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1. 发明公开

KR1020100050227A 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 有权
标题翻译： QUARTZ管清洁溶液和使用其清洁的方法
公开(公告)号：KR1020100050227A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109419
申请日：2008-11-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 영창케미칼 주식회사
发明人： 이근수 , 길명군 , 박동수 , 기영종 , 이병국 , 신동국 , 이승훈
IPC分类号： C11D7/10 , C11D11/00 , C11D7/50 , C11D7/08 , C11D1/66 , C11D1/72
CPC分类号： C11D7/10 , C11D1/72 , C11D7/08 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0041 , C11D11/0052 , C11D11/0064
摘要： PURPOSE: A cleaning solution for a quartz tube and a cleaning method using thereof are provided to minimize the surface damage of the quartz tube while uniformly cleaning polysilicon, and to reduce the manufacturing cost of a semiconductor device including thereof. CONSTITUTION: A cleaning solution for a quartz tube contains a halide ammonium salt compound and acid. The halide ammonium salt compound is either NH_4X or NH_4HX_2. X refers to a halogen element. 1~50wt% of halide ammonium salt compound is contained in the cleaning solution. The acid is selected form the group consisting of inorganic acid including nitric acid and phosphoric acid, or an organic acid including acetic acid. A cleaning method using the cleaning solution comprises a step of cleaning the quartz tube with the solution and washing the tube with distilled water.
摘要翻译：目的：提供一种用于石英管的清洁溶液及其使用的清洁方法，以在均匀清洁多晶硅的同时最小化石英管的表面损伤，并降低包括其的半导体器件的制造成本。构成：用于石英管的清洁溶液含有卤化铵盐化合物和酸。卤化铵盐化合物是NH_4X或NH_4HX_2。 X是指卤素元素。 1〜50重量％的卤化铵盐化合物被包含在清洁溶液中。酸选自包括硝酸和磷酸的无机酸或包括乙酸的有机酸组成的组。使用清洁溶液的清洗方法包括用溶液清洗石英管并用蒸馏水洗涤管的步骤。

2. 发明授权

KR101043362B1 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 有权
标题翻译：石英管清洗液及其清洗方法
公开(公告)号：KR101043362B1
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：KR1020080109419
申请日：2008-11-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 영창케미칼 주식회사
发明人： 이근수 , 길명군 , 박동수 , 기영종 , 이병국 , 신동국 , 이승훈
IPC分类号： C11D7/10 , C11D11/00 , C11D7/50 , C11D7/08 , C11D1/66 , C11D1/72
摘要： 본 발명은 석영 튜브 세정액 조성물 및 이를 이용한 석영 튜브 세정 방법에 관한 것으로, 구체적으로 할로겐화 암모늄염 화합물, 극성 유기용매 및 잔량의 산을 포함하며, 선택적으로 계면활성제 및 증류수로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 세정액 조성물을 이용함으로써, 석영 튜브 표면의 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 세정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해, 세정 공정을 수행하는 동안 석영 튜브의 표면 손상을 최소화하여, 석영 튜브를 포함하는 각종 제조 장치의 교체 시기를 늦출 수 있으므로, 반도체 소자 생산 비용을 절감할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020090100070A 반도체 세정 시스템 无效
标题翻译：清洁半导体器件系统
公开(公告)号：KR1020090100070A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：KR1020080025450
申请日：2008-03-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍성목 , 길명군
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67057 , B08B3/12
摘要： PURPOSE: A system for cleaning a semiconductor device is provided to reduce a processing time by configuring a chamber for a wafer cleaning process. CONSTITUTION: In a system for cleaning a semiconductor device, a photo process apparatus(200) includes a scanner(240), a coater(230), an evaporator(220), and a cleaner(260). The scanner projects beam to a wafer and forms a certain pattern, and the coater coats a wafer. The evaporator deposits the material injected into a wafer, and the cleaner unifies the scanner, the coater, and the evaporator into one track. The cleaner washes the foreign material on the wafer by using air bubbles.
摘要翻译：目的：提供一种用于清洁半导体器件的系统，通过配置用于晶圆清洗工艺的腔室来减少处理时间。构成：在用于清洁半导体器件的系统中，照相处理设备（200）包括扫描仪（240），涂布机（230），蒸发器（220）和清洁器（260）。扫描仪将光束投射到晶片并形成一定的图案，并且涂布机涂覆晶片。蒸发器沉积注入晶片的材料，并且清洁器将扫描仪，涂布机和蒸发器组合成一个轨道。清洁剂通过使用气泡洗涤晶片上的异物。

