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1. 发明授权

KR101942542B1 황-함유 박막 有权
公开(公告)号：KR101942542B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：KR1020167018328
申请日：2014-11-19
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 탕푸 , 기븐스마이클이. , 마스얀빌럼 , 시에치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455

2. 发明公开

KR1020170016310A 유전체 표면들에 대하여 금속 또는 금속성 표면들 상에서의 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：在金属或金属表面上相对于电介质表面的选择沉积
公开(公告)号：KR1020170016310A
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020160099078
申请日：2016-08-03
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 마테로라이야에이치. , 파름엘리나 , 블롬베르그톰이.
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/04 , C23C16/405
摘要： 기판의제2의, 유전체표면에대하여기판의제1 금속또는금속성표면상에물질을선택적으로퇴적하기위한, 또는제2 실리콘산화물표면에대하여기판의제1 금속산화물표면상에금속산화물들을선택적으로퇴적하기위한방법들이제공된다. 상기선택적으로퇴적된물질은예를들어, 금속, 금속산화물, 금속질화물, 금속실리사이드, 금속탄화물및/또는유전체물질일수 있다. 일부실시예들에서, 제1 금속또는금속성표면및 제2 유전체표면을포함하는기판이제1 기상금속할라이드반응물및 제2 반응물과교대로그리고순차적으로접촉된다. 일부실시예들에서, 제1 금속산화물표면및 제2 실리콘산화물표면을포함하는기판이제1 기상금속플루오라이드또는클로라이드반응물및 물과교대로그리고순차적으로접촉된다.
摘要翻译：提供了用于相对于衬底的第二电介质表面选择性地将材料沉积在衬底的第一金属或金属表面上的方法，或用于相对于第二氧化硅选择性地在衬底的第一金属氧化物表面上沉积金属氧化物表面。选择性沉积的材料可以是例如金属，金属氧化物，金属氮化物，金属硅化物，金属碳化物和/或电介质材料。在一些实施方案中，包含第一金属或金属表面和第二电介质表面的基底与第一气相金属卤化物反应物和第二反应物交替且顺序地接触。在一些实施方案中，包含第一金属氧化物表面和第二氧化硅表面的衬底与第一气相金属氟化物或氯化物反应物和水交替且顺序地接触。

3. 发明公开

KR1020150092022A 금속들, 금속 산화물들, 및 유전체들의 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：金属，金属氧化物和电介质的选择性沉积
公开(公告)号：KR1020150092022A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020150017636
申请日：2015-02-04
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 마테로라이야에이치. , 토이스에바 , 니스카넨안티 , 투오미넨마르코 , 후오타리한누 , 포레빌야미제이. , 라이즈마커스아이보
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/285
CPC分类号： B05D3/107 , C23C16/02 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/28 , C23C16/40 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C18/06 , C23C18/1208 , C23C18/1212 , C23C18/1216 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/1245 , H01L21/02639 , H01L21/28562
摘要： 기판의 제 1 표면 위에, 상기 기판의 다른 표면인 제 2 표면에 대하여 선택적으로 물질을 퇴적시키기 위한 방법들이 제공된다. 상기 선택적으로 퇴적된 물질은, 예를 들면, 금속, 금속 산화물, 또는 유전 물질일 수 있다.
摘要翻译：提供了用于在衬底的第一表面和作为衬底的不同表面的第二表面上选择性地沉积材料的方法。选择性沉积的材料是例如金属，金属氧化物或电介质材料。

