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1. 发明授权

KR102013633B1 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 有权
公开(公告)号：KR102013633B1
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：KR1020130054719
申请日：2013-05-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 박철현 , 류승탁 , 권지욱 , 진동환
IPC分类号： G11C11/56 , G11C13/00

2. 发明公开

KR1020170065039A 비휘발성 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器装置及其数据感测方法
公开(公告)号：KR1020170065039A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150170363
申请日：2015-12-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 신민철 , 류승탁 , 진동환 , 권지욱
IPC分类号： G11C14/00 , G11C13/00 , G11C11/56 , G11C5/14 , G11C7/22
摘要： 본원의제1 발명에따른비휘발성메모리장치는, 전원전압단과메모리셀 노드사이에배치되어상기메모리셀 노드에일정값의기준전류를지속적으로제공하여상기메모리셀 노드에연속전위를인가하는기준전류원; 상기메모리셀 노드에서검출되는노드전위와상기메모리셀 노드에인가하는기준전위를비교하여상기노드전위를상기기준전위에수렴시키는네거티브피드백부; 반도체소자의문턱전압을이용하여상기노드전위를검출하는전위검출부; 상기전위검출부의출력에응답하여상기기준전위를조정하기위한기준치제어신호를생성하는기준치제어부; 및상기기준치제어신호에응답하여상기기준전위를발생시키는기준치발생부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的第一方面的非易失性存储器设备被设置在电源电压级和一个存储单元节点的参考电流源，用于施加连续电压施加到存储单元节点继续提供预定值的基准电流提供给存储器单元节点之间。负反馈部分相比，施加到节点电位到存储器单元节点中的存储单元的节点被检测到的收敛节点电位为基准电位的基准电位; 一种电位检测器，用于使用半导体器件的阈值电压检测节点电位; 基准值控制部，其响应于所述电压检测产生一参考值控制信号用于调整所述参考电势的输出; 及用于响应于所述参考值控制信号产生基准电位的基准值生成部。

3. 发明公开

KR1020140134835A 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 审中-实审
标题翻译：多级存储器件及其数据传感方法
公开(公告)号：KR1020140134835A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130054719
申请日：2013-05-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 박철현 , 류승탁 , 권지욱 , 진동환
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/30 , G11C16/32
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2211/5621
摘要： 본 발명은 메모리 셀에 흐르는 넓은 범위의 전류를 효율적으로, 정확하게, 그리고 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 별도의 승압전압용 회로 없이 메모리 셀에 저장된 멀티 레벨 데이터를 신속하게 검출할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 멀티 레벨 메모리 장치는, 상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로; 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 메모리 셀; 및 상기 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하고, 상기 셀 전류의 크기가 소정의 기준치를 초과하는지의 여부를 검출하는 거친검출부를 포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种能够有效，精确和快速地检测在存储单元中流动的大范围电流的多级存储器件。此外，本发明可以提供一种能够快速检测保存在存储单元中的多电平数据的多电平存储器件，而不需要用于提升电压的单独电路。根据本发明的多级存储器件包括：用于传递不同尺寸的电流的至少两个电流路径; 存储单元，选择性地并且电连接到所述至少两个电流路径; 以及粗略检测单元，其复制在存储单元中流动的单元电流，并检测单元电流的大小是否超过预定的参考值。

4. 发明公开

KR1020160049085A 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 审中-实审
标题翻译：多级存储器件及其数据传感方法
公开(公告)号：KR1020160049085A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140144746
申请日：2014-10-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 류승탁 , 진동환 , 권지욱
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C2013/0054
摘要： 본발명에따르면, 메모리셀에저장된데이터를검출해내는동안셀전류를지속적으로흘릴필요가없고, 메모리셀에저장된데이터의하위비트를결정하는동안다른메모리셀에저장된데이터의상위비트결정동작을수행할수 있는멀티레벨메모리소자를제공한다. 본원의제1 발명에따른멀티레벨메모리소자는, 메모리셀에흐르는셀전류를소정의기준치전류와비교하여복수의상위비트를결정하는상위비트결정부; 상기셀전류를복제한셀복제전류를소정의셀전압으로변환하여저장하는전류/전압변환부; 상기셀전류복제를상기소정의셀전압으로변환하여저장하는충전시간을결정하는충전시간결정부; 및상기충전시간결정부로부터출력되는충전종료신호에대응하여복수의하위비트를결정하는하위비트결정부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明，提供了一种多级存储装置，其中在检测存储在存储单元中的数据期间不需要单元电流的连续流，以及存储在另一存储器中的数据的更高位确定操作在确定存储在存储器单元中的较低有效位的数据的单元中。根据本发明的第一发明的多级存储器件包括：通过将在存储器单元中流动的单元电流与预定参考电流进行比较来确定多个更高有效位的更高有效位确定电路; 电流/电压转换电路，用于将通过将电池电流复制到预定电池电压而获得的复制电池电流来存储转换的电池电压; 充电时间确定电路，用于确定将复制的电池电流转换成预定电池电压并存储转换的电池电压的充电时间; 以及较低有效位确定电路，用于响应于从充电时间确定电路输出的充电结束信号来确定多个较低有效位。

