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1. 发明授权

KR100772089B1 전원 공급전압 멀티 레벨 검출기 失效
标题翻译：电源电压多电平检测电路
公开(公告)号：KR100772089B1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020010036637
申请日：2001-06-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박광일 , 김선민
IPC分类号： G01R19/165
摘要： 본 발명은 전원 공급전압 멀티 레벨 검출기에 관한 것으로, 게이트 분리 센스 앰프를 사용하여 전원 공급전압 멀티 레벨 검출회로의 증폭량을 증가시킴으로써 검출의 정확도를 높이고, 또한 전력 소모를 줄이며 노이즈를 감소시킬 수 있다. 이를 위한 본 발명의 전원 공급전압 멀티 레벨 검출기는 인에이블바 신호가 제 1 전압레벨을 가질 때 전원 공급전압을 전압 분배한 제 1 분배 전압과 제 2 분배 전압을 발생하는 전압 분배부와, 상기 인에이블바 신호가 소정 시간동안 지연되고 반전된 인에이블 신호를 출력하는 신호 지연 회로부와, 상기 인에이블 신호가 제 1 전압레벨을 가질 때 프리차지 되고 제 2 전압레벨을 가질 때 상기 제 1 분배 전압과 기준 전압을 수신하여 비교 증폭된 신호를 제 1 출력 단자로 출력하는 제 1 센스 앰프부와, 상기 인에이블 신호가 제 1 전압레벨을 가질 때 프리차지 되고 제 2 전압레벨을 가질 때 상기 제 2 분배 전압과 기준 전압을 수신하여 비교 증폭된 신호를 제 2 출력 단자로 출력하는 제 2 센스 앰프부를 구비한 것을 특징으로 한다.

2. 发明授权

KR100390154B1 반도체 메모리장치의 차지 펌프회로 有权
标题翻译： 반도체메모리장치의차지펌프회로
公开(公告)号：KR100390154B1
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020000087289
申请日：2000-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김선민 , 박종훈
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： H02M3/073 , H02M2001/0032 , H02M2003/077 , Y02B70/16
摘要： A charge pump device for supplying a step-up voltage to a host, includes: a charge pump part constructed with first to nth unit charge pumps, and a multi-level detector for detecting a level of a step-up voltage to selectively drive the unit charge pumps in accordance with an amount of power consumption of the host and thereby outputting at least one level detection signal.
摘要翻译：一种用于向主机提供升压电压的电荷泵装置包括：由第一至第n单元电荷泵构成的电荷泵部分;以及多级检测器，用于检测升压电压的电平以选择性地驱动根据主机的功耗量输出单位电荷泵，从而输出至少一个电平检测信号。

3. 发明公开

KR1020030000600A 전원 공급전압 멀티 레벨 검출기 失效
标题翻译：电源电压多电平检测器
公开(公告)号：KR1020030000600A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020010036637
申请日：2001-06-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박광일 , 김선민
IPC分类号： G01R19/165
摘要： PURPOSE: A power supply voltage multi-level detector is provided to increase the amplifying amount of the power supply voltage multi-level detector by using a gate division sense amplifier. CONSTITUTION: A voltage distribution portion(10) generates the first distribution voltage(Vdd1) and the second distribution voltage(Vdd2) as distribution voltages of supply voltage(Vdd) when an enable bar signal(End) is in a state of 'low'. A signal delay circuit portion(40) delays the enable bar signal(End) during a predetermined time and an inverted enable signal(DEn). The first sense amplifier portion(20) is precharged when the enable signal(DEn) is in the state of 'low'. The first sense amplifier portion(20) receives the first division voltage(Vdd1) and a reference voltage(Vref) and outputs a compared and amplified signal(HighVdd) to the first output terminal when the enable signal(DEn) is in the state of 'high'. The second sense amplifier portion(30) is precharged when the enable signal(DEn) is in the state of 'low'. The second sense amplifier portion(30) receives the second distribution voltage(Vdd2) and reference voltage(Vref) and outputs a compared and amplified signal(LowVdd) to the second output terminal(OUT2) when the enable signal(DEn) is in the state of 'high'.
摘要翻译：目的：提供电源电压多电平检测器，通过使用门分频读出放大器增加电源电压多电平检测器的放大量。构成：当使能条信号（End）处于“低”状态时，电压分配部分（10）产生作为电源电压（Vdd）的分配电压的第一分配电压（Vdd1）和第二分配电压（Vdd2）。信号延迟电路部分（40）在预定时间和反相使能信号（DEn）期间延迟使能条信号（End）。当使能信号（DEn）处于“低”状态时，第一读出放大器部分（20）被预充电。第一感测放大器部分（20）接收第一分频电压（Vdd1）和参考电压（Vref），并且当使能信号（DEn）处于 '高'。当使能信号（DEn）处于“低”状态时，第二读出放大器部分（30）被预充电。第二感测放大器部分（30）接收第二分配电压（Vdd2）和参考电压（Vref），并且当使能信号（DEn）在...中时，将第二输出端子（OUT2）输出到第二输出端子 “高”状态。