4. 发明公开

KR1020090080395A 자기 조립 패턴용 조성물 및 상기 조성물을 이용한 반도체소자의 미세 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：用于形成自组装图案的组合物和使用其形成半导体器件的精细图案的方法
公开(公告)号：KR1020090080395A
公开(公告)日：2009-07-24
申请号：KR1020080006308
申请日：2008-01-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김명수 , 길명군
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/037
CPC分类号： G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047 , G03F7/037
摘要： A self-assembly pattern composition and a fine pattern forming method for a semiconductor element using the same are provided to form nano-sized fine patterns without the use of photoresists and beam-exposure apparatuses. A self-assembly pattern composition includes a block copolymer, a thermal acid generator and an organic solvent. A method for forming fine patterns comprises the following steps of: coating the self-assembly pattern composition on an etching layer(11) of a substrate; annealing the self-assembly pattern composition to form a first contact hole pattern(13-1); coating a pattern reduction composition(15) on the whole surface of the substrate; baking the pattern reduction composition to form a networking layer(17) on the interface between the first contact hole pattern and pattern reduction composition; and removing the pattern reduction composition to form a second contact hole pattern with smaller pitch than that of the first contact hole pattern.
摘要翻译：提供了使用其的半导体元件的自组装图案组合物和精细图案形成方法以形成纳米尺寸的精细图案而不使用光致抗蚀剂和光束曝光设备。自组装图案组合物包括嵌段共聚物，热酸发生剂和有机溶剂。用于形成精细图案的方法包括以下步骤：将自组装图案组合物涂覆在基底的蚀刻层（11）上; 退火所述自组装图案组合物以形成第一接触孔图案（13-1）; 在基材的整个表面上涂覆图案减少组合物（15）; 烘烤图案减少组合物以在第一接触孔图案和图案减少组合物之间的界面上形成网络层（17）; 以及去除所述图案减少组合物以形成具有比所述第一接触孔图案的间距小的间距的第二接触孔图案。

5. 发明公开

KR1020090036031A 반도체 소자의 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：图形形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090036031A
公开(公告)日：2009-04-13
申请号：KR1020070101119
申请日：2007-10-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김명수 , 길명군
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2059 , G03F7/168 , H01J37/3174 , H01L21/67098 , Y10S430/143
摘要： A pattern formation method of the semiconductor device is provided to transfer the uniform pattern type in the lower part by forming the similar etching selectivity between two materials within the block copolymer. The block copolymer layer for self-assembly is formed on the top of the etched layer(100). The block copolymer layer is baked by performing the bake process. The self-assembly pattern(120') is formed by annealing the block copolymer layer. The self - assembly pattern is hardened by irradiating the electron beam in the same pattern. The block copolymer layer comprises the polymer for self-assembly and organic solvent.
摘要翻译：提供半导体器件的图案形成方法，通过在嵌段共聚物内的两种材料之间形成相似的蚀刻选择性来转印下部的均匀图案类型。用于自组装的嵌段共聚物层形成在蚀刻层（100）的顶部上。通过进行烘烤处理来烘烤嵌段共聚物层。自组装图案（120'）通过对嵌段共聚物层退火而形成。通过以相同的图案照射电子束来硬化自组装图案。嵌段共聚物层包含用于自组装的聚合物和有机溶剂。

6. 发明公开

KR1020070072331A 반도체 소자의 형성 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020070072331A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020060057945
申请日：2006-06-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 한상준 , 길명군
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , G03F7/70633 , H01L21/76
摘要： A method for forming a semiconductor device is provided to avoid attack in a CMP process for a gate polysilicon layer by performing a dishing process on a part of the center of an isolating oxide layer during a CMP process for the isolating oxide layer so that an overlay vernier having a step is formed. A predetermined depth of a semiconductor substrate(100) is etched to form a trench by using a first exposure mask. The trench is filled with an isolating oxide layer(110). A CMP process is performed to form a step wherein a predetermined thickness of the isolation oxide layer can be left in the trench. A hard mask layer is formed on the resultant structure. The hard mask layer and the center of the isolating oxide layer are etched by a predetermined depth to form a main scale of an overlay vernier by using a second exposure mask. The hard mask layer is removed. After a gate polysilicon layer is formed on the resultant structure, a CMP process is performed.
摘要翻译：提供了一种用于形成半导体器件的方法，以避免在用于隔离氧化物层的CMP工艺期间在隔离氧化物层的中心的一部分上执行凹陷处理以进行栅极多晶硅层的CMP工艺中的侵蚀，从而覆盖形成具有台阶的游标。通过使用第一曝光掩模蚀刻半导体衬底（100）的预定深度以形成沟槽。沟槽填充有隔离氧化物层（110）。执行CMP处理以形成其中可以在沟槽中留下预定厚度的隔离氧化物层的步骤。在所得结构上形成硬掩模层。通过使用第二曝光掩模，将硬掩模层和隔离氧化物层的中心蚀刻预定深度以形成覆盖游标的主刻度。去除硬掩模层。在所得结构上形成栅极多晶硅层之后，进行CMP工艺。

