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1. 发明公开

KR1020050084333A 자기 메모리 셀의 어레이, 집적 회로 및 외부 자기장 노출여부 표시 방법 无效
标题翻译：用于磁记忆体的硬件安全装置
公开(公告)号：KR1020050084333A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020057011072
申请日：2003-12-15
申请人： 엔엑스피 비 브이
发明人： 렌센카스-미치엘에이치 , 데니센아드리아누스제이엠 , 람베르트니콜라스
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L23/57 , G11C11/16 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention provides a special structure of magnetic elements, e.g. MRAM elements (10, 11), as a security device (30) for IC's containing magnetic memory cells. The structure may comprise a combination of two or more associated magnetic elements (10, 11) with pre-set anti-parallel magnetization directions. By determining the polarisation directions of the magnetic elements, exposure to an external magnetic field can be detected. Inverse polarisation directions indicate a normal situation, aligned polarisation directions indicate that the MRAM-array has been exposed to an external field. In this way it can be detected whether it has been tried to erase or alter the data stored in the MRAM in an illegal way. The IC can regularly check the resistance of the security system during operation. Upon detection of a field exposure, the IC can erase all MRAM data, or can reset itself or block its functioning.
摘要翻译：本发明提供了一种磁性元件的特殊结构。 MRAM元件（10,11），作为用于包含磁存储器单元的IC的安全装置（30）。该结构可以包括具有预设的反并联磁化方向的两个或更多个相关联的磁性元件（10,11）的组合。通过确定磁性元件的极化方向，可以检测到暴露于外部磁场。反偏振方向表示正常情况，对准偏振方向表示MRAM阵列暴露于外部场。以这种方式，可以检测是否以非法方式擦除或更改存储在MRAM中的数据。 IC可以在运行期间定期检查安全系统的电阻。在检测到场曝光时，IC可以擦除所有的MRAM数据，或者可以自己复位或阻止其功能。

2. 发明公开

KR1020030009287A 자기 메모리 失效
标题翻译： 자기메모리
公开(公告)号：KR1020030009287A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：KR1020027002235
申请日：2001-05-16
申请人： 엔엑스피 비 브이
发明人： 렌센카스-미치엘에이치 , 뤼그록제이코버스제이엠
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/14 , G11C11/15 , Y10T428/325
摘要： 본 발명의 목적은 높은 외부 자계에 대한 자기 메모리의 차폐이다. 자기 메모리(1)는 자기 메모리 소자(2)의 어레이를 포함하는데, 각각의 메모리 소자(3)는 적어도 하나의 자기 재료층(4)을 포함한다. 자기 메모리 소자(3)의 동작은 자기저항 효과에 기초한다. 메모리(1)는 차폐층(14)에 의해 높은 외부 자계에 대해 보호되는데, 이 차폐층은 메모리 소자(3)를 덮는 영역들로 분할된다. 자기 메모리(1)는 차폐층(14)의 영역(5)에 의한 외부 자계의 강한 감쇠로 인해 높은 외부 자계에 의해 소거되지 않는다.
摘要翻译：本发明的目的是防止高磁场对磁存储器的屏蔽。磁存储器（1）包括磁存储元件（2）的阵列，每个存储元件（3）包括至少一个磁性材料层（4）。磁存储元件（3）的操作基于磁阻效应。存储器（1）通过已被分成覆盖存储元件（3）的区域（5）的屏蔽层（14）受到高外部磁场的保护。由于屏蔽层（14）的区域（5）对外部磁场的强烈衰减，磁存储器（1）不会被高外部磁场擦除。

