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1. 发明公开

KR1020090116660A 제어된 전단 영역을 이용한 박막 층 전이 기법 有权
标题翻译：使用控制剪切区域的薄膜的层转移
公开(公告)号：KR1020090116660A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020090039968
申请日：2009-05-07
申请人： 실리콘 제너시스 코포레이션
发明人： 프랑수아제이.헨리
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , B26F3/004 , B26F3/16 , H01L21/76254 , H01L31/18 , Y10T83/041 , Y10T83/283
摘要： PURPOSE: A layer transfer of films utilizing controlled shear region is provided to improve productivity while reducing system energy consumption by removing an implantation process to form a cleave beginning region together with a peripheral area. CONSTITUTION: In a layer transfer of films utilizing controlled shear region, a surface region(1702) and peripheral area(1704) are formed on a substrate(1700). A cleave region(1706) is under the surface region, and the cleave area is a virtual plane and a layer which is under the surface at a predetermined depth d. A film is cleaved at the cleave area from the substrate, and a part of the peripheral area is associated with a certain pattern area of the surface region. A heat source with energy with a certain level is applied to the surface vertically.
摘要翻译：目的：提供利用受控剪切区域的膜的层转移，以通过去除植入工艺以与外围区域一起形成切割开始区域来降低系统能量消耗，从而提高生产率。构成：在利用受控剪切区域的膜的层转移中，在衬底（1700）上形成表面区域（1702）和外围区域（1704）。劈裂区域（1706）在表面区域下方，并且解理区域是虚拟平面，并且在预定深度d处的表面下方的层。在基板的切割区域处切割膜，并且周边区域的一部分与表面区域的某一图案区域相关联。具有一定水平能量的热源垂直施加在表面上。

2. 发明授权

KR101656097B1 제어된 전단 영역을 이용한 박막 층 전이 기법 有权
标题翻译：使用控制剪切区域的薄膜的层转移
公开(公告)号：KR101656097B1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：KR1020090039968
申请日：2009-05-07
申请人： 실리콘 제너시스 코포레이션
发明人： 프랑수아제이.헨리
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , B26F3/004 , B26F3/16 , H01L21/76254 , H01L31/18 , Y10T83/041 , Y10T83/283
摘要： 표면영역의바로아래의소정깊이의클리브영역과표면영역을갖는반도체기판을제공하여물질필름을구성할수 있다. 기판으로부터필름클리브의절차동안, 클리브영역에서전단이주의하여제어된다. 실시예들에따라, 인-플랜전단컴포넌트(in-plane shear component (KII))가 0에근접하여유지되고, 텐슬영역(tensile region)과압축영역(compressive region) 간의삽입된다. 일실시예에서, 클리빙은기판표면에걸쳐위치된면을이용하여이루어질수 있다. 상기면은클리빙동안필름의운동을유지하도록지원하며, 로컬화된열적처리와함께클리빙절차동안생성된전단을제거한다. 다른실시예들에따라, KII 컴포넌트는의도적으로높은레벨에서유지되고, 가이드를위해지원하며, 클리브순서를통해분열전파를제어한다. 일실시예에서, 높은 KII 컴포넌트는 E-빔방사에대한방출을통해실리콘의단열히팅에의해이루어지며, 높은급격한열적그래디언트(thermal gradient)와실리콘에서정확하게정의된깊이에서초래한스트레스를준다.

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