7. 发明授权

KR100687858B1 반도체소자의 패터닝 방법 失效
标题翻译：用于绘制半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100687858B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020000086374
申请日：2000-12-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김명수 , 길명군
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 전자빔 전면 조사를 이용하여 식각 공정에서 발생하는 식각 잔류물을 억제할 수 있도록 한 반도체소자의 패터닝 방법에 관한 것으로, 식각 대상층상에 레지스트를 도포하는 단계; 선택적인 노광, 베이킹, 현상 공정으로 레지스트를 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 레지스트에 전자빔 전면조사를 실시하는 단계; 상기 레지스트 패턴층을 이용하여 식각 대상층을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진다.

전자빔, Residue

8. 发明授权

KR100608351B1 리플로우 공정시 ＣＤ 균일도 개선방법 失效
标题翻译：应用回流工艺提高光盘独特性的方法
公开(公告)号：KR100608351B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020020078360
申请日：2002-12-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김명수 , 길명군
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 리플로우공정시 CD 균일도 개선방법에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼상에 레지스트를 코팅하는 단계; 1차 베이킹공정과 노광공정을 진행하여 상기 레지스트에 1차 미세패턴을 형성하는 단계; 및 2차 베이킹공정을 통한 리플로우 공정을 실시하여 2차 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어, 리플로우 공정을 적용할 경우 직접 패터닝에 의하여 형성된 DICD 상태에서 리플로우 공정을 적용하여 타겟트 CD를 구현할 때에 쉬링크 바이어스(shrink bias)를 적게 하여 CD 균일도를 개선할 수 있는 것이다.

9. 发明授权

KR100567062B1 정렬패턴 형성방법 失效
标题翻译：形成对齐图案的方法
公开(公告)号：KR100567062B1
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020040001229
申请日：2004-01-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 권원택 , 길명군
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 정렬패턴 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 반도체소자의 금속 실리콘기판의 셀영역과 주변회로영역 및 스크라이브라인에 형성된 키영역에 트렌치 를 형성하는 단계; 상기 실리콘기판의 셀영역 및 키영역에 형성된 트렌치내에 패턴 물질층과 키패턴을 형성하는 단계; 상기 셀패턴과 키패턴을 포함한 전체 구조의 상면에 셀간 절연을 위한 산화막을 형성하는 단계; 상기 키패턴을 식각종말점으로 하여 상기 산화막을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 셀패턴영역을 제외한 주변회로 영역과 스크라이브라인 영역에 이온주입을 실시하는 단계; 및 상기 이온주입된 산화막부위를 세정공정을 통해 제거하여 키패턴의 단차를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 키(key)를 재형성시키기 위해 추가되는 공정없이 기존 후속 단계인 이온주입 마스크에서 키형성과 버어니어 형성지역에 이온을 주입시키도록 설계하여 이온주입된 곳이 후속 포토레지스트 제거시에 사용되는 세정공정에서 빨리 습식 식각 되는 특성을 이용하여 키를 재형성시킬 수 있다.

10. 发明授权

KR100465867B1 반도체 소자의 미세 콘택 패턴 제조 방법 失效
标题翻译： 반도체소자의미세콘택패턴제조방법
公开(公告)号：KR100465867B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020020026106
申请日：2002-05-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김명수 , 길명군
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a fine contact pattern of a semiconductor device is provided to be capable of obtaining fine contact holes having uniform line-width by using multi-steps of baking. CONSTITUTION: An etch object layer(110) is formed on a semiconductor substrate(100). A photoresist pattern is formed on the etch object layer(110) so as to define a contact hole region. By performing at least two-steps of bake processing so as to reflow the photoresist pattern, a photoresist pattern(120a) having symmetrically increased side-width is formed. A contact hole is then formed by etching the etch stop object layer(110) using the photoresist pattern(120a) having symmetrically increased side-width as a mask.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的精细接触图案的方法，其能够通过使用多步骤烘焙来获得具有均匀线宽度的精细接触孔。构成：在半导体衬底（100）上形成蚀刻目标层（110）。在蚀刻目标层（110）上形成光致抗蚀剂图案以限定接触孔区域。通过执行至少两步烘烤处理以回流光致抗蚀剂图案，形成具有对称增加的侧宽度的光致抗蚀剂图案（120a）。然后通过使用具有对称增加的侧宽的光致抗蚀剂图案（120a）作为掩模通过蚀刻蚀刻停止目标层（110）来形成接触孔。

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