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2. 发明公开

KR1020160113994A 역 도통 전력 반도체 디바이스 有权
标题翻译：反向导电功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020160113994A
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020160034475
申请日：2016-03-23
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 로피티스네오피토스 , 우드리아플로린 , 베물라파티우마마헤스와라 , 니스토르율리안 , 아르놀트마르틴 , 보베키얀 , 라히모무나프
IPC分类号： H01L29/87 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/10
CPC分类号： H01L27/1027 , H01L29/0696 , H01L29/0839 , H01L29/41716 , H01L29/7416 , H01L29/744 , H01L29/87
摘要： 역도통전력반도체가제공된다. 이것은복수의다이오드셀들 (312) 및복수의게이트정류성사이리스터 (GCT) 셀들 (32) 을포함한다. 각각의 GCT 셀 (32) 은제 1 캐소드층 (34) 을포함하고, 각각의 GCT 셀 (32) 의제 1 캐소드층 (34) 은베이스층 (35) 에의해서로분리되는적어도 3 개의캐소드층영역들 (34a, 34b) 을포함하고, 제 1 주면 (41) 에평행한평면에대한정사영에있어서, 캐소드층영역들 (34a, 34b) 의각각의영역은그 종축을따르는방향에서의길이및 종축에수직인방향에서의폭 (w, w') 을갖는스트립형상이고, 다이도들셀들 (312) 은적어도혼합부분에서횡방향을 GCT 셀들 (32) 과교번하며, 각각의 GCT 셀 (32) 에서, 그 GCT 셀 (32) 에이웃하는다이오드셀 (312) 다음의 2 개의외부캐소드층영역들 (34b) 의각각의영역의폭 (w') 이그 GCT 셀 (32) 에서의 2 개의외부캐소드층영역들 (34b) 사이의임의의중간캐소드층영역 (34a) 의폭 (w) 보다작다.
摘要翻译：提供反向导通功率半导体。它包括多个二极管单元（312）和多个栅极整流晶闸管（GCT）单元（32）。每个GCT单元（32）包括第一阴极层（34），其中每个GCT单元（32）的第一阴极层（34）包括至少三个阴极层区域（34a，34b），它们彼此分开基底层（35），其中在与所述第一主侧（41）平行的平面上的正交投影中，每个所述阴极层区域（34a，34b）的长度在其纵轴方向上具有长度，并且在垂直于所述纵向轴线的方向上的宽度（w，w'），其中所述二极管单元（312）在至少混合部分中在横向上与所述GCT单元（32）交替，其中在每个GCT单元），与该GCT单元（32）相邻的二极管单元（312）旁边的两个外部阴极层区域（34b）中的每一个的宽度（w'）小于任何中间阴极层（32）的宽度（w）在该GCT单元（32）中的两个外部阴极层区域（34b）之间的区域（34a）。

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