基本信息:
- 专利标题： 화학 증폭형 레지스트 재료
- 专利标题（英）：Chemical Amplification Resist Compositions
- 专利标题（中）：化学抗菌组合物
- 申请号：KR1020010011918 申请日：2001-03-08
- 公开(公告)号：KR100616399B1 公开(公告)日：2006-08-29
- 发明人： 다께다,다까노부 , 와따나베,오사무 , 히라하라,가즈히로 , 다께무라,가쯔야 , 구사끼,와따루 , 세끼,아끼히로
- 申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 申请人地址： 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 专利权人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 代理人： 장수길; 구영창
- 优先权： JP2000-064277 2000-03-09
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료는 폴리히드록시스티렌 유도체와, 히드록시스티렌과 (메트)아크릴산 에스테르의 공중합체, 특히 3성분 공중합체 모두를 베이스 수지로 삼아 레지스트 재료에 배합함으로써 종래의 레지스트 재료를 능가하는 드라이 에칭 내성, 고감도 및 고해상도, 프로세스 적응성을 가지며, 알칼리 수용액으로 현상한 후에 패턴 막 두께의 감소가 개선된 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료를 제공할 수 있다.
화학 증폭, 포지티브형 레지스트 재료
The present invention relates to a polymer mixture of a polymer compound having a repeating unit having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000 which is represented by and a polymer compound having a repeating unit having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, the formula 2 of the formula 1 relates to a chemically amplified resist material containing.
Chemically amplified resist composition of the invention is polyhydroxystyrene derivative, hydroxystyrene and (meth) the conventional resist material by a copolymer of acrylic acid ester, and make everyone in particular three-component copolymer as the base resin blended in the resist material has surpassed the dry etching resistance, high resolution and high sensitivity, an adaptive process that, may provide a reduction in pattern thickness after developing with an aqueous alkali solution improved chemically amplified positive resist composition.
公开/授权文献:
- KR1020010089205A 화학 증폭형 레지스트 재료 公开/授权日：2001-09-29