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1. 发明授权

KR102071599B1 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102071599B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020190096350
申请日：2019-08-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원 , 박형순 , 강필구 , 강영미 , 이수연
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306

2. 发明授权

KR102071598B1 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102071598B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020190096349
申请日：2019-08-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원 , 박형순 , 강필구 , 강영미 , 이수연
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08

3. 发明授权

KR101934299B1 재배선층 또는 복합막질의 선택적 티타늄 식각액 조성물 有权
公开(公告)号：KR101934299B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170097856
申请日：2017-08-01
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우
IPC分类号： C23F1/38

4. 发明授权

KR101722703B1 주석-은 솔더 범프 도금액 有权
标题翻译：锡银焊料凸块电镀解决方案
公开(公告)号：KR101722703B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150051120
申请日：2015-04-10
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 김한식 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현
IPC分类号： C25D3/32 , C25D7/12
摘要： 본발명은주석이온 1.2~40wt%; 은이온 0.01~2.0wt%; 전도염 1.0~40wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 아세틸티오우레아, 에틸렌티오우레아, 1,3-디페닐티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.01~8.0wt%; 산화방지제 0.01~15wt%; 결정립조정제 0.3~1.0wt% 및평활제 0.6~1.5wt% 및나머지초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프도금액에관한것이다.본발명에따른주석-은솔더범프도금액은무연으로친환경적이고, 도금액안정성과범프형상이양호하며, 공정온도가낮은주석-은솔더범프를형성하면서전류밀도에따른안정적인도금속도와합금조성을가지며미세범프형성이가능한이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种组合物，其包含1.2-40重量％的锡离子; 银离子0.01〜2.0重量％导盐1.0〜40wt％; N，N'-二异丙基硫脲，硫脲乙酰，亚乙基硫脲，1,3-二苯基硫脲，尿素的0.01〜8.0重量％以上的化合物选自硫脲二氧化物的组中选择; 0.01至15重量％的抗氧化剂; 根据本发明的钼酸铋 - 硼铋合金是一种环保的无铅无焊料凸点焊料，杨 - 豪电镀溶液的稳定性和凸块形状，并且处理温度低锡具有形成凸块eunsol根据辅助电流密度甚至金属合金组合物更稳定是可能的，这一点上，细凸缘。

5. 发明公开

KR1020160121296A 주석-은 솔더 범프 도금액 有权
标题翻译： - 锡银焊枪解决方案
公开(公告)号：KR1020160121296A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020150051120
申请日：2015-04-10
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 김한식 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현
IPC分类号： C25D3/32 , C25D7/12
摘要： 본발명은주석이온 1.2~40wt%; 은이온 0.01~2.0wt%; 전도염 1.0~40wt%; 트리메틸티오우레아, N,N'-디이소프로필티오우레아, 아세틸티오우레아, 에틸렌티오우레아, 1,3-디페닐티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.01~8.0wt%; 산화방지제 0.01~15wt%; 결정립조정제 0.3~1.0wt% 및평활제 0.6~1.5wt% 및나머지초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프도금액에관한것이다. 본발명에따른주석-은솔더범프도금액은무연으로친환경적이고, 도금액안정성과범프형상이양호하며, 공정온도가낮은주석-은솔더범프를형성하면서전류밀도에따른안정적인도금속도와합금조성을가지며미세범프형성이가능한이점이있다.

6. 发明授权

KR101907637B1 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물 有权
公开(公告)号：KR101907637B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020180016410
申请日：2018-02-09
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08
摘要： 본 발명은 실리콘질화막의 식각 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 고선택비 식각 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 실리콘산화막의 재성장이 일어나지 않는다.

