专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100827529B1 다중채널을 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：具有多通道的半导体及其制造方法
公开(公告)号：KR100827529B1
公开(公告)日：2008-05-06
申请号：KR1020070037335
申请日：2007-04-17
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L21/823481 , H01L29/42392 , H01L29/78696
摘要： A semiconductor device having multiple channels and a manufacturing method thereof are provided to decrease a leakage current by removing a portion of an upper portion of an active region by performing a first etching process using a first mask film pattern. A semiconductor device includes a semiconductor substrate(400), plural trenches, and a channel activation regions(400a). A device isolation film is formed in the semiconductor substrate. The trenches are formed in an active region on the semiconductor substrate. Opposing sidewalls are connected to each other in the respective trench regions, such that a surface of the channel activation region is used as a channel region. A cross-section of the channel activation region is rectangular. The channel activation region is lower than an uppermost portion of the active region in the trench. The channel activation region is higher than a lower portion of the trench and not adjoined with the device isolation film.
摘要翻译：提供具有多个通道的半导体器件及其制造方法，以通过使用第一掩模膜图案进行第一蚀刻工艺来去除有源区的上部的一部分来减少漏电流。半导体器件包括半导体衬底（400），多个沟槽和沟道激活区（400a）。在半导体衬底中形成器件隔离膜。沟槽形成在半导体衬底上的有源区中。相对的侧壁在各个沟槽区域中彼此连接，使得沟道激活区域的表面用作沟道区域。通道激活区域的横截面是矩形的。通道激活区域低于沟槽中的有源区域的最上部分。通道激活区域高于沟槽的下部并且不与器件隔离膜邻接。

2. 发明授权

KR100762232B1 리세스된 셀어레이 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：凹槽式单元阵列晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR100762232B1
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：KR1020050113725
申请日：2005-11-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 본 발명의 리세스된 셀어레이 트랜지스터(RCAT; Recessed Cell Array Transistor)의 제조방법은, 반도체기판 위에 활성영역을 한정하는 트랜치 소자분리막을 형성하는 단계와, 반도체기판의 활성영역 내에 리세스채널용 트랜치를 형성하는 단계와, 리세스채널용 트랜치의 측벽에 나이트라이드-리치 산화막으로 이루어진 스페이서막을 형성하는 단계와, 스페이서막 및 리세스채널용 트랜치 바닥에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 그리고 리세스채널용 트랜치가 매립되도록 게이트스택을 형성하는 단계를 포함한다.
리세스된 셀어레이 트랜지스터, 리세스채널, 전계집중, 나이트라이드-리치 산화막, 스페이서

3. 发明公开

KR1020070055239A 리세스된 셀어레이 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：制造细胞阵列晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020070055239A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050113725
申请日：2005-11-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/1037 , H01L29/4236 , H01L29/66621
摘要： 본 발명의 리세스된 셀어레이 트랜지스터(RCAT; Recessed Cell Array Transistor)의 제조방법은, 반도체기판 위에 활성영역을 한정하는 트랜치 소자분리막을 형성하는 단계와, 반도체기판의 활성영역 내에 리세스채널용 트랜치를 형성하는 단계와, 리세스채널용 트랜치의 측벽에 나이트라이드-리치 산화막으로 이루어진 스페이서막을 형성하는 단계와, 스페이서막 및 리세스채널용 트랜치 바닥에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 그리고 리세스채널용 트랜치가 매립되도록 게이트스택을 형성하는 단계를 포함한다.
리세스된 셀어레이 트랜지스터, 리세스채널, 전계집중, 나이트라이드-리치 산화막, 스페이서

4. 发明授权

KR100611471B1 반도체칩 평면시편 제작 장치 失效
标题翻译：刨片半导体芯片的装置
公开(公告)号：KR100611471B1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020040040495
申请日：2004-06-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식 , 김학수
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체칩 평면시편 제작 장치에 관한 것으로, 이동체가 수평을 이루면서 항상 균일하게 압력이 가해질 수 있도록 진공관의 라인상 소정의 위치에 중량추 및 탄성체가 이동체의 수평을 고려하여 설치됨으로 인해, 손가락 힘이 아닌 중량추 및 이동체의 자중에 의해 항상 일정한 힘이 이동체에 전달되어 이동체가 수평 이동됨과 동시에 칩패턴의 연마면이 균일하면서 평평하게 이루어질 수 있고, 매 작업마다 동일 제작장치에 의한 시편작업의 결과가 항상 동일하게 제공되도록 하여 공정에 대한 표준이 제시될 수 있도록 된 반도체칩 평면시편 제작 장치에 관한 것이다.
평면시편, 반도체칩, 연마작업

