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1. 发明授权

KR101953380B1 실리콘질화막 식각 조성물 有权
公开(公告)号：KR101953380B1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：KR1020180062247
申请日：2018-05-31
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 임아현 , 이준우
IPC分类号： C09K13/06

2. 发明授权

KR101934299B1 재배선층 또는 복합막질의 선택적 티타늄 식각액 조성물 有权
公开(公告)号：KR101934299B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170097856
申请日：2017-08-01
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우
IPC分类号： C23F1/38

3. 发明授权

KR101722703B1 주석-은 솔더 범프 도금액 有权
标题翻译：锡银焊料凸块电镀解决方案
公开(公告)号：KR101722703B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150051120
申请日：2015-04-10
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 김한식 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현
IPC分类号： C25D3/32 , C25D7/12
摘要： 본발명은주석이온 1.2~40wt%; 은이온 0.01~2.0wt%; 전도염 1.0~40wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 아세틸티오우레아, 에틸렌티오우레아, 1,3-디페닐티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.01~8.0wt%; 산화방지제 0.01~15wt%; 결정립조정제 0.3~1.0wt% 및평활제 0.6~1.5wt% 및나머지초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프도금액에관한것이다.본발명에따른주석-은솔더범프도금액은무연으로친환경적이고, 도금액안정성과범프형상이양호하며, 공정온도가낮은주석-은솔더범프를형성하면서전류밀도에따른안정적인도금속도와합금조성을가지며미세범프형성이가능한이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种组合物，其包含1.2-40重量％的锡离子; 银离子0.01〜2.0重量％导盐1.0〜40wt％; N，N'-二异丙基硫脲，硫脲乙酰，亚乙基硫脲，1,3-二苯基硫脲，尿素的0.01〜8.0重量％以上的化合物选自硫脲二氧化物的组中选择; 0.01至15重量％的抗氧化剂; 根据本发明的钼酸铋 - 硼铋合金是一种环保的无铅无焊料凸点焊料，杨 - 豪电镀溶液的稳定性和凸块形状，并且处理温度低锡具有形成凸块eunsol根据辅助电流密度甚至金属合金组合物更稳定是可能的，这一点上，细凸缘。

4. 发明公开

KR1020160121296A 주석-은 솔더 범프 도금액 有权
标题翻译： - 锡银焊枪解决方案
公开(公告)号：KR1020160121296A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020150051120
申请日：2015-04-10
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 김한식 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현
IPC分类号： C25D3/32 , C25D7/12
摘要： 본발명은주석이온 1.2~40wt%; 은이온 0.01~2.0wt%; 전도염 1.0~40wt%; 트리메틸티오우레아, N,N'-디이소프로필티오우레아, 아세틸티오우레아, 에틸렌티오우레아, 1,3-디페닐티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.01~8.0wt%; 산화방지제 0.01~15wt%; 결정립조정제 0.3~1.0wt% 및평활제 0.6~1.5wt% 및나머지초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프도금액에관한것이다. 본발명에따른주석-은솔더범프도금액은무연으로친환경적이고, 도금액안정성과범프형상이양호하며, 공정온도가낮은주석-은솔더범프를형성하면서전류밀도에따른안정적인도금속도와합금조성을가지며미세범프형성이가능한이점이있다.

5. 发明授权

KR102071599B1 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102071599B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020190096350
申请日：2019-08-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원 , 박형순 , 강필구 , 강영미 , 이수연
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306

6. 发明授权

KR102071598B1 실리콘질화막 식각을 위한 고선택비 식각용 조성물 有权
公开(公告)号：KR102071598B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020190096349
申请日：2019-08-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원 , 박형순 , 강필구 , 강영미 , 이수연
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08

7. 发明授权

KR101907637B1 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물 有权
公开(公告)号：KR101907637B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020180016410
申请日：2018-02-09
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 조성일 , 김병탁 , 한나 , 임아현 , 이준우 , 이민근 , 김준원
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08
摘要： 본 발명은 실리콘질화막의 식각 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 고선택비 식각 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 실리콘산화막의 재성장이 일어나지 않는다.

8. 发明授权

KR101722704B1 주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 도금 방법 有权
标题翻译：锡银焊料凸块的高速电镀液及使用该电镀液的方法
公开(公告)号：KR101722704B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020150180360
申请日：2015-12-16
申请人： 엘티씨에이엠 주식회사
发明人： 이석호 , 송정환 , 전성식 , 김병탁 , 임아현 , 이준우
IPC分类号： C25D3/30 , C25D3/32 , C25D3/46 , C25D3/60 , C25D3/66 , C25D5/00 , C25D7/12
摘要： 본발명은고속도금조건하에서주석-은솔더범프고속도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아디옥사이드로이루어진그룹에서일이상선택되는우레아화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및잔량의초순수를포함하여이루어지는주석-은솔더범프고속도금액에관한것이다.또한, 본발명은상기주석-은솔더범프고속도금액을반도체장치등 전자부품의기판상에접촉시키고 3.0 ~ 20 A/dm의전류밀도를인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로도금하고, 주석-은솔더범프내 은의함량이 1.0 ~ 4.0wt% 인것을특징으로하는주석-은솔더범프고속도금방법을제공한다.본발명에따른주석-은솔더범프고속도금액및 이를이용한고속도금방법은고속도금조건에서안정적인도금속도와범프은 함량을가져, 매끄러운도금표면, 균일한범프간의크기를원활하게형성할수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及在高速金条件下锡 - 银焊料块高速充电，2.1至20wt％锡离子; 0.01至1.5重量％的银离子; 导盐5.0〜30wt％; N，N'-二异丙基硫脲，硫脲二苯基，二甲基硫脲，二乙基硫脲，选自二氧化硫脲的组中选择0.12〜15重量％的尿素的至少一种化合物; 晶粒尺寸调节剂0.3〜10重量％它涉及eunsol多个凸点高速量的本发明是一种锡 - 均化剂0.8〜8重量％的锡，其包括超纯水是低的。接触的电子部件的基板上的eunsol多个凸点高速量如半导体器件施加3.0〜20，电流密度安培/分米，电镀速度为1.5〜10微米/分钟为禁止，锡 - 锡eunsol，其特征在于，银的凸块内的内容1.0〜4.0wt％的多 - eunsol更高速金凸块提供了根据本发明的方法评价。eunsol多个凸点高速值，并使用相同的高速金法将被带到一个稳定均匀的金属辅助beompeueun在高速金条件内容，顺利形成光滑表面电镀均匀的凸块之间的尺寸有这一点。

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