3. 发明授权

KR101063119B1 ＭＲＡＭ 셀의 어레이 및 무허가 판독 방지 방법 有权
公开(公告)号：KR101063119B1
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020057011085
申请日：2003-12-15
申请人： 엔엑스피 비 브이
发明人： 렌센카스-미치엘에이치 , 요켐센로버트
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要： MRAM 셀(12) 내에 저장된 데이터는 권한이 없는 자에 의한 오용(misuse) 또는 판독이 방지되어야 한다. 본 발명은 MRAM 셀(12)이 탬퍼링(tampering)될 때, MRAM 셀(12) 내에 저장된 데이터를 파괴하는 보안 장치(security device)(14)를 구비하는 MRAM 셀(12)의 어레이(10)를 제공한다. 이는 연자성 플럭스 밀폐층(soft-magnetic flux-closing layer)(18)과 결합된 MRAM 어레이(10)에 인접하게 영구 자석(permanent magnet)(16)을 배치하는 것에 의해 이루어질 수 있다. 연자성층(18)이 존재하는 한, 영구 자석(16)으로부터 나오는 자기장 라인(20)은 편향(deviated)되고, 이러한 연자성층(18)을 통해 흐른다. 예를 들면, 역공학(reverse engineering)에 의해 MRAM 어레이(10)가 탬퍼링되고, 플럭스 밀폐층(18)이 제거되면, 플럭스는 더 이상 편향되지 않고, 부근의 MRAM 어레이(10)에 영향을 주어, MRAM 셀(12) 내에 저장된 데이터를 파괴한다.

4. 发明授权

KR100806493B1 자기 메모리 失效
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：KR100806493B1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020027002235
申请日：2001-05-16
申请人： 엔엑스피 비 브이
发明人： 렌센카스-미치엘에이치 , 뤼그록제이코버스제이엠
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/14 , G11C11/15 , Y10T428/325
摘要： The object of the invention is the shielding of a magnetic memory against high external magnetic fields. The magnetic memory (1) comprises an array of magnetic memory elements (2), each memory element (3) including at least one layer of magnetic material (4). The operation of the magnetic memory elements (3) is based on a magnetoresistance effect. The memory (1) is protected against high external magnetic fields by a shielding layer (14), which has been split into regions (5) covering the memory elements (3). The magnetic memory (1) is not erased by high external magnetic fields because of a strong attenuation of the external magnetic field by the regions (5) of the shielding layer (14).

5. 发明公开

KR1020050084339A ＭＲＡＭ 셀의 어레이 및 무허가 판독 방지 방법 有权
标题翻译：用于保护防止篡改的MRAM装置的方法和装置
公开(公告)号：KR1020050084339A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020057011085
申请日：2003-12-15
申请人： 엔엑스피 비 브이
发明人： 렌센카스-미치엘에이치 , 요켐센로버트
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要： Data, stored in MRAM-cells (12) should be protected against misuse or read-out by unauthorised persons. The present invention provides an array (10) of MRAM-cells (12) provided with a security device (14) for destroying data stored in the MRAM-cells (12) when they are tampered with. This is achieved by placing a permanent magnet (16) adjacent the MRAM-array (10) in combination with a soft- magnetic flux-closing layer (18). As long as the soft-magnetic layer (18) is present, the magnetic field lines (20) from the permanent magnet (16) are deviated and flow through this soft-magnetic layer (18). When somebody is tampering with the MRAM-array (10), e.g. by means of reverse engineering, and the flux-closing layer (18) is removed, the flux is no longer deviated and affects the nearby MRAM-array (10), thus destroying the data stored in the MRAM-cells (12).
摘要翻译：存储在MRAM单元（12）中的数据应受到保护，防止未经授权的人员误用或读取。本发明提供了一种具有安全装置（14）的MRAM单元（12）的阵列（10），用于当它们被篡改时，破坏存储在MRAM单元（12）中的数据。这通过将与MRAM阵列（10）相邻的永磁体（16）与软磁通量闭合层（18）组合来实现。只要存在软磁性层（18），来自永磁体（16）的磁场线（20）就会偏离并流过该软磁层（18）。当某人篡改MRAM阵列（10）时，例如，通过逆向工程，并且去除磁通密闭层（18），磁通不再偏离并影响附近的MRAM阵列（10），从而破坏存储在MRAM单元（12）中的数据。

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