5. 发明公开

KR1020060079329A 반도체 소자의 형성 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020060079329A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020040117096
申请日：2004-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 본 발명은 반도체 소자 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 활성영역을 정의하는 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 소자분리막을 리세스(recess) 하여 상기 활성영역을 돌출시키는 단계; 상기 활성영역 표면에 희생산화막을 성장시킨 후, 활성영역의 단축방향 양단 에지부를 노출시키는 하드마스크 질화막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크 질화막을 마스크로 상기 에지부에 산소 이온을 주입시켜 산화된 영역을 형성하는 단계; 상기 하드 마스크 질화막을 습식 식각으로 제거한 후, 상기 에지부의 산화된 영역을 습식 식각으로 제거시켜 상기 활성영역의 상부 코너를 라운딩(rounding)하는 단계; 상기 반도체 기판 전면에 게이트 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 돌출된 활성영역을 포함하는 반도체 기판 상부에 워드 라인을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 이용하면 트랜지스터에서 쇼트 채널 효과(shot channel effect)가 나타나는 등의 종래 반도체 소자 제조 방법상의 문제점뿐만 아니라 FinFET을 이용한 DRAM 셀 트랜지스터의 핀 바디(Fin body) 코너 부분 전계(electric field)가 집중(crowding)됨으로써 소자의 특성이 저하되는 문제점을 동시에 해결할 수 있으므로, 뛰어난 특성을 가지는 반도체 소자의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.

6. 发明公开

KR1020050115142A 반도체칩 폴리싱장치의 리테이너링 无效
标题翻译：用于抛光半导体芯片的器件的保持器环
公开(公告)号：KR1020050115142A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020040040494
申请日：2004-06-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/32
摘要： 본 발명은 반도체칩의 평면시편작업을 위한 폴리싱장치의 리테이너링에 관한 것으로, 폴리싱장치의 본체로부터 연결 설치되면서 진공관이 내장된 헤드부의 선단면에 웨이퍼 및 반도체칩이 수용되는 수용홀이 형성된 리테이너링이 부착되어, 반도체칩의 연마작업시 리테이너링에 의해 연마위치가 안정되게 확보되고, 웨이퍼 및 반도체칩의 에지 라운딩현상이 최소화되며, 이로 인한 평면시편작업의 정확성이 상승됨과 아울러, 정확성이 향상된 작업으로부터 얻어지는 결과에 대해 그 신뢰도가 상향 조정되어 적용제품에 대한 완성도가 상승되도록 된 반도체칩 폴리싱장치의 리테이너링에 관한 것이다.

7. 发明授权

KR100372637B1 반도체장치의 제조방법 失效
标题翻译： 반도체장치의제조방법
公开(公告)号：KR100372637B1
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：KR1020000065479
申请日：2000-11-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a plug from being electrically connected to an adjacent transistor, by making the residue of polycrystalline silicon not left on an interlayer dielectric so that a bridge phenomenon is not generated. CONSTITUTION: A filed oxide layer(33) for defining an active region is formed in a predetermined portion of a semiconductor substrate(31) of the first conductivity type. Low density impurities of the second conductivity type are doped into the semiconductor substrate to confine an impurity region(37). A trench is patterned in a depth deeper than the impurity region, across the semiconductor substrate and the field oxide layer. A gate(47) is formed by interposing a gate oxide layer(41) in the trench. An insulation layer covering the field oxide layer and the gate is formed on the semiconductor substrate. The insulation layer is patterned to form a contact hole exposing the impurity region. A plug in contact with the impurity region is formed inside the contact hole.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过使多晶硅的残留物不留在层间介电层上，从而防止插塞与相邻晶体管电连接，从而不会产生桥接现象。构成：用于限定有源区的场氧化物层（33）形成在第一导电类型的半导体衬底（31）的预定部分中。将第二导电类型的低密度杂质掺杂到半导体衬底中以限制杂质区域（37）。沟槽在半导体衬底和场氧化物层上以比杂质区更深的深度图案化。栅极（47）通过在沟槽中插入栅极氧化物层（41）而形成。覆盖场氧化层和栅极的绝缘层形成在半导体衬底上。将绝缘层图案化以形成暴露杂质区的接触孔。在接触孔内形成与杂质区域接触的插塞。

8. 发明公开

KR1020020035255A 반도체장치의 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020020035255A
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：KR1020000065479
申请日：2000-11-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a plug from being electrically connected to an adjacent transistor, by making the residue of polycrystalline silicon not left on an interlayer dielectric so that a bridge phenomenon is not generated. CONSTITUTION: A filed oxide layer(33) for defining an active region is formed in a predetermined portion of a semiconductor substrate(31) of the first conductivity type. Low density impurities of the second conductivity type are doped into the semiconductor substrate to confine an impurity region(37). A trench is patterned in a depth deeper than the impurity region, across the semiconductor substrate and the field oxide layer. A gate(47) is formed by interposing a gate oxide layer(41) in the trench. An insulation layer covering the field oxide layer and the gate is formed on the semiconductor substrate. The insulation layer is patterned to form a contact hole exposing the impurity region. A plug in contact with the impurity region is formed inside the contact hole.
摘要翻译：目的：制造半导体器件的方法是通过使多晶硅残留物留在层间电介质上而不产生桥现象来防止插塞与相邻晶体管电连接。构成：在第一导电类型的半导体衬底（31）的预定部分中形成用于限定有源区的归属氧化物层（33）。将第二导电类型的低密度杂质掺杂到半导体衬底中以限制杂质区（37）。在半导体衬底和场氧化物层之上的深度比杂质区深的深度构图沟槽。栅极（47）通过在沟槽中插入栅极氧化物层（41）而形成。在半导体衬底上形成覆盖场氧化物层和栅极的绝缘层。图案化绝缘层以形成暴露杂质区域的接触孔。在接触孔内形成有与杂质区接触的插塞。

