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1. 发明公开

KR1020120074237A 정제 아미노실란의 제조 방법 无效
标题翻译：制备纯化氨基硅烷的方法
公开(公告)号：KR1020120074237A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020110142029
申请日：2011-12-26
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하마다,요시따까 , 히라하라,가즈히로
IPC分类号： C07F7/10 , C07B63/02
CPC分类号： C07F7/10 , C07F7/20
摘要： PURPOSE: A method for preparing amino silane of high purity is provided to reduce the quantity of halogen and to obtain an insulation film of high quality. CONSTITUTION: A method for preparing purified amino silane comprises a process of treating amino silane containing 1 ppm(w/w) or more of halogen as an impurity with alkyl metal reagent; and a step of distilling the treated amino silane. The alkyl metal reagent is alkyl lithium reagent. The amino silane is tris(dialkyl amino)silane in which alkyl group of 1-4 carbon atoms is substituted with nitrogen.
摘要翻译：目的：提供一种制备高纯度氨基硅烷的方法，以减少卤素的量并获得高质量的绝缘膜。构成：制备纯化氨基硅烷的方法包括用烷基金属试剂处理含有1ppm（w / w）以上卤素的杂质的氨基硅烷的方法; 以及蒸馏经处理的氨基硅烷的步骤。烷基金属试剂是烷基锂试剂。氨基硅烷是其中1-4个碳原子的烷基被氮取代的三（二烷基氨基）硅烷。

2. 发明授权

KR101718175B1 광학 재료 형성용 실리콘 수지 조성물 및 광학 재료 有权
标题翻译：光学材料形成用有机硅树脂组合物和光学材料
公开(公告)号：KR101718175B1
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020120004167
申请日：2012-01-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하마다,요시따까 , 히라하라,가즈히로
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , C08K9/06 , G02B1/04
CPC分类号： C08G77/50 , C08G77/52 , C08K3/36 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 본발명은가수분해성실란화합물 (A)를포함하는규소계단량체를가수분해·축합하여얻어지는규소계고분자화합물을포함하는광학재료형성용실리콘수지조성물로서, 가수분해성실란화합물 (A)는지방족탄화수소기또는방향환함유탄화수소기에의한가교기에의해연결된 1쌍이상의규소원자를갖고, 상기 1쌍이상의규소원자에는합계로 3개이상의수소원자, 수산기및 가수분해성기로부터선택되는치환기가결합한실란화합물이고, 상기규소계단량체는가수분해성실란화합물 (A)를규소기준으로 70 몰% 이상포함하고, 방향족골격을포함하는규소원자의치환기의비율이, 규소원자에결합한치환기전체의 30 % 몰이하인광학재료형성용실리콘수지조성물을제공한다. 본발명의광학재료형성용실리콘수지조성물은투명성이우수하고, 열충격등의스트레스에강한경화물을제공할수 있다. 따라서, 광학재료의용도에바람직하게사용할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种光学材料，有机硅树脂形成用组合物包含含有可水解硅烷化合物（A），可水解硅烷化合物（A），其由硅类单体获得的水解缩合的硅系聚合物化合物是一种脂肪族烃基或芳族的具有硅原子的通过交联由其它机器烃，和硅烷化合物结合的取代基连接的至少一对或多对含有环的，所述对中的一个硅原子，总要来自三个或更多个氢原子，羟基和可水解基团，其特征在于选择硅类单体包括可水解硅烷化合物（a）为基于包含多于70摩尔％的硅，和光学材料中的硅原子的取代基的比例，含有芳香族键合到硅原子的摩尔取代基整个的小于30％的骨架形成提供有机硅树脂组合物。本发明的用于形成光学材料的有机硅树脂组合物可以提供透明性优异且耐受热冲击等应力的透明树脂。因此，它可以优选用于光学材料的使用。

3. 发明授权

KR101559610B1 트리실릴아민의 제조 방법 有权
标题翻译：三甲胺的制备方法
公开(公告)号：KR101559610B1
公开(公告)日：2015-10-13
申请号：KR1020110003828
申请日：2011-01-14
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하마다,요시따까 , 히라하라,가즈히로
IPC分类号： C01B21/092 , C01B33/00 , B01J19/00
CPC分类号： C01B21/087
摘要： 본발명은보다염가이고용이하게고순도인트리실릴아민을얻을수 있는트리실릴아민의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 또한, 퍼히드로폴리실라잔을무산소또는저산소분위기하에서가열분해하는트리실릴아민의제조방법을제공한다.

