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1. 发明授权

KR101815784B1 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101815784B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020160111678
申请日：2016-08-31
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L2924/18161
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은보호층, 상기보호층위에형성된제1재배선층및 상기보호층아래에형성된제2재배선층을포함하는인터포저; 상기제1재배선층에접속된반도체다이; 및, 상기반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 상기인터포저는상기보호층위에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 또한보호층아래에제2시드층및 제2재배선층이순차적으로형성되도록구성되며, 상기제1시드층및 제2시드층은직접전기적으로접속된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.

2. 发明授权

KR101731700B1 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101731700B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150037481
申请日：2015-03-18
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2224/1132 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81224 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/81911 , H01L2224/81913 , H01L2224/81914 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/83192 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/1421 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2221/68304 , H01L2221/68363 , H01L21/56 , H01L21/4853
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은재배선층및 상기재배선층을덮는보호층을포함하는인터포저; 인터포저의보호층을관통하여재배선층에접속된반도체다이; 및, 반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 인터포저는보호층아래에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 제1시드층위에보호층을관통하는범프시드층이직접형성되고, 범프시드층위에반도체다이와접속되는마이크로범프패드가형성된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.

3. 发明授权

KR101815785B1 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101815785B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020160111679
申请日：2016-08-31
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은보호층및 상기보호층위에형성된재배선층을포함하는인터포저; 상기재배선층에접속된반도체다이; 및, 상기반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 상기인터포저는상기보호층위에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 상기제1시드층아래에상기보호층을관통하는언더범프시드층이직접형성되고, 상기언더범프시드층아래에언더범프메탈이형성된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.

4. 发明公开

KR1020160113074A 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160113074A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020160111679
申请日：2016-08-31
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L21/76805 , H01L21/56 , H01L21/76832 , H01L24/97 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은보호층및 상기보호층위에형성된재배선층을포함하는인터포저; 상기재배선층에접속된반도체다이; 및, 상기반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 상기인터포저는상기보호층위에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 상기제1시드층아래에상기보호층을관통하는언더범프시드층이직접형성되고, 상기언더범프시드층아래에언더범프메탈이형성된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明是提供一种具有通过使用传统的凸块设备而不具有硅穿透电极的插入件的半导体器件及其制造方法。为此，半导体器件包括：内插器，包括保护层和形成在保护层上的重新布线层; 连接到所述电线层的半导体管芯; 以及模制半导体管芯的树脂。插入器被配置为具有顺序地形成在保护层上的第一晶种层和第一再导线层，并且具有穿透保护层的下凸起晶种层，直接形成在第一种子层下。在凸起下的种子层下方形成凸块下金属。

5. 发明公开

KR1020160113073A 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160113073A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020160111678
申请日：2016-08-31
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L2924/18161 , H01L21/76805 , H01L21/56 , H01L21/76832 , H01L24/97
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은보호층, 상기보호층위에형성된제1재배선층및 상기보호층아래에형성된제2재배선층을포함하는인터포저; 상기제1재배선층에접속된반도체다이; 및, 상기반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 상기인터포저는상기보호층위에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 또한보호층아래에제2시드층및 제2재배선층이순차적으로형성되도록구성되며, 상기제1시드층및 제2시드층은직접전기적으로접속된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。要解决的方案是提供一种具有通过使用传统的碰撞设备而不具有通过硅通孔的插入件的半导体器件及其制造方法。为此，半导体器件包括：内插器，其包括保护层，形成在保护层上的第一重绕线层和形成在保护层下面的第二重绕线层; 连接到所述第一布线层的半导体管芯; 和树脂成型半导体管芯。插入器被配置为具有顺序地形成在保护层上的第一种子层和第一重新布线层，还具有顺序地形成在保护层下方的第二籽晶层和第二覆盖层。第一种子层和第二种子层直接电连接到半导体器件。

