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1. 发明授权

KR101696711B1 티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거를 위한 조성물 有权
标题翻译：氮化钛硬化掩模和蚀刻残留物去除组合物
公开(公告)号：KR101696711B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140183441
申请日：2014-12-18
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 카스틸,주니어,윌리엄잭 , 이나오카,세이지 , 라오,마드우카르바스카라 , 로스,브렌다파이예 , 리,이-치아 , 리우,웬다르 , 첸,티아니우
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/14 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144
摘要： 티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고에칭잔류물을제거하기위한본 발명의수성조성물은용매, 약하게배위된음이온, 아민, 및미량의둘 이상의비-산화성금속이온을포함하는낮은 pH의수성조성물이다. 본발명의수성조성물은비-대기산화제를함유하지않으며, 공기에노출된다. 바이플루오라이드, 또는금속부식억제제가수성조성물에첨가될수 있다. 본발명의시스템및 방법에는티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 에칭잔류물을제거하기위한수성조성물이사용된다.
摘要翻译：用于汽提氮化钛（TiN或TiN x O y）硬掩模和去除蚀刻残渣的水性组合物是包含溶剂，弱配位阴离子，胺和至少两种非氧化痕量金属离子的低pH水性组合物。含水组合物不含非环境氧化剂，并暴露于空气中。可以将氟化物或金属腐蚀抑制剂加入含水组合物中。系统和方法使用水性组合物来剥离氮化钛（TiN或TiN x O y）硬掩模并除去氮化钛（TiN或TiN x O y）蚀刻残余物。

2. 发明授权

KR101277129B1 물-풍부 스트리핑 및 세척 포뮬레이션 및 이를 이용한 방법 有权
标题翻译：水分漂洗和清洁配方及其使用方法
公开(公告)号：KR101277129B1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020100084270
申请日：2010-08-30
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 라오,마두카르바스카라 , 바너지,가우탐 , 위더,토마스마이클 , 리,이-치아 , 리우,웬달 , 우,아이핑
IPC分类号： C11D7/32 , G03F7/42 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/426 , C11D3/0073 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/22 , G03F7/425
摘要： 본 발명은 벌크 포토레지스트, 포스트-에칭 (post-etched) 및 포스트-애쉬된 (post-ashed) 잔여물, Al BEOL (back-end-of-the-line) 인터커넥트 구조로부터의 잔여물뿐 아니라, 오염물을 제거하기 위한 물-풍부 포뮬레이션 및 이를 이용한 방법에 관한 것이다. 상기 포뮬레이션은, 하이드록실아민; 알킬 디하이드록시벤젠 및 하이드록시퀴놀린의 혼합물을 함유한 부식 억제제; 알칸올아민, 수용성 용매 또는 이 둘의 조합; 및 50 중량%이상의 물을 포함한다.

3. 发明公开

KR1020150073108A 티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거를 위한 조성물 有权
标题翻译：氮化钛硬化掩模和蚀刻残留物去除组合物
公开(公告)号：KR1020150073108A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140183441
申请日：2014-12-18
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 카스틸,주니어,윌리엄잭 , 이나오카,세이지 , 라오,마드우카르바스카라 , 로스,브렌다파이예 , 리,이-치아 , 리우,웬다르 , 첸,티아니우
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/14 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , C23F1/14 , H01L21/306
摘要： 티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고에칭잔류물을제거하기위한본 발명의수성조성물은용매, 약하게배위된음이온, 아민, 및미량의둘 이상의비-산화성금속이온을포함하는낮은 pH의수성조성물이다. 본발명의수성조성물은비-대기산화제를함유하지않으며, 공기에노출된다. 바이플루오라이드, 또는금속부식억제제가수성조성물에첨가될수 있다. 본발명의시스템및 방법에는티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 에칭잔류물을제거하기위한수성조성물이사용된다.
摘要翻译：用于汽提氮化钛（TiN或TiN_xO_y）硬掩模的本发明的水性组合物和去除蚀刻残渣是水性组合物，其是低pH的水性组合物，其包括溶剂，阴离子弱配位的胺和较少量的两种或多种非氧化性金属离子。本发明的水性组合物不含有非空气氧化剂，并且暴露于空气中。含水组合物中可以含有氟化物或金属腐蚀控制剂。在本发明的系统和方法中，使用用于剥离氮化钛（TiN或TiN_xO_y）硬掩模的水性组合物和除去（TiN或TiN_xO_y）蚀刻残渣。