4. 发明公开

KR1020120082828A 광학 재료 형성용 실리콘 수지 조성물 및 광학 재료 有权
标题翻译：硅树脂组合物和光学材料
公开(公告)号：KR1020120082828A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020120004167
申请日：2012-01-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하마다,요시따까 , 히라하라,가즈히로
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , C08K9/06 , G02B1/04
CPC分类号： C08G77/50 , C08G77/52 , C08K3/36 , H01L2224/48091 , C08L83/04 , C08G77/04 , C08G77/08 , C08G77/60 , C08K9/06 , C09D183/04 , C09D183/14 , G02B1/04 , H01B3/46 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A silicone resin composition for forming optical material and an optical material are provided to improve transparency and prevent siloxane contamination due to pyrolysis. CONSTITUTION: A silicone resin composition for forming optical material contains silicon based polymer which is obtained by condensating/hydrolysis the silicon based monomer which includes the hydrolyzable silane. The silane compound is represented by chemical formula 1. The hydrolysis silane compound is C1-6 linear, branched, or cyclic aliphatic carbon hydrogen group, or a silane compound which combines a substituent selected from three or more hydrogen atom, hydroxyl group, and hydrolysable group with one or more of silicon atom. The silicon based monomer includes more than 70 mole% of hydrolysis silane compound based on silicon.
摘要翻译：目的：提供用于形成光学材料和光学材料的有机硅树脂组合物以提高透明度并防止由于热解引起的硅氧烷污染。构成：用于形成光学材料的有机硅树脂组合物含有通过冷凝/水解包含可水解硅烷的硅基单体获得的硅基聚合物。硅烷化合物由化学式1表示。水解硅烷化合物为C 1-6直链，支链或环状脂族碳氢基团，或将选自三个或更多个氢原子，羟基和可水解的取代基组合的硅烷化合物与一个或多个硅原子组合。硅基单体包括大于70摩尔％的基于硅的水解硅烷化合物。

5. 发明公开

KR1020110084115A 트리실릴아민의 제조 방법 有权
标题翻译：三甲胺的制备方法
公开(公告)号：KR1020110084115A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020110003828
申请日：2011-01-14
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하마다,요시따까 , 히라하라,가즈히로
IPC分类号： C01B21/092 , C01B33/00 , B01J19/00
CPC分类号： C01B21/087 , C01B21/092 , B01J19/00 , C01B21/068 , C01B33/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing trisilylamine is provided to obtain the trisilylamine by heating and decomposing perhydropolysilazane at an anoxic atmosphere or a low oxygen atmosphere. CONSTITUTION: A method for manufacturing trisilylamine includes the following: Perhydropolysilazane is heated and decomposed at an anoxic atmosphere or at a low oxygen atmosphere. The heating and decomposing process is implemented at temperature between 300 and 600 degrees Celsius. The anoxic atmosphere or the low oxygen atmosphere is an inert gas atmosphere or a decompressed atmosphere with respect to the perhydropolysilazane and the trisilylamine. Inert gas is one or more selected from a group including hydrogen gas and rare gas.
摘要翻译：目的：提供制备三甲胺的方法，通过在缺氧气氛或低氧气氛下加热和分解全氢聚硅氮烷来获得三甲胺。构成：制备三甲胺的方法包括以下步骤：将全氢聚硅氮烷在缺氧气氛或低氧气氛下加热分解。加热和分解过程在300至600摄氏度之间的温度下进行。缺氧气氛或低氧气氛是关于全氢聚硅氮烷和三甲胺的惰性气体气氛或减压气氛。惰性气体是选自包括氢气和稀有气体在内的一种或多种。

6. 发明授权

KR100616399B1 화학 증폭형 레지스트 재료 有权
标题翻译：化学抗菌组合物
公开(公告)号：KR100616399B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020010011918
申请日：2001-03-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다께다,다까노부 , 와따나베,오사무 , 히라하라,가즈히로 , 다께무라,가쯔야 , 구사끼,와따루 , 세끼,아끼히로
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖고 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 고분자 화합물과, 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 갖고 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 고분자 화합물과의 고분자 혼합물을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 재료에 관한 것이다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료는 폴리히드록시스티렌 유도체와, 히드록시스티렌과 (메트)아크릴산 에스테르의 공중합체, 특히 3성분 공중합체 모두를 베이스 수지로 삼아 레지스트 재료에 배합함으로써 종래의 레지스트 재료를 능가하는 드라이 에칭 내성, 고감도 및 고해상도, 프로세스 적응성을 가지며, 알칼리 수용액으로 현상한 후에 패턴 막 두께의 감소가 개선된 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료를 제공할 수 있다.

화학 증폭, 포지티브형 레지스트 재료

7. 发明授权

KR100582157B1 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：抗蚀材料和图案形成方法
公开(公告)号：KR100582157B1
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020010048635
申请日：2001-08-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다께다,다까노부 , 와따나베,오사무 , 히라하라,가즈히로 , 마에다,가즈노리 , 구사끼,와따루 , 나구라,시게히로
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F1/76
CPC分类号： C08F220/30 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량 1,000 내지 500,000의 고분자 화합물을 포함하는 레지스트 재료에 관한 것이다.
또한 본 발명의 레지스트 재료는 노광 전후의 알칼리 용해 속도 콘트라스트가 매우 높고, 고감도, 고해상성을 가지며, 노광 후의 패턴 형상이 양호하고, 우수한 에칭 내성 및 공정 적응성을 갖는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로서 바람직하다.