4. 发明公开

KR1020020057052A 반도체 메모리장치의 차지 펌프회로 有权
标题翻译：半导体存储器装置的充电泵电路
公开(公告)号：KR1020020057052A
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：KR1020000087289
申请日：2000-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김선민 , 박종훈
IPC分类号： G11C5/14
CPC分类号： H02M3/073 , H02M2001/0032 , H02M2003/077 , Y02B70/16
摘要： PURPOSE: A charge pump circuit of a semiconductor memory device is provided to reduce the power consumption by driving selectively a plurality of charge pump according to the amount of the power consumption. CONSTITUTION: A multi-level detection portion(100) detects a boosting voltage level as the voltage of multi-level. The multi-level detection portion(100) is formed with a voltage divider for dividing a power source into a plurality of voltage level and a plurality of level detector for detecting the booting voltage(VPP) by comparing the divided plural voltage levels with the boosting voltage(VPP). An oscillator(200) generates pulse signals according to the first level detection signal(DET1). A logical operation portion(300) performs a logical operation for the pulse signals of the oscillator(200) and the second to the n-th level detection signals(DET2 to DETn) of the multi-level detection portion(100) and drive a charge pump portion(400).
摘要翻译：目的：提供半导体存储器件的电荷泵电路，以根据功耗量选择性地驱动多个电荷泵来降低功耗。构成：多电平检测部分（100）检测作为多电平电压的升压电压电平。多电平检测部分（100）形成有用于将电源分割成多个电压电平的分压器和多个电平检测器，用于通过将分压的多个电压电平与升压电压进行比较来检测引导电压（VPP）电压（VPP）。振荡器（200）根据第一电平检测信号（DET1）产生脉冲信号。逻辑运算部（300）对多电平检测部（100）的振荡器（200）和第二至第n电平检测信号（DET2〜DETn）的脉冲信号进行逻辑运算，驱动a 电荷泵部分（400）。

