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1. 发明授权

KR102249608B1 발광 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR102249608B1
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：KR1020167007895
申请日：2014-09-30
申请人： 알레디아
发明人： 부비에크리스토프 , 도넬에르완 , 휴곤자비에 , 칼리카를로
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/44 , H05B33/08
摘要： 본발명은제 1 유형의전도성으로선택적으로도핑된반도체기판(10); 상기기판에전기적으로접속되고, 제 1 유형의전도성또는반대되는제 2 유형의전도성으로도핑되고, 기판보다더 고농도로도핑된제 1 반도체영역(14); 제 1 반도체영역상에지지되는제 1 세트(A)의제 1 발광다이오드(DEL) - 이제 1 발광다이오드는와이어형, 원추형또는원추대형반도체요소를포함함 -; 및제 1 반도체영역과접촉되는전도성부분(36)을포함하는광전자디바이스(5)에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020160065846A 발광 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：包含发光二极管的光电装置
公开(公告)号：KR1020160065846A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020167008532
申请日：2014-09-30
申请人： 알레디아
发明人： 부비에크리스토프 , 도넬에르완
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38
CPC分类号： H01L27/156 , H01L27/153 , H01L33/025 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01L2924/12041
摘要： 본발명은대향하는제 1 표면(12) 및제 2 표면(14)을포함하는반도체기판(10), 이기판의제 1 부분(54) 상에지지되고, 원추형또는원추대형와이어형반도체소자(20)를포함하는제 1 발광다이오드(DEL)의제 1 어셈블리(D), 각각의제 1 발광다이오드(DEL)를피복하는제 1 전극(30), 기판으로부터절연되고, 기판을통해연장되고, 제 1 전극에접속되는제 1 전도성부분(42); 기판의제 2 부분(54) 상에지지되고, 원추형또는원추대형와이어형반도체소자(20)를포함하는제 2 발광다이오드(DEL)의제 2 어셈블리(D), 각각의제 2 발광다이오드(DEL)를피복하는제 2 전극(30), 상기기판으로부터절연되고, 제 2 전극에접속되는제 2 전도성부분(42), 및제 1 전도성부분을제 2 표면의측 상에서기판의제 2 부분에접속시키는제 1 전도성요소(46, 51, 48)를포함하는광전자디바이스(5)에관한것이다.
摘要翻译：一种包括第一和第二相对面的半导体衬底的光电器件，位于衬底的第一部分上的第一组第一发光二极管，包括锥形或截头圆锥形的线状半导体元件，发光二极管，与基板绝缘的第一导电部分，延伸穿过基板并连接到第一电极; 第二组第二发光二极管，其位于基板的第二部分上并且包括锥形或截头圆锥形的线状半导体元件，覆盖每个第二发光二极管的第二电极，与该基板绝缘的第二导电部分，所述第二电极以及将所述第一导电部分连接到所述第二面的所述基板的所述第二部分的第一导电元件。

3. 发明授权

KR102225302B1 발광 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR102225302B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020167008532
申请日：2014-09-30
申请人： 알레디아
发明人： 부비에크리스토프 , 도넬에르완
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38
摘要： 본발명은대향하는제 1 표면(12) 및제 2 표면(14)을포함하는반도체기판(10), 이기판의제 1 부분(541) 상에지지되고, 원추형또는원추대형와이어형반도체소자(201)를포함하는제 1 발광다이오드(DEL1)의제 1 어셈블리(D1), 각각의제 1 발광다이오드(DEL1)를피복하는제 1 전극(301), 기판으로부터절연되고, 기판을통해연장되고, 제 1 전극에접속되는제 1 전도성부분(421); 기판의제 2 부분(542) 상에지지되고, 원추형또는원추대형와이어형반도체소자(202)를포함하는제 2 발광다이오드(DEL2)의제 2 어셈블리(D2), 각각의제 2 발광다이오드(DEL2)를피복하는제 2 전극(302), 상기기판으로부터절연되고, 제 2 전극에접속되는제 2 전도성부분(422), 및제 1 전도성부분을제 2 표면의측 상에서기판의제 2 부분에접속시키는제 1 전도성요소(461, 51, 482)를포함하는광전자디바이스(5)에관한것이다.

4. 发明公开

KR1020160064109A 발광 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：包含发光二极管的光电装置
公开(公告)号：KR1020160064109A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020167007895
申请日：2014-09-30
申请人： 알레디아
发明人： 부비에크리스토프 , 도넬에르완 , 휴곤자비에 , 칼리카를로
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/44 , H05B33/08
CPC分类号： H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H05B33/0884 , H01L33/44 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： 본발명은제 1 유형의전도율로선택적으로도핑된반도체기판(10); 상기기판에전기적으로접속되고, 제 1 유형의전도율또는반대되는제 2 유형의전도율로도핑되고, 기판보다더 고농도로도핑된제 1 반도체영역(14); 제 1 반도체영역상에지지되는제 1 세트(A)의제 1 발광다이오드(DEL) - 이제 1 발광다이오드는와이어형, 원추형또는원추대형반도체요소를포함함 -; 및제 1 반도체영역과접촉되는전도성부분(36)을포함하는광전자디바이스(5)에관한것이다.
摘要翻译：包括可选地掺杂有第一类型导电性的半导体衬底的光电子器件; 第一半导体区域，其电连接到所述衬底，掺杂有所述第一类型的导电性或第二相对导电类型，并且比所述衬底更强地掺杂; 第一组第一发光二极管位于第一半导体区域上，第一发光二极管包括线状，锥形或截头圆锥半导体元件; 以及与第一半导体区域接触的导电部分。

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