식 중, R
1 , R
2 , R
3 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Z는 탄소수 2 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타내며, R
4 는 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 또는 산소 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고, R
5 는 탄소수 5 내지 20의 3급 알킬기를 나타내며, p, q, r은 양수이고, p+q+r=1을 만족하는 수이다.
포토레지스트, 반도체, 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료, 리소그래피
摘要翻译：本发明涉及包括至500,000具有由下述通式（1）表示的重复单元具有1,000的重均分子量的聚合物化合物的抗蚀剂组合物。

8. 发明公开

KR1020020013796A 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：耐材料和图案形成方法
公开(公告)号：KR1020020013796A
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：KR1020010048635
申请日：2001-08-13
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다께다,다까노부 , 와따나베,오사무 , 히라하라,가즈히로 , 마에다,가즈노리 , 구사끼,와따루 , 나구라,시게히로
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F1/76
CPC分类号： C08F220/30 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： PURPOSE: To provide a chemical amplification positive type resist material having high contrast between the velocity of alkali dissolution before exposure and that after exposure, high sensitivity, high resolution, a good pattern shape after exposure, superior etching resistance and superior adaptability to a process. CONSTITUTION: The resist material contains a high molecular compound having repeating units of formula (1) (where R1-R3 are each H or methyl; Z is a 2-10C linear, branched or cyclic alkylene; R4 is H, a 1-10C linear, branched or cyclic alkyl or an oxygen-containing 1-10C linear, branched or cyclic alkyl; R5 is a 5-20C tertiary alkyl; (p), (q) and (r) are each a positive number and p+q+r=1) and having a weight average molecular weight of 1,000-500,000.
摘要翻译：目的：提供曝光前碱溶解速度与曝光后碱溶解速度高，灵敏度高，分辨率高，曝光后良好图案形状，优异的抗蚀刻性和对工艺适应性强的化学放大正型抗蚀剂材料。构成：抗蚀剂材料含有具有式（1）重复单元的高分子化合物（其中R 1 -R 3各自为H或甲基; Z为2-10C直链，支链或环状亚烷基; R4为H，1-10C 直链，支链或环状的烷基或含氧的1-10C直链，支链或环状烷基; R5是5-20C叔烷基;（p），（q）和（r）各自为正数，p + q + r = 1），重均分子量为1,000-500,000。

9. 发明公开

KR1020010089205A 화학 증폭형 레지스트 재료 有权
标题翻译：化学放大抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR1020010089205A
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1020010011918
申请日：2001-03-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 다께다,다까노부 , 와따나베,오사무 , 히라하라,가즈히로 , 다께무라,가쯔야 , 구사끼,와따루 , 세끼,아끼히로
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： PURPOSE: Provided is a chemical amplification resist composition, especially of the positive acting type, having a high sensitivity and resolution, and suitable as a micropatterning material for VLSI fabrication. CONSTITUTION: The chemical amplification type resist composition comprising a polymeric mixture of a polymer comprising recurring units of the formula(1) and having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000 and a polymer comprising recurring units of the formula(2) and having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000. In the formula(1), R is a hydroxyl group or a OR3 group, R1 is hydrogen or methyl, R2 is a straight, branched or cyclic alkyl group of 1 to 8 carbon atoms, R3 and R4 each are an acid labile group, R5 is methyl or ethyl, Z is a straight, branched or cyclic alkylene group of 1 to 10 carbon atoms, x is 0. In the formula(2), R6, R7 and R8 each are hydrogen or methyl, R9 is methyl or ethyl, E is a straight, branched or cyclic alkylene group of 1 to 10 carbon atoms, R10 is a straight, branched or cyclic alkyl group of 1 to 20 carbon atoms, which may contain an oxygen or sulfur atom, R11 is a tertiary alkyl group of 1 to 20 carbon atoms, k is 0 or a positive integer of up to 5, t and w each are a positive number, u and v each are 0 or a positive number, either one of u and v is not equal to 0, satisfying t+u+v+w=1.
摘要翻译：目的：提供具有高灵敏度和分辨率的化学放大抗蚀剂组合物，特别是正作用类型，并且适合作为用于VLSI制造的微图案材料。构成：包含由式（1）的重复单元和重均分子量为1,000至500,000的聚合物的聚合物混合物的化学放大型抗蚀剂组合物和包含式（2）的重复单元的聚合物，并且具有重均分子量为1,000〜500,000。式（1）中，R为羟基或OR 3基，R 1为氢或甲基，R 2为碳原子数为1〜8的直链，支链或环状烷基，R3和R4各自为酸不稳定基团， R5是甲基或乙基，Z是1-10个碳原子的直链，支链或环状亚烷基，x是0.在式（2）中，R 6，R 7和R 8各自是氢或甲基，R 9是甲基或乙基 E为1〜10个碳原子的直链，支链或环状亚烷基，R10为碳原子数1〜20的直链，支链或环状烷基，可含有氧原子或硫原子，R11为叔烷基 1至20个碳原子，k为0或最高为5的正整数，t和w各自为正数，u和v各自为0或正数，u和v中的任一个不等于0 ，满足t + u + v + w = 1。

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