5. 发明授权

KR100618686B1 반도체 장치의 플립플롭 회로 失效
标题翻译：半导体器件中的FLIP / FLOP电路
公开(公告)号：KR100618686B1
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：KR1020000062586
申请日：2000-10-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 강동오 , 김선민
IPC分类号： H03K3/037
摘要： 본 발명은 반도체 장치의 파워업 동작시 초기화를 위해 발생시키는 내부 펄스들을 이용해서 리셋이 없는 언논 상태의 플립플롭을 파워 업시 논 상태로 세트시킴으로써, 종래의 리셋이 없는 플립플롭을 안정시키고 전체 회로의 동작을 안정시킨 플립플롭 회로에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명의 반도체 장치의 플립플롭 회로는, 상기 반도체 장치의 초기 파워 업 동작시 시스템의 초기용으로 사용하는 클럭신호와 외부 클럭신호를 입력으로하여 논리조합한 신호를 출력하는 논리조합수단과, 상기 논리조합수단에서 발생된 신호를 클럭 입력으로 하며, 다수개로 직렬 연결된 리셋이 없는 플립플롭을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020030058303A 저전압 감지 회로 无效
标题翻译：低电压感应电路
公开(公告)号：KR1020030058303A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088719
申请日：2001-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 조병선 , 김선민 , 차욱진
IPC分类号： G05F1/10
摘要： PURPOSE: A low voltage sense circuit is provided to remove a ripple of an internal supply voltage by using a schmitt circuit having hysteresis. CONSTITUTION: A low voltage sense circuit includes a band gap reference voltage generation portion(210), a voltage divider portion(220), a ripple shield portion(230), and a comparator portion(240). The band gap reference voltage generation portion generates a reference voltage. The voltage divider portion receives an enable signal, divides an internal supply voltage, and outputs the divided voltage. The ripple shield portion removes the ripples from the divided voltage of the voltage divider portion. The comparator portion compares the internal supply voltage of the ripple shield portion with a reset threshold voltage of the voltage divider portion and outputs a reset signal.
摘要翻译：目的：提供低电压检测电路，通过使用具有滞后的施密特电路来消除内部电源电压的纹波。构成：低电压检测电路包括带隙基准电压产生部分（210），分压器部分（220），纹波屏蔽部分（230）和比较器部分（240）。带隙基准电压产生部分产生参考电压。分压器部分接收使能信号，分配内部电源电压，并输出分压。波纹屏蔽部分从分压器部分的分压中去除波纹。比较器部分将波纹屏蔽部分的内部电源电压与分压器部分的复位阈值电压进行比较，并输出复位信号。

7. 发明公开

KR1020030058302A 저전압 감지 회로 有权
标题翻译：低电压感应电路
公开(公告)号：KR1020030058302A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088718
申请日：2001-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 차욱진 , 김선민 , 조병선
IPC分类号： G01R19/165
摘要： PURPOSE: A low voltage sensing circuit is provided, which has a reset threshold voltage of several steps appropriate for a plurality of internal power supply voltages. CONSTITUTION: A band gap reference voltage generation unit(210) generates a reference voltage and applies it the device. An internal power supply voltage sensing unit(220) compares the reference voltage applied from the band gap reference voltage generation unit with a voltage obtained by dividing the internal power supply voltage by receiving an enable signal. And a reset threshold voltage applying unit(230) sets a reset threshold voltage according to the internal power supply voltage sensing signal, and compares it with the internal power supply voltage applied from the internal power supply voltage sensing unit, and outputs a reset signal.
摘要翻译：目的：提供一种低电压感测电路，其具有适合于多个内部电源电压的若干步骤的复位阈值电压。构成：带隙基准电压产生单元（210）生成参考电压并将其施加于该装置。内部电源电压感测单元（220）将从带隙基准电压产生单元施加的参考电压与通过接收使能信号分压内部电源电压而获得的电压进行比较。复位阈值电压施加单元根据内部电源电压检测信号设定复位阈值电压，并将其与从内部电源电压检测单元施加的内部电源电压进行比较，并输出复位信号。