4. 发明公开

KR1020120062650A 드라이 필름 제거용 스트립퍼 有权
标题翻译：剥线器用于干膜拆除
公开(公告)号：KR1020120062650A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020120041041
申请日：2012-04-19
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 리우,웬달 , 리,이-치아 , 리아오,아르치 , 라오,마드후칼바스카라 , 에그베,매튜아이. , 쉬우,치민 , 레겐자,마이클월터
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C23G1/20 , G03F7/426
摘要： PURPOSE: A stripper for eliminating a dry film is provided to eliminate etching residue or ashing residue from the surface of a semiconductor device and to improve washing force with respect to the dry film. CONSTITUTION: A stripper for eliminating a dry film includes hydroxyl amine, water, a solvent, a base, a metal corrosion inhibitor, and a bath life expander. The solvent is selected from a group including dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidine, dimethylacetamide, dipropylene glycol monmethyl ether, monoethanolamine, and the mixture of the same. The base is selected from a group including cholinehydroxide, monoethanolamine, tetramethyl ammonium hydroxide, aminoethylethanolamine, and the mixture of the same. The metal corrosion inhibitor is selected form a group including catechol, gallic acid, lactic acid, benzotriazole, and the mixture of the same. The bath life expander is selected from a group including glycerine, propylene glycol, and the mixture of the same.
摘要翻译：目的：提供一种用于消除干膜的剥离器，以消除半导体器件表面的蚀刻残留物或灰化残留物，并提高相对于干膜的洗涤力。构成：用于消除干膜的剥离器包括羟胺，水，溶剂，碱，金属腐蚀抑制剂和浴寿命扩展剂。溶剂选自二甲基亚砜，N-甲基吡咯烷酮，二甲基乙酰胺，二丙二醇单甲基醚，单乙醇胺及其混合物。碱选自氢氧化胆碱，单乙醇胺，四甲基氢氧化铵，氨基乙基乙醇胺及其混合物。金属缓蚀剂选自儿茶酚，没食子酸，乳酸，苯并三唑及其混合物。浴寿命膨胀器选自包括甘油，丙二醇及其混合物的组。

5. 发明公开

KR1020110025609A 물-풍부 스트리핑 및 세척 포뮬레이션 및 이를 이용한 방법 有权
标题翻译：水分漂洗和清洁配方及其使用方法
公开(公告)号：KR1020110025609A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020100084270
申请日：2010-08-30
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 라오,마두카르바스카라 , 바너지,가우탐 , 위더,토마스마이클 , 리,이-치아 , 리우,웬달 , 우,아이핑
IPC分类号： C11D7/32 , G03F7/42 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/426 , C11D3/0073 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/22 , G03F7/425
摘要： PURPOSE: A water-rich stripping and cleaning formulation is provided to stabilize hydroxylamine, to control an Al etching rate, and to remove contaminants from a semiconductor substrate using the same. CONSTITUTION: A water-rich stripping and cleaning formulation comprises: from 1 to 30 % by weight of a component selected from a hydroxylamine, a hydroxylamine salt compound, and mixtures thereof; from 0.1 to 5 % by weight of a corrosion inhibitor containing a mixture of alkyl dihydroxybenzene and hydroxyquinoline; from 5% to 45% by weight of a component selected from an alkanolamine which is miscible with the hydroxylamine, a water-soluble solvent, and mixtures thereof; and at least 50% by weight of water.
摘要翻译：目的：提供一种富含水的汽提和清洁配方以稳定羟胺，控制Al蚀刻速率，并使用该方法从半导体衬底去除污染物。构成：富含水的汽提和清洁制剂包含：1至30重量％的选自羟胺，羟胺盐化合物及其混合物的组分; 含有0.1至5重量％的含有烷基二羟基苯和羟基喹啉的混合物的腐蚀抑制剂; 5重量％至45重量％的选自可与羟胺混溶的链烷醇胺的组分，水溶性溶剂及其混合物; 和至少50重量％的水。