5. 发明授权

KR101905746B1 멀티 레벨 메모리 장치 및 그의 데이터 센싱 방법 有权
公开(公告)号：KR101905746B1
公开(公告)日：2018-10-08
申请号：KR1020120073759
申请日：2012-07-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 류승탁 , 권지욱
IPC分类号： G11C13/00 , G11C11/56
摘要： 본발명은메모리셀에흐르는넓은범위의전류를효율적으로정확하게검출할수 있는저항성메모리장치를제공할수 있다. 본발명의저항성메모리장치는, 상이한크기의전류를통과시키는적어도두개이상의전류경로; 상기적어도두개이상의전류경로와전기적으로선택적으로연결되는저항성메모리셀; 및상기저항성메모리셀에흐르는셀 전류를복제하는셀 전류복제부를포함한다.

6. 发明授权

KR102155060B1 멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법 有权
公开(公告)号：KR102155060B1
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：KR1020140144746
申请日：2014-10-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 류승탁 , 진동환 , 권지욱
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/26

7. 发明公开

KR1020170104061A 온도 보상형 저항성 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：温度补偿电阻式存储器件
公开(公告)号：KR1020170104061A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020160026116
申请日：2016-03-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 윤정혁 , 김택승 , 류승탁 , 진동환 , 권지욱
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/04
摘要： 본발명은오보닉문턱스위치와상이한비교전압을이용하여온도에따른독출데이터의오류를최소화할수 있는온도보상형저항성메모리장치를제공한다. 본발명에따르면, 온도보상형저항성메모리장치는, 다수의저항성메모리셀 - 상기저항성메모리셀은칼코게나이드물질또는오보닉물질을포함함 - 이배치된저항성메모리셀 어레이; 다수의상이한독출용비교전압을출력하도록구성된분압저항부; 외부로부터인가되는스위칭신호에제어되어상기다수의상이한독출용비교전압이나하기먹스를통해출력되는독출용기준전압을상기다수의저항성메모리셀 중적어도일부에출력하는스위칭부; 상기독출용비교전압에의해생성되는독출용비교전류와독출용기준전류를비교하여출력하는센스앰프유닛; 상기센스앰프유닛으로부터출력되는데이터를저장및 출력하는출력데이터저장부; 상기출력데이터저장부로부터출력되는데이터를이용하여상기독출용기준전압을계산하는평균전압계산부; 및상기평균전압계산부로부터출력되는신호에제어되어상기다수의상이한독출용비교전압중 어느하나를선택하는먹스를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种双向阈值开关和在所述温度补偿电阻率，可以根据存储装置的温度最小化的读数据的错误所用的不同的比较电压。根据本发明，温度补偿电阻式存储器装置包括多个电阻式存储单元，所述电阻式存储器单元包括硫族化物材料或双向材料 - yibaechi所述电阻式存储器单元阵列; 分压电阻部分，被配置为输出多个相位的比较电压; 它被控制以从外部切换单元施加用于所述多个服装Handok chulyong比较电压或基准电压，以输出所述开关信号船坞chulyong经由在所述多个电阻式存储单元甚至普遍的一部分的多路复用器输出; 读出放大器单元，用于比较和输出用于读取的比较电流和由用于相位比较的比较器电压产生的用于读取的参考电流; 输出数据存储单元，用于存储和输出从读出放大器单元输出的数据; 平均电压测量单元，用于使用从输出数据存储单元输出的数据来计算用于读出数据的参考电压; 以及由平均电压计输出的信号控制的多路复用器，以选择用于读出多个图像的一个比较电压。

8. 发明公开

KR1020140006544A 멀티 레벨 메모리 장치 및 그의 데이터 센싱 방법 审中-实审
标题翻译：多级存储器及其数据传感方法
公开(公告)号：KR1020140006544A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120073759
申请日：2012-07-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 류승탁 , 권지욱
IPC分类号： G11C7/10 , G11C8/10 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C11/5642 , G11C13/0038 , G11C13/004
摘要： The present invention can provide a resistance memory apparatus capable of effectively detecting a wide-range current flow in a memory cell. The resistance memory apparatus of the present invention comprises two or more current paths which pass differently-sized current; a resistance memory cell selectively connected to the current paths; and a cell current copy unit for copying the cell current flow in the resistance memory cell.
摘要翻译：本发明可以提供能够有效地检测存储单元中的宽范围电流的电阻存储装置。本发明的电阻存储装置包括通过不同尺寸电流的两个或多个电流通路; 选择性地连接到电流路径的电阻存储单元; 以及用于复制电阻存储单元中的电池电流的电池电流复制单元。

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