7. 发明授权

KR101670239B1 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물 有权
标题翻译： - 用于去除蚀刻后残留物和光致抗蚀剂蚀刻聚合物的剥离剂组合物
公开(公告)号：KR101670239B1
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020140150717
申请日：2014-10-31
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 한나
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/26 , C11D11/00
摘要： 본발명은반도체(semiconductor) 제조공정에사용되는포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 유기(organic) 또는금속성잔류물(metallic residue)을제거하기위한스트리퍼조성물에관한것으로보다상세하게는, 아민계화합물(amine compound), 불소계화합물(fluorine compound), 킬레이트화제(chelating agent), 불소계계면활성제(fluorosurfactants), 글리콜계화합물(glycol compound) 및잔량의물(water)을포함하는포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 잔류물을제거하기위한스트리퍼조성물에관한것이다. 본발명에따른포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 잔류물을제거하기위한스트리퍼조성물은불소계화합물및 아민화합물에의한 pH 조절및 웨이퍼표면의식각비를조절할수 있고, 글리콜계화합물을통해저독성및 린스(Rinse) 특성, 포토레지스트용해를향상시키며, 불소계계면활성제를사용하여불소계화합물에대한화학적안정성및 습윤성을향상시켜스트리퍼조성물의침투성을높이고, 기포발생량및 소포시간을줄여식각균일성(uniformity)을향상시키는효과가있다. 또한, 킬레이트화제를사용하여불소계화합물과아민화합물에의한도전성금속막의과도한부식및 재흡착을방지함으로써금속성도전막의표면을세정및 보호하는데효과적이다.

8. 发明公开

KR1020160051184A 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물 有权
标题翻译：剥离后残留物和光催化剂聚合物的剥离剂组合物
公开(公告)号：KR1020160051184A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140150717
申请日：2014-10-31
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 한나
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/26 , C11D11/00
CPC分类号： G03F7/422 , C11D7/261 , C11D11/0047
摘要： 본발명은반도체(semiconductor) 제조공정에사용되는포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 유기(organic) 또는금속성잔류물(metallic residue)을제거하기위한스트리퍼조성물에관한것으로보다상세하게는, 아민계화합물(amine compound), 불소계화합물(fluorine compound), 킬레이트화제(chelating agent), 불소계계면활성제(fluorosurfactants), 글리콜계화합물(glycol compound) 및잔량의물(water)을포함하는포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 잔류물을제거하기위한스트리퍼조성물에관한것이다. 본발명에따른포스트-에칭포토레지스트에칭중합체및 잔류물을제거하기위한스트리퍼조성물은불소계화합물및 아민화합물에의한 pH 조절및 웨이퍼표면의식각비를조절할수 있고, 글리콜계화합물을통해저독성및 린스(Rinse) 특성, 포토레지스트용해를향상시키며, 불소계계면활성제를사용하여불소계화합물에대한화학적안정성및 습윤성을향상시켜스트리퍼조성물의침투성을높이고, 기포발생량및 소포시간을줄여식각균일성(uniformity)을향상시키는효과가있다. 또한, 킬레이트화제를사용하여불소계화합물과아민화합물에의한도전성금속막의과도한부식및 재흡착을방지함으로써금속성도전막의표면을세정및 보호하는데효과적이다.
摘要翻译：本发明涉及用于去除蚀刻后光致抗蚀剂蚀刻聚合物的剥离剂组合物和用于半导体制造过程中的有机或金属残余物。更具体地，本发明涉及用于去除蚀刻后光致抗蚀剂蚀刻聚合物的剥离剂组合物和包含胺基化合物，氟基化合物，螯合剂，氟化表面活性剂，二醇类化合物和残余水的残余物。根据本发明，用于去除蚀刻后光致抗蚀剂蚀刻聚合物和残留物的剥离剂组合物具有以下效果：当组合物包含氟基化合物和胺化合物时，调节晶片的蚀刻表面的pH和比率; 表现出低毒性，漂洗性能和增强的光致抗蚀剂溶解度，因为该组合物包含基于二醇的化合物; 并且由于组合物包含氟化表面活性剂，因此提高了氟基化合物的化学稳定性和润湿性能，从而提高了汽提组合物的渗透性和降低了产生的气泡量和消除气泡所花费的时间的蚀刻均匀性。此外，汽提器组合物具有清洁和保护金属导电膜的表面的效果，因为汽提组合物包含螯合剂，其防止由于氟基化合物和胺化合物导致的导电金属膜的过度腐蚀和再吸附。

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