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1. 发明公开

KR1020060017728A 기판 표면에 대해 차분 제거율을 적용하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：将差分去除率应用到基板表面的方法和装置
公开(公告)号：KR1020060017728A
公开(公告)日：2006-02-27
申请号：KR1020047021028
申请日：2003-06-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 곳키스예힐 , 키슬러로드니 , 오짜르알렉산더 , 헴커데이빗 , 브라이트니콜라스제이
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B1/005 , B24B37/013 , B24B49/105 , B24B57/02 , H01L21/67253
摘要： A semiconductor processing system is provided. The system includes a sensor configured to detect a signal representing a thickness of a film disposed on a surface of a substrate. A first nozzle configured to apply a first fluid to a surface of a polishing pad is included. A fluid restraining device located upstream from the first nozzle is provide. The fluid restraining device is configured to evenly distribute the slurry over the surface of the polishing pad. A second nozzle located upstream from the fluid restraining device is included. The second nozzle is configured to apply a second fluid to the evenly distributed slurry. A CMP system and a method for applying differential removal rates to a surface of a substrate are also provided.
摘要翻译：提供半导体处理系统。该系统包括被配置为检测表示设置在基板的表面上的膜的厚度的信号的传感器。包括构造成将第一流体施加到抛光垫的表面的第一喷嘴。提供了位于第一喷嘴上游的流体限制装置。流体限制装置构造成将浆料均匀地分布在抛光垫的表面上。包括位于流体限制装置上游的第二喷嘴。第二喷嘴构造成将第二流体施加到均匀分布的浆料上。还提供了CMP系统和用于将差别去除速率应用于衬底表面的方法。

2. 发明公开

KR1020050057506A 멀티-스텝 시퀀스에서의 금속 잔류물 검출 및 매핑용시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于金属残留检测和多步序列映射的系统和方法
公开(公告)号：KR1020050057506A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020057004813
申请日：2003-09-10
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 고트키스예히엘 , 옥자르츠알렉산더 , 헴커데이비드 , 브라이트니콜라스 , 키슬러로드니
IPC分类号： G01N27/72
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/02 , B24B49/10 , H01L21/3212 , H01L22/00
摘要： A system and method of measuring a metallic layer on a substrate within a multi-step substrate process includes modifying a metallic layer on the substrate such as forming a metallic layer or removing at least a portion of the metallic layer. At least one sensor is positioned a predetermined distance from the surface of the substrate. The surface of the substrate is mapped to determine a uniformity of the metallic layer on the surface of the substrate.
摘要翻译：在多步衬底工艺中测量衬底上的金属层的系统和方法包括改变衬底上的金属层，例如形成金属层或去除金属层的至少一部分。至少一个传感器定位在离基板表面一预定距离处。映射衬底的表面以确定衬底表面上的金属层的均匀性。

3. 发明授权

KR101037490B1 멀티-스텝 시퀀스에서의 금속 잔류물 검출 및 매핑용시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于金属残留检测和多步序列映射的系统和方法
公开(公告)号：KR101037490B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020057004813
申请日：2003-09-10
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 고트키스예히엘 , 옥자르츠알렉산더 , 헴커데이비드 , 브라이트니콜라스 , 키슬러로드니
IPC分类号： G01N27/72
CPC分类号： B24B37/042 , B24B49/02 , B24B49/10 , H01L21/3212 , H01L22/00
摘要： 멀티 스텝 기판 프로세스내에서 기판상의 금속층을 측정하는 시스템 및 방법은 금속층을 형성하거나 또는 금속층의 적어도 일부를 제거하는 것과 같은 기판상의 금속층을 변형하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 센서는 기판의 표면으로부터 미리 결정된 거리에 위치된다. 기판의 표면은 기판의 표면상의 금속층의 균일도를 결정하도록 매핑된다.
기판, 금속층, 연마 패드, 웨이퍼, 센서

4. 发明授权

KR101107837B1 기판 표면에 대해 차분 제거율을 적용하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：将差分去除率应用到基板表面的方法和装置
公开(公告)号：KR101107837B1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020047021028
申请日：2003-06-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 곳키스예힐 , 키슬러로드니 , 오짜르알렉산더 , 헴커데이빗 , 브라이트니콜라스제이
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B1/005 , B24B37/013 , B24B49/105 , B24B57/02 , H01L21/67253
摘要： 반도체 프로세싱 시스템이 제공된다. 본 시스템은 기판 표면 상에 배치된 막의 두께를 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 센서를 포함한다. 연마 패드 표면으로 제1 유체를 공급하도록 구성된 제1 노즐이 포함된다. 또한 이 제1 노즐로부터의 상류에 위치한 유체 제한 장치가 제공된다. 유체 제한 장치는 연마 패드 표면 위에 슬러리를 고르게 분포시키도록 구성된다. 이 유체 제한 장치로부터의 상류에 위치한 제2 노즐이 포함된다. 제 2 노즐은 고르게 분포된 슬러리에 제2 유체를 공급하도록 구성된다. 기판의 표면에 차분 제거율을 적용하기 위한 CMP 시스템 및 방법이 또한 제공된다.
차분 제거율, 평탄화, CMP 시스템, 기판, 반도체, 막 두께, 노즐, 유체 제한 장치, 연마 패드.

5. 发明公开

KR1020060116847A 커플링된 에디 센서에 의해 필름 두께를 측정하기 위한방법 및 장치 无效
标题翻译：通过联接EDDY传感器测量薄膜厚度的方法和装置
公开(公告)号：KR1020060116847A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020067013316
申请日：2004-12-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 고트키스예히엘 , 키슬러로드니 , 오윅자르즈알렉산더 , 프로인드찰스
IPC分类号： G01B7/06 , G01B7/02
CPC分类号： G01B7/107 , G01B7/105 , G01B2210/44
摘要： A method for minimizing measuring spot size and noise during film thickness measurement is provided. The method initiates with locating a first eddy current sensor directed toward a first surface associated with a conductive film. The method includes locating. a second eddy current sensor directed toward a second surface associated with the conductive film. The first and second eddy current sensors may share a common axis or be offset from each other. The method further includes alternating power supplied to the first eddy current sensor and the second eddy current sensor. In one aspect of the invention, a delay time is incorporated between switching power between the first eddy current sensor and the second eddy current sensor. The method also includes calculating the film thickness measurement based on a combination of signals from the first eddy current sensor and the second eddy current sensor. An apparatus and a system are also provided.
摘要翻译：提供了一种在膜厚测量期间最小化测量点尺寸和噪声的方法。该方法通过定位朝向与导电膜相关联的第一表面的第一涡流传感器来启动。该方法包括定位。指向与导电膜相关联的第二表面的第二涡流传感器。第一和第二涡流传感器可以共享公共轴线或彼此偏移。该方法还包括提供给第一涡流传感器和第二涡流传感器的交流电力。在本发明的一个方面，在第一涡流传感器和第二涡流传感器之间的开关功率之间并入延迟时间。该方法还包括基于来自第一涡流传感器和第二涡流传感器的信号的组合来计算膜厚度测量。还提供了一种装置和系统。

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