9. 发明公开

KR1020010087609A 에이티엠-피에스티엔 트렁크간 연동장치 无效
标题翻译： ATM-PSTN TRUNKS之间的交互单元
公开(公告)号：KR1020010087609A
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：KR1020000011452
申请日：2000-03-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식 , 권수영
IPC分类号： H04L12/66
CPC分类号： H04L12/5601 , H04L2012/5618
摘要： PURPOSE: An interworking unit(IWU) between ATM-PSTN trunks is provided to improve the transmission efficiency of ATM cell information in traffic load region except for a maximum load capacity region by mapping only valid channel among frames of a PSTN trunk to a payload. CONSTITUTION: An ATM line interface(10) transmits and receives an ATM cell with an ATM network. An IWU transmitter(11) generates an FP(Frame Pointer), an FSN(Frame Sequence Number), and an FS(Frame Status), maps an E1 frame to the ATM cell, and transmits the E1 frame to the ATM line interface(10). A controller(12) controls an entire operation of an IWU and controls each composition block. An IWU receiver(13) receives the ATM cell from the ATM line interface(10), divides the FP, the FSN, and the FS, and divides the ATM cell as the E1 frame. An E1 line interface(14) is connected with a PSTN for transmitting the E1 frame to the IWU transmitter(11) and receives the E1 frame from the IWU receiver(13) to transmit the received E1 frame to the PSTN.
摘要翻译：目的：提供ATM-PSTN中继之间的互通单元（IWU），通过仅将PSTN中继帧之间的有效信道映射到有效载荷来提高除最大负载容量区域之外的业务负载区域中ATM信元信息的传输效率。构成：ATM线路接口（10）用ATM网络发送和接收ATM信元。 IWU发送器（11）生成FP（帧指针），FSN（帧序列号）和FS（帧状态），将E1帧映射到ATM信元，并将E1帧发送到ATM线路接口 10）。控制器（12）控制IWU的整个操作并控制每个组合块。 IWU接收器（13）从ATM线路接口（10）接收ATM信元，分割FP，FSN和FS，并将ATM信元划分为E1帧。 E1线路接口（14）与PSTN连接，用于向IWU发射机（11）发送E1帧，并从IWU接收机（13）接收E1帧，将接收到的E1帧发送到PSTN。

10. 发明授权

KR100285328B1 이동통신 시스템에서의 호 전환 방법 失效
标题翻译：移动通信系统中的传输方法
公开(公告)号：KR100285328B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019960023356
申请日：1996-06-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김대식 , 허용필 , 박유란
IPC分类号： H04B7/15
摘要： PURPOSE: A call transfer method in a mobile telecommunication system is provided to achieve a call between a calling subscriber and a new called subscriber called by a called subscriber as a mobile call transfer part in a mobile subscriber control subsystem works together with a mobile subscriber control part, an extrinsic service control part, etc. CONSTITUTION: A mobile subscriber control subsystem consists of a mobile call transfer part(10), a fixed subscriber control part(11), a mobile subscriber control part(12), an R2 transit call control part(13), a No.7 transit call control part(14), a message conversion processing part(15), an extrinsic service control part(16), and a library configuration part(17). The mobile call transfer part(10) works together with each control part in order to transfer a mobile call. The fixed subscriber control part(11) is worked together with the mobile call transfer part(10) in case that origination or call transfer termination is by a fixed subscriber. The mobile subscriber control part(12) is worked together with the mobile call transfer part(10) in case that origination or call transfer termination is by a mobile subscriber. The R2 transit call control part(13) is worked together with the mobile call transfer part(10) in case that a call by origination or call transfer is an R2 transit call. The No.7 transit call control part(14) is worked together with the mobile call transfer part(10) in case that a call by origination or call transfer is a No.7 transit call. The message conversion processing part(15) is worked together with the mobile call transfer part(10) in the case of transmitting a message to a base station controller or receiving a message from the base station controller. The extrinsic service control part(16) makes the mobile call transfer part(10) operated differently from other extrinsic services when the call transfer service is attempted. The library configuration part(17) is composed of libraries that software process blocks use in common.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式