6. 发明授权

KR101384106B1 드라이 필름 제거용 스트립퍼 有权
标题翻译：剥线器用于干膜拆除
公开(公告)号：KR101384106B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120041041
申请日：2012-04-19
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 리우,웬달 , 리,이-치아 , 리아오,아르치 , 라오,마드후칼바스카라 , 에그베,매튜아이. , 쉬우,치민 , 레겐자,마이클월터
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C23G1/20 , G03F7/426
摘要： 본 발명은 히드록실아민; 물; 디메틸설폭시드; N-메틸피롤리딘; 디메틸아세트아미드; 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르; 모노에탄올아민 및 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 용매; 콜린 히드록시드, 모노에탄올아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드; 아미노에틸에탄올아민 및 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 염기; 카테콜, 갈릭산, 락트산, 벤조트리아졸 및 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 금속 부식 억제제; 및 글리세린, 프로필렌 글리콜 및 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 배쓰 라이프 연장제를 포함하는 포토레지스트 스트립퍼 포뮬레이션에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 바람직한 구체예에서 예시된 바와 같이 포뮬레이션을 이용하는 방법에 관한 것이다.

7. 发明公开

KR1020090098740A 구리/낮은 Ｋ 후공정라인 세척을 위한 스트리퍼 无效
标题翻译：铜箔/低K桶清洁剂
公开(公告)号：KR1020090098740A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：KR1020090021621
申请日：2009-03-13
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 리,이-치아 , 리우,웬달 , 리아오,아르치 , 에지베,매튜아이. , 라오,마드후카르바스카라 , 레겐자,마이클월터 , 셰우,치민
IPC分类号： G03F7/34
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/31133
摘要： A chemical stripper formulation, and a method for removing the etching and ashing residue from an electronic device substrate are provided to lower k-shift and to improve cleaning power. A chemical stripper formulation comprises deionized water 90.00 weight%; acetic acid 0.50 weight%; polyethylene glycol 4.40 weight%; dipropylene glycol monomethyl ether 5.00 weight%; and NH4F (40%) 0.10 weight%. The chemical stripper formulation has a pH of 3-9. A stripping method comprises the step of contacting an electronic device substrate with the chemical stripper formulation to remove the etching and ashing residue of the electronic device substrate.
摘要翻译：提供了一种化学汽提器配方，以及用于去除电子器件衬底的蚀刻和灰化残留物的方法以降低k偏移并提高清洁功率。化学汽提器配方包含90.00重量％的去离子水; 乙酸0.50重量％; 聚乙二醇4.40重量％; 二丙二醇单甲醚5.00重量％和NH4F（40％）0.10重量％。化学汽提器配方的pH值为3-9。剥离方法包括使电子器件衬底与化学剥离剂配方接触以除去电子器件衬底的蚀刻和灰化残留物的步骤。

8. 发明公开

KR1020090096369A 드라이 필름 제거용 스트립퍼 无效
标题翻译：剥线器用于干膜拆除
公开(公告)号：KR1020090096369A
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020090019369
申请日：2009-03-06
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 리우,웬달 , 리,이-치아 , 리아오,아르치 , 라오,마드후칼바스카라 , 에그베,매튜아이. , 쉬우,치민 , 레겐자,마이클월터
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C23G1/20 , G03F7/426
摘要： A photoresist stripper formulation, and a method for removing photoresist or the etching or ashing residue from the surface of a semiconductor device are provided to improve the cleaning power to a dry film without stirring and to increase copper conductive line etch rate. A photoresist stripper formulation comprises hydroxylamine; water; a solvent selected from the group consisting of dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidine, dimethylacetamide, dipropylene glycol monomethyl ether, monoethanolamine and their mixture; a base selected from the group consisting of choline hydroxide, monoethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, aminoethylethanolamine and their mixture; a metal corrosion inhibitor selected from the group consisting of catechol, gallic acid, lactic acid, benzotriazole and their mixture; and a bath life extending agent selected from the group consisting of glycerine, propylene glycol and their mixture.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂剥离剂配方以及用于从半导体器件的表面去除光致抗蚀剂或蚀刻或灰化残留物的方法，以改善对干膜的清洁能力而不搅拌和提高铜导线蚀刻速率。光致抗蚀剂剥离剂配方包括羟胺; 水; 选自二甲基亚砜，N-甲基吡咯烷，二甲基乙酰胺，二丙二醇单甲醚，单乙醇胺及其混合物的溶剂; 选自氢氧化胆碱，单乙醇胺，四甲基氢氧化铵，氨基乙基乙醇胺及其混合物的碱的碱; 选自儿茶酚，没食子酸，乳酸，苯并三唑及其混合物的金属腐蚀抑制剂; 以及选自由甘油，丙二醇及其混合物组成的组的浴寿命延长剂。

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