8. 发明授权

KR100429553B1 와이드 전압에서 일정한 히스테리시스를 갖는 슈미트트리거 회로 失效
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公开(公告)号：KR100429553B1
公开(公告)日：2004-05-03
申请号：KR1020020016960
申请日：2002-03-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김선민 , 차욱진 , 조병선
IPC分类号： H03K3/3565
摘要： PURPOSE: A Schmitt trigger circuit is provided to have a constant hysteresis characteristic curve regardless of various VDDs by controlling the width of the hysteresis curve. CONSTITUTION: A Schmitt trigger circuit is provided with an input/output part(310) for receiving an input signal and supplying an output signal insensitive to the variation of the input signal and a hysteresis width control part(320) for receiving a VDD selection signal and increasing the hysteresis width of the output signal of the input/output part when applying the VDD selection signal at the first logic step. At this time, the input/output part and hysteresis width control part include the first and second inverter(311,321), respectively.
摘要翻译：目的：通过控制磁滞曲线的宽度，施密特触发器电路提供恒定的滞后特性曲线，而不考虑各种VDD。一种施密特触发器电路，具有输入/输出部分（310），用于接收输入信号并提供对输入信号的变化不敏感的输出信号;以及滞后宽度控制部分（320），用于接收VDD选择信号以及当在第一逻辑步骤施加VDD选择信号时增加输入/输出部分的输出信号的滞后宽度。此时，输入/输出部分和滞后宽度控制部分分别包括第一和第二反相器（311,321）。

9. 发明授权

KR100376880B1 센스 앰프 동작 제어회로 失效
标题翻译： 센스앰프동작제어회로
公开(公告)号：KR100376880B1
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：KR1020000069288
申请日：2000-11-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김선민 , 이용환
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/065 , G11C2207/065
摘要： A sense amplifier circuit for a semiconductor device which can reduce current consumption by reducing the operation time of a pull-up driver for supplying the power voltage to a sense amp when a power voltage is higher than a reference voltage, and which can improve operation properties by increasing the operation time of the pull-up driver when the power voltage is lower than the reference voltage. The sense amplifier circuit includes: a first and a second pull-up drivers; a first and a second pull-down drivers; a voltage detecting unit; and selecting driver unit for respectively controlling operations of the first and the second pull-up drivers and the first and the second pull-down drivers according to the output signal of the voltage detecting unit.
摘要翻译：一种用于半导体器件的读出放大器电路，当电源电压高于基准电压时，该读出放大器电路可以通过减少用于向读出放大器提供电源电压的上拉驱动器的操作时间来减少电流消耗，并且可以改善操作性能当电源电压低于参考电压时，通过增加上拉驱动器的操作时间。该读出放大器电路包括：第一和第二上拉驱动器; 第一和第二下拉驱动器; 电压检测单元; 以及根据电压检测单元的输出信号选择用于分别控制第一上拉驱动器和第二上拉驱动器以及第一下拉驱动器和第二下拉驱动器的操作的驱动器单元。

10. 发明授权

KR100415536B1 저전압 감지 회로 有权
标题翻译： 저전압감지회로
公开(公告)号：KR100415536B1
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020010088718
申请日：2001-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 차욱진 , 김선민 , 조병선
IPC分类号： G01R19/165
摘要： PURPOSE: A low voltage sensing circuit is provided, which has a reset threshold voltage of several steps appropriate for a plurality of internal power supply voltages. CONSTITUTION: A band gap reference voltage generation unit(210) generates a reference voltage and applies it the device. An internal power supply voltage sensing unit(220) compares the reference voltage applied from the band gap reference voltage generation unit with a voltage obtained by dividing the internal power supply voltage by receiving an enable signal. And a reset threshold voltage applying unit(230) sets a reset threshold voltage according to the internal power supply voltage sensing signal, and compares it with the internal power supply voltage applied from the internal power supply voltage sensing unit, and outputs a reset signal.
摘要翻译：目的：提供一种低电压感测电路，其具有适合于多个内部电源电压的几个步骤的复位阈值电压。构成：带隙参考电压产生单元（210）产生参考电压并将其施加到器件。内部电源电压感测单元（220）将从带隙基准电压生成单元施加的基准电压与通过接收使能信号来对内部电源电压进行分压而获得的电压进行比较。并且复位阈值电压施加单元（230）根据内部电源电压感测信号设置复位阈值电压，并将其与内部电源电压感测单元施加的内部电源电压进行比较，并输出复位信号。

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