专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101571685B1 초음파 세정 장치 및 초음파 세정 방법 有权
标题翻译：超声波清洗设备和超声波清洗方法
公开(公告)号：KR101571685B1
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020107019029
申请日：2009-01-23
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시 , 아라이,이즈미
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/12 , H01L21/67057
摘要： 본발명은, 적어도, 피세정물을침지하여세정하기위한세정액을수용하는세정조와, 상기세정조에초음파를전반하기위한전반수를수용하는초음파전반조와, 초음파전반조의하부에배치된진동자에의해초음파를전반수에중첩하는진동판과, 세정하는피세정물을세정조중에유지하는유지치구를구비하며, 피세정물이유지치구로유지되어세정조내의세정액에침지되고, 세정조가초음파전반조내의전반수에담가져진동판에의해중첩한초음파를전반수를통해세정조에전반시켜피세정물을초음파세정하는초음파세정장치로서, 초음파전반조를수평면내에서요동시키는전반조요동기구를구비하는초음파세정장치이다. 이에의해, 초음파세정에있어서의피세정물의세정얼룩짐을억제하고, 세정조수를삭감하여장치의코스트를저감할수 있어, 파티클제거를효과적으로실시할수 있는초음파세정장치및 초음파세정방법이제공된다.

2. 发明公开

KR1020160008535A 초음파 세정장치 및 세정방법 审中-实审
标题翻译：超声波清洗装置和清洗方法
公开(公告)号：KR1020160008535A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020157031754
申请日：2014-04-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 카바사와,히토시 , 아베,타츠오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/463 , B08B3/12
CPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02052 , H01L21/67057
摘要： 본발명은, 저면에기울기를갖는세정조를이용하여피세정물의초음파세정을행하는세정방법으로서, 상기세정조를복수개이용하고, 이복수의세정조의저면의기울기의방향을인접하는세정조마다변경하여상기피세정물을세정하는것을특징으로하는세정방법이다. 이에따라, 초음파세정에의한웨이퍼의세정에있어서, 웨이퍼의세정불균일을해소할수 있다.

3. 发明授权

KR101774843B1 반도체 웨이퍼의 세정 방법 有权
公开(公告)号：KR101774843B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020137033145
申请日：2012-05-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시
IPC分类号： H01L21/02 , C23G1/02
CPC分类号： H01L21/02052
摘要： 본발명은, HF 세정, 오존수세정, HF 세정의순서로행하는세정공정을적어도 1회갖는반도체웨이퍼의세정방법에있어서, 상기반도체웨이퍼의세정방법에있어서최후에행해지는 HF 세정에서, 상기반도체웨이퍼표면에상기오존수세정으로형성된산화막을모두제거하는일 없이상기반도체웨이퍼표면상에두께를일부남겨두도록하여세정하는것을특징으로하는반도체웨이퍼의세정방법이다. 이에따라, 반도체웨이퍼의세정에있어서, 반도체웨이퍼표면에서의금속불순물레벨과파티클레벨을동시에저감시킬수 있는반도체웨이퍼의세정방법이제공된다.

4. 发明授权

KR101697659B1 반도체 웨이퍼의 세정방법 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING方法
公开(公告)号：KR101697659B1
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020137015513
申请日：2011-11-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 카바사와,히토시 , 아베,타츠오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/02052
摘要： 본발명은, 반도체웨이퍼를세정하는방법으로서, 상기반도체웨이퍼를 SC1 세정액에의해세정하는공정과, 상기 SC1 세정액에의해세정된반도체웨이퍼를불산에의해세정하는공정과, 상기불산으로세정반도체웨이퍼를오존농도가 3ppm 이상인오존수에의해세정하는공정을포함하며, 상기 SC1 세정액에의한반도체웨이퍼의에칭마진을 0.1 내지 2.0nm로하는것을특징으로하는반도체웨이퍼의세정방법이다. 이에의해, 세정에의한웨이퍼의표면거칠기의악화를저감시키고, 또한효과적으로웨이퍼의세정을실시할수 있는반도체웨이퍼의세정방법이제공된다.
摘要翻译：本发明是一种清洗半导体晶片的方法，包括以下步骤：用SC1清洗液清洗半导体晶片，用氢氟酸清洗由SC1清洗液清洗的半导体晶片，并清洗由氢氟酸清洗的半导体晶片，臭氧浓度为3ppm以上的臭氧化水，其中用SC1清洗液对半导体晶片进行的蚀刻去除为0.1〜2.0nm，由此提供一种清洗半导体晶片的方法，其中晶片的表面粗糙度变差由于清洗可以减少，可以有效地进行晶片的清洗。

5. 发明公开

KR1020150013505A 반도체 웨이퍼의 세정방법 审中-实审
标题翻译：清洗半导体波形的方法
公开(公告)号：KR1020150013505A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020147031297
申请日：2013-04-18
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67057 , H01L21/02052
摘要： 본 발명은, 반도체 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 평균 Al농도가 1ppb 이하인 합성석영재로 이루어진 세정조 내에, 암모니아 및 과산화수소수를 포함하는 세정액을 채우고, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 세정액에 침지시키고, 상기 세정액에 의한 상기 합성석영의 표면 에칭속도가 0.3nm/min 이하가 되도록 하여 상기 반도체 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법이다. 이에 따라, 암모니아·과수 세정액 중의 Al농도를 저농도로 유지하여, 반도체 웨이퍼의 표면 청정도를 향상시킬 수 있는 세정방법이 제공된다.