6. 发明公开

KR1020160108942A 반도체 패키지 구조 및 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装结构和制造方法
公开(公告)号：KR1020160108942A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150032423
申请日：2015-03-09
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 한동훈 , 이지창 , 조현
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28 , H01L23/00
CPC分类号： H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L23/49541 , H01L23/28 , H01L24/97
摘要： 본발명에따르면, 반도체패키지의구조에서상부반도체다이가접착되는하부기판의백사이드상실리콘웨이퍼에대해상부반도체다이가접착되는영역외에나머지영역에대해서는실리콘웨이퍼를제거하지않고남겨두어실리콘프레임을형성시킴으로써하부기판이실리콘프레임에의해지지되도록하여하부기판과상부반도체다이간두께의불균형으로인한워페이지발생을방지시킬수 있다.
摘要翻译：根据本发明，在半导体封装的结构中，硅晶片留在接合有上半导体管芯的下基板的背侧硅晶片上，可以防止由于下基板和上半导体管芯之间的厚度不均匀而产生的翘曲。

7. 发明授权

KR101675667B1 반도체 패키지 구조 및 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装结构及其方法
公开(公告)号：KR101675667B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020150032423
申请日：2015-03-09
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 한동훈 , 이지창 , 조현
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28 , H01L23/00
CPC分类号： H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511
摘要： 본발명에따르면, 반도체패키지의구조에서상부반도체다이가접착되는하부기판의백사이드상실리콘웨이퍼에대해상부반도체다이가접착되는영역외에나머지영역에대해서는실리콘웨이퍼를제거하지않고남겨두어실리콘프레임을형성시킴으로써하부기판이실리콘프레임에의해지지되도록하여하부기판과상부반도체다이간두께의불균형으로인한워페이지발생을방지시킬수 있다.
摘要翻译：根据本发明，半导体封装结构在除了上半导体管芯附着于上半导体管芯的背面上的硅晶片的区域之外的剩余区域中保留硅晶片，其中上半导体管芯附着到其上，而不去除硅晶片，并且通过硅框架形成硅框架以支撑下基板，由此防止由下基板和上半导体管芯之间的厚度不均匀引起的翘曲的产生。

8. 发明公开

KR1020160112210A 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160112210A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150037481
申请日：2015-03-18
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 김동진 , 김진한 , 도원철 , 김도형 , 이지훈 , 한동훈 , 배재훈 , 기원명 , 박준환 , 손승남 , 조현
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2224/1132 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81224 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/81911 , H01L2224/81913 , H01L2224/81914 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/83192 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/1421 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2221/68304 , H01L2221/68363 , H01L21/56 , H01L21/4853 , H01L21/76805 , H01L21/76832
摘要： 본발명의일 실시예는반도체디바이스및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는통상의범핑장비를이용하여실리콘관통전극이없는인터포저를갖는반도체디바이스및 그제조방법을제공하는데있다. 이를위해본 발명은재배선층및 상기재배선층을덮는보호층을포함하는인터포저; 인터포저의보호층을관통하여재배선층에접속된반도체다이; 및, 반도체다이를몰딩하는수지를포함하고, 인터포저는보호층아래에제1시드층및 제1재배선층이순차적으로형성되도록구성되고, 제1시드층위에보호층을관통하는범프시드층이직접형성되고, 범프시드층위에반도체다이와접속되는마이크로범프패드가형성된반도체디바이스및 그제조방법을개시한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的技术目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以使用正常的凸块设备，以便具有不具有通硅通孔（TSV）的插入件。为此，半导体器件包括：插入器，包括再分配层和保护层以覆盖再分布层; 穿过插入件的保护层以连接到再分配层的半导体管芯; 以及模制半导体管芯的树脂。中间层形成为在保护层的下方顺序地形成第一种子层和第一再分布层，在第一籽晶层上直接形成穿透保护层的凸起籽晶层，形成与半导体管芯连接的微凸块焊盘在凸起种子层上。

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