4. 发明公开

KR1020160098322A 황-함유 박막 审中-实审
标题翻译：含硫的薄膜
公开(公告)号：KR1020160098322A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167018327
申请日：2014-11-19
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 탕푸 , 기븐스마이클이. , 마스얀빌리암 , 시에치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02175 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/02334 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/28264 , H01L29/2203 , H01L29/267 , H01L29/66795 , H01L29/7786 , H01L29/78
摘要： 몇몇양상에서, 금속설파이드박막의형성방법이제공된다. 일부방법에따라, 금속설파이드박막은적어도하나의사이클이교대로그리고순차적으로기판을제1 기상금속반응물및 제2 기상황 반응물과접촉시키는것을포함하는순환식공정으로반응공간에서기판위에증착된다. 몇몇양상에서, 3차원구조물을기판표면상에형성하는방법이제공된다. 몇몇실시형태에서, 방법은기판표면위의금속설파이드박막을형성하는단계및 금속설파이드박막위의캡핑층을형성하는단계를포함한다. 기판표면은고이동도채널을포함할수 있다.
摘要翻译：在一些方面，提供了形成金属硫化物薄膜的方法。根据一些方法，金属硫化物薄膜在循环过程中在反应空间中沉积在基底上，其中至少一个循环包括交替地和顺序地接触基底与第一气相金属反应物和第二气相硫反应物。在一些方面，提供了在衬底表面上形成三维结构的方法。在一些实施方案中，该方法包括在基材表面上形成金属硫化物薄膜，并在金属硫化物薄膜上形成覆盖层。衬底表面可以包括高迁移率通道。

5. 发明公开

KR1020170136457A 유기 막들의 퇴적 审中-实审
标题翻译：有机薄膜的沉积
公开(公告)号：KR1020170136457A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020170068676
申请日：2017-06-01
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 토이스에바이. , 스에모리히데미 , 포레빌리아미제이. , 하우카수비피. , 샤마바룬 , 마스얀빌럼 , 롱리델피너 , 카헬크시슈토프
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C16/04 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02118 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/76834
摘要： 본원에서는유기막들의퇴적을위한공정들이제공된다. 유기막들이퇴적될수 있고, 기판의제1 표면상에상기기판의제2 표면에대하여선택적인퇴적을포함한다. 예를들어, 고분자막들이제1 금속표면상에제2 유전체표면에대하여선택적으로퇴적될수 있다. 상이한층들상의상대적인두께로측정되는선택도는약 50% 또는심지어약 90% 보다높은값이달성된다. 상기선택적으로퇴적된유기막은상기공정을완전하게선택적이게하기위하여식각공정을거칠수 있다. 선택도와무관하게특정한유기막 재료들에대한공정들이또한제공된다. 선택적인유기막들을이용하는마스크응용들이제공된다. 금속침투및/또는탄소제거와같은상기유기막들의퇴적후 변경이또한개시된다.
摘要翻译：本文提供了用于沉积有机膜的工艺。有机膜可以被沉积并且包括在衬底的第一表面上相对于衬底的第二表面的选择性沉积。例如，聚合物膜现在可以选择性地沉积在第一金属表面上的第一电介质表面上。实现了在不同层上的相对厚度测量的约50％或甚至高于约90％的选择性。选择性沉积的有机膜可以经历蚀刻工艺以使该工艺完全选择性。无论选择何种方法，还可提供特定有机薄膜材料的工艺。提供使用选择性有机膜的掩模应用。还公开了有机膜沉积后的变化，例如金属渗透和/或碳去除。