6. 发明公开

KR1020140058397A 반도체 웨이퍼의 세정방법 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING方法
公开(公告)号：KR1020140058397A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020137015513
申请日：2011-11-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 카바사와,히토시 , 아베,타츠오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/6704 , H01L2924/01009
摘要： 본 발명은, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법으로서, 상기 반도체 웨이퍼를 SC1 세정액에 의해 세정하는 공정과, 상기 SC1 세정액에 의해 세정된 반도체 웨이퍼를 불산에 의해 세정하는 공정과, 상기 불산으로 세정 반도체 웨이퍼를 오존 농도가 3ppm 이상인 오존수에 의해 세정하는 공정을 포함하며, 상기 SC1 세정액에 의한 반도체 웨이퍼의 에칭 마진을 0.1 내지 2.0nm로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정방법이다. 이에 의해, 세정에 의한 웨이퍼의 표면 거칠기의 악화를 저감시키고, 또한 효과적으로 웨이퍼의 세정을 실시할 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정방법이 제공된다.
摘要翻译：本发明是一种清洗半导体晶片的方法，包括以下步骤：用SC1清洗液清洗半导体晶片，用氢氟酸清洗由SC1清洗液清洗的半导体晶片，并清洗由氢氟酸清洗的半导体晶片，臭氧浓度为3ppm以上的臭氧化水，其中用SC1清洗液对半导体晶片进行的蚀刻去除为0.1〜2.0nm，由此提供一种清洗半导体晶片的方法，其中晶片的表面粗糙度变差由于清洗可以减少，可以有效地进行晶片的清洗。

7. 发明授权

KR102081378B1 초음파 세정장치 및 세정방법 有权
公开(公告)号：KR102081378B1
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：KR1020157031754
申请日：2014-04-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 카바사와,히토시 , 아베,타츠오
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , B08B3/12

8. 发明授权

KR101989341B1 반도체 웨이퍼의 세정방법 有权
公开(公告)号：KR101989341B1
公开(公告)日：2019-06-17
申请号：KR1020147031297
申请日：2013-04-18
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시
IPC分类号： H01L21/304

9. 发明公开

KR1020140058439A 반도체 웨이퍼의 세정 방법 有权
标题翻译：清洗半导体波形的方法
公开(公告)号：KR1020140058439A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020137033145
申请日：2012-05-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시
IPC分类号： H01L21/02 , C23G1/02
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02 , C23G1/02 , H01L21/02041 , H01L21/304 , H01L21/4892
摘要： 본 발명은, HF 세정, 오존수 세정, HF 세정의 순서로 행하는 세정 공정을 적어도 1회 갖는 반도체 웨이퍼의 세정 방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 세정 방법에 있어서 최후에 행해지는 HF 세정에서, 상기 반도체 웨이퍼 표면에 상기 오존수 세정으로 형성된 산화막을 모두 제거하는 일 없이 상기 반도체 웨이퍼 표면상에 두께를 일부 남겨 두도록 하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 세정 방법이다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼의 세정에 있어서, 반도체 웨이퍼 표면에서의 금속 불순물 레벨과 파티클 레벨을 동시에 저감시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 세정 방법이 제공된다.

10. 发明公开

KR1020100137431A 초음파 세정 장치 및 초음파 세정 방법 有权
标题翻译：超声波清洗设备和超声波清洗方法
公开(公告)号：KR1020100137431A
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020107019029
申请日：2009-01-23
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아베,타츠오 , 카바사와,히토시 , 아라이,이즈미
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/12 , H01L21/67057 , H01L21/304
摘要： 본 발명은, 적어도, 피세정물을 침지하여 세정하기 위한 세정액을 수용하는 세정조와, 상기 세정조에 초음파를 전반하기 위한 전반수를 수용하는 초음파 전반조와, 초음파 전반조의 하부에 배치된 진동자에 의해 초음파를 전반수에 중첩하는 진동판과, 세정하는 피세정물을 세정조 중에 유지하는 유지 치구를 구비하며, 피세정물이 유지 치구로 유지되어 세정조 내의 세정액에 침지되고, 세정조가 초음파 전반조 내의 전반수에 담가져 진동판에 의해 중첩한 초음파를 전반수를 통해 세정조에 전반시켜 피세정물을 초음파 세정하는 초음파 세정 장치로서, 초음파 전반조를 수평면 내에서 요동시키는 전반조 요동 기구를 구비하는 초음파 세정 장치이다. 이에 의해, 초음파 세정에 있어서의 피세정물의 세정 얼룩짐을 억제하고, 세정조수를 삭감하여 장치의 코스트를 저감할 수 있어, 파티클 제거를 효과적으로 실시할 수 있는 초음파 세정 장치 및 초음파 세정 방법이 제공된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式