统的光学特性的光学雾度的纳米线束阵列，宽带超高性能光学膜及其制造方法。

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