6. 发明公开

KR1020170125740A 소수성 전구체들을 사용한 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：使用疏水性前体进行选择性沉积
公开(公告)号：KR1020170125740A
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020170056542
申请日：2017-05-02
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 팜엘리나 , 스에모리히데미 , 마테로라이야 , 니스카넨안티 , 하우카수비피.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/32
摘要： 물질이기판의제1 표면상에, 제2 유기표면에대하여선택적으로퇴적되는기상퇴적방법들이제공된다. 일부실시예들에서, 상기물질이상기제2 유기표면에대하여상기제1 표면에선택적으로퇴적되도록금속, 반금속또는산화된금속또는반금속과같은제1 표면을포함하는기판이제1 기상소수성반응물및 제2 기상반응물과접촉한다. 상기제2 유기표면은예를들어자기-조립단층, 유도된자기-조립층, 또는폴리이미드, 폴리아미드, 폴리우레아또는폴리스타이렌과같은폴리머를포함할수 있다. 퇴적되는물질은예를들어금속또는금속성물질일수 있다. 일부실시예들에서, 상기물질은 ZrO또는 HfO와같은금속산화물이다. 일부실시예들에서, 상기기상퇴적방법은사이클화학기상퇴적(CVD) 방법또는원자층퇴적(ALD) 방법이다. 일부실시예들에서, 상기물질은약 50%보다크거나, 약 60%보다크거나, 약 70%보다크거나, 약 80%보다크거나, 약 90%보다크거나, 또는약 95%보다큰 선택비를가지며상기제2 표면에대하여상기제1 표면상에퇴적된다.
摘要翻译：提供蒸气沉积方法，其中材料选择性地沉积在基底的第一表面和第二有机表面上。在一些实施方案中，材料比基体2以上，相对于基板包括第一表面，例如金属，准金属或金属氧化物或准金属的第一表面上选择性地沉积现在第一蒸气疏水反应物和表面上的有机并与第二种气体反应物接触。第二有机表面，例如，自组装可以是聚合物，诸如层，或聚酰亚胺，聚酰胺，聚脲或聚苯乙烯组装单层，磁感应。待沉积的材料可以是例如金属或金属材料。在一些实施例中，该材料是金属氧化物，例如ZrO或HfO。在一些实施例中，气相沉积方法是循环化学气相沉积（CVD）方法或原子层沉积（ALD）方法。在一些实施方案中，该材料是大于约50％的小于约95％，或大于约60％，或大于约70％，或大于约80％，或大于约90％，或更大的并且相对于第二表面沉积在第一表面上。

7. 发明公开

KR1020160098323A 황-함유 박막 审中-实审
标题翻译：含硫的薄膜
公开(公告)号：KR1020160098323A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167018328
申请日：2014-11-19
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 탕푸 , 기븐스마이클이. , 마스얀빌럼 , 시에치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/0227 , C23C16/305 , C23C16/45525 , H01L21/02557 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/28264
摘要： 몇몇양상에서, 금속설파이드박막의형성방법이제공된다. 일부방법에따라, 금속설파이드박막은적어도하나의사이클이교대로그리고순차적으로기판을제1 기상금속반응물및 제2 기상황 반응물과접촉시키는것을포함하는순환식공정으로반응공간에서기판위에증착된다. 몇몇양상에서, 3차원구조물을기판표면상에형성하는방법이제공된다. 몇몇실시형태에서, 방법은기판표면위의금속설파이드박막을형성하는단계및 금속설파이드박막위의캡핑층을형성하는단계를포함한다. 기판표면은고이동도채널을포함할수 있다.

8. 发明公开

KR1020160095643A 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：选择性沉积
公开(公告)号：KR1020160095643A
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020160013126
申请日：2016-02-02
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 하우카수비피. , 토이스에바
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/04 , C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/402 , C23C16/45525
摘要： 기판의표면을상이한제 2 표면에대하여선택적으로퇴적시키기위한방법들이제공된다. 예시적인퇴적방법은니켈, 니켈질화물, 코발트, 철, 및/또는티타늄산화물을포함하는물질과같은물질을, H-종결된표면과같은상이한제 2 표면에대하여동일한기판의 SiO표면과같은제 1 표면위에선택적으로퇴적시키는단계를포함할수 있다. 방법들은퇴적에앞서 H-종결들을제공하기위해기판의표면을처리하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：提供了在第二不同表面上选择性地沉积衬底的表面的方法。示例性的沉积方法包括在第二不同表面上的诸如SiO 2表面的第一表面上选择性地沉积诸如包含镍，氮化镍，钴，铁和/或氧化钛的材料的材料，例如相同基底的H封端表面。该方法可以包括在沉积之前处理基底的表面以提供H终止的步骤。

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