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1. 发明公开

KR1020020011931A 금속 전극 적용에 대한 루테늄 막의 화학 기상 증착 无效
标题翻译：化学蒸气沉积的薄膜
公开(公告)号：KR1020020011931A
公开(公告)日：2002-02-09
申请号：KR1020010047007
申请日：2001-08-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 웨이드,크리스토퍼피. , 파오,엘레이니 , 왕,야징 , 짜오,준
IPC分类号： C23C16/06
CPC分类号： C23C16/18
摘要： PURPOSE: A method of depositing ruthenium films on a substrate via liquid source chemical vapor deposition wherein the source material is liquid at room temperature and utilizing process conditions such that deposition of the ruthenium films occurs at a temperature in the kinetic-limited temperature regime is provided. CONSTITUTION: The method of depositing a ruthenium film on a substrate by liquid source chemical vapor deposition comprises the steps of selecting process conditions wherein said ruthenium film is deposited at a temperature in the kinetically limited temperature regime; and vapor-depositing a ruthenium film on the substrate. The method of depositing a ruthenium film on a substrate by liquid source chemical vapour deposition, wherein said liquid source is or comprises bis-(ethylcyclopentadienyl) ruthenium, the method comprising the steps of vaporizing said bis-(ethylcyclopentadienyl) ruthenium at a vaporization temperature of from about 100 to about 300 deg.C to form a CVD source material gas; providing an oxygen source reactant gas; and forming a ruthenium film on a substrate in a reaction chamber using said CVD source material gas and said oxygen source reactant gas, wherein said substrate has a temperature of from about 100 to about 500 deg.C, and wherein deposition of said ruthenium film occurs in the kinetically limited temperature regime.
摘要翻译：目的：一种通过液体源化学气相沉积在基板上沉积钌膜的方法，其中源材料在室温下为液体并且利用工艺条件使得在动态限制温度范围内的温度下发生钌膜的沉积。构成：通过液体源化学气相沉积在基板上沉积钌膜的方法包括以下步骤：选择其中所述钌膜在动态限制温度范围内的温度下沉积的工艺条件; 并在基板上气相沉积钌膜。通过液体源化学气相沉积在基板上沉积钌膜的方法，其中所述液体源是或包含双 - （乙基环戊二烯基）钌，所述方法包括以下步骤：将所述双 - （乙基环戊二烯基）钌在汽化温度约100至约300℃，以形成CVD源材料气体; 提供氧源反应气体; 以及使用所述CVD源材料气体和所述氧源反应气体在反应室中的基板上形成钌膜，其中所述基板具有约100至约500℃的温度，并且其中所述钌膜的沉积发生在动力学有限的温度状态。

2. 发明公开

KR1020010023887A 기화 및 증착 장치 및 방법 无效
标题翻译：蒸发和沉积设备和方法
公开(公告)号：KR1020010023887A
公开(公告)日：2001-03-26
申请号：KR1020007002570
申请日：1998-09-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 소메크,새손 , 짜오,준 , 돈페스트,챨리스 , 사조토,탈렉스 , 셀리우틴,레오니드 , 쿠,빈센트 , 왕,크리스 , 창,프랭크 , 탕,포
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/4481 , C23C16/45561 , C23C16/4557 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , Y10S261/65 , Y10T137/87684 , C23C16/4402 , C23C16/409 , C23C16/4411 , C23C16/4486
摘要： 본발명은액체전구체를기화시키고적절한기판상에박막을증착시키는장치및 방법에관한것이다. 보다상세하게는, 고용량다이나믹메모리모듈에서유용한집적회로캐패시터를제조하기위해바륨스트론튬티타네이트(barium strontium titanate, BST) 박막과같은금속산화물박막을실리콘웨이퍼상에증착시키는장치및 방법에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020050004844A 전자 비임에 의한 저유전상수 필름의 경화 방법 无效
标题翻译：电子束固化低介电常数膜的方法
公开(公告)号：KR1020050004844A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：KR1020047018003
申请日：2003-05-08
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 모그하담,파르하드,디. , 짜오,준 , 웨이드만,티모시 , 로버츠,릭,제이. , 시아,리-쿤 , 데모스,알렉산드로스,티. , 쮸,웬,에이치. , 후앙,추-팡 , 리,리후아 , 이,에리에,와이. , 쳉,이 , 네마니,스리니바스,디. , 홀라,에릭 , 임,강,섭 , 니겐,손,반 , 디쿠르즈,레스터,에이. , 김,트로이 , 수기알토,다이안 , 리,피터,와이-만 , 마사드,힉헴 , 탐,멜리사,엠.
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
摘要： 본 발명은 기판 상에 저유전상수 필름을 증착시키는 방법을 제공한다. 상기 방법은 화학 기상 증착 챔버 내에서 실리콘, 탄소, 산소 및 수소를 포함하는 저유전상수 필름을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 저유전상수 필름의 경도를 증가시키기에 충분한 조건에서 저유전상수 필름을 전자 비임에 노출시키는 단계를 더 포함한다.

4. 发明公开

KR1020010053597A 화학 기상 증착 기화기 无效
标题翻译：化学气相沉积蒸发器
公开(公告)号：KR1020010053597A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020017000978
申请日：1999-07-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 짜오,준 , 루오,리 , 진,시아오리앙 , 창,프랭크 , 돈페스트,챨스 , 탕,포
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 본 발명은 적절한 기판 상에 액체 전구체를 기화시키고 박막을 증착하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 고용량 다이나믹 메모리 모듈 내에서 유용한 집적회로를 제조하기 위해 실리콘 웨이퍼 상에 바륨 스트론튬 티타네이트(BST) 박막과 같은 금속산화물 박막을 증착하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이러한 기화기는 용이하게 조립 및 해체되도록 구성된 열적으로 제어된 구성요소를 포함한다. 주 기화부는 순간 기화를 위한 큰 가열 표면을 제공한다. 고전도성 브로커가 연장된 기화 표면을 제공하도록 기화기의 하단부에 배치된다. 선택적으로, 기화되지 않은 드롭렛을 포획하도록 필터가 적용될 수도 있다.

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