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1. 发明公开

KR20180050437A ＩＩＩ－Ｖ 반도체 구조물들 및 그것을 형성하기 위한 방법들 有权
公开(公告)号：KR20180050437A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR20187012709
申请日：2011-03-23
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 린도우에드 , 아레나샨탈 , 버트람로날드 , 다타란잔 , 마하잔수바쉬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262
摘要： 본발명의실시예들은반도체구조물들을제작하는방법들, 및그러한방법들에의해서제조된반도체구조물들과관련된다. 일부실시예들에서, 방법들은 InGaN과같은그러한 III-V 물질들의반도체구조물들을제작하는데사용될수 있다. 반도체레이어는결과적인레이어의균일성을개선하기위하여, 결과적인레이어의표면거침을개선하기위하여, 그리고/또는스트레인이완의시작없이증가된두께로성장되는레이어를가능하게하기위하여다른성장조건들세트들을사용하여서브레이어들을성장시킴으로써제작된다.

2. 发明公开

KR1020130141592A HVPE 프로세스들을 이용하여 III-질화물 반도체 물질의 헤테로에피택셜 증착을 위한 개선된 템플레이트층들 审中-实审
标题翻译：使用HVPE工艺改进III型氮化物半导体材料的异相沉积模板
公开(公告)号：KR1020130141592A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020137015220
申请日：2011-11-23
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 버트램주니어로날드토마스 , 린도우에드 , 마하잔수바쉬 , 한일수
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/0665 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02667
摘要： 기판들 상에 III-질화물 반도체 물질들을 증착하는 방법들은 적어도 몇몇 비정질 III-질화물 반도체 물질을 포함하는 마이크로구조를 가지는 핵생성 층을 형성하기 위해 핵생성 HVPE 프로세스 단계에서 기판의 표면 상에 III-질화물 반도체 물질의 층을 증착하는 단계를 포함한다. 핵생성 층은 기판의 표면 상의 에피택셜 핵생성 물질의 결정성 아일랜드들을 형성하기 위해 어닐링될 수 있다. 에피택셜 핵생성 물질의 아일랜드들은 에피택셜 핵생성 물질의 핵생성 템플레이트층을 형성하기 위해 합체 HVPE 프로세스 단계에서 성장되고 합체될 수 있다. 핵생성 템플레이트층은 기판의 표면을 적어도 실질적으로 덮을 수 있다. 추가의 III-질화물 반도체 물질은 추가의 HVPE 프로세스 단계에서 에피택셜 핵생성 물질의 핵생성 템플레이트층 위에 증착될 수 있다. III-질화물 반도체 물질을 포함하는 최종 및 중간 구조들은 그와 같은 방법들에 의해 형성된다.

3. 发明公开

KR1020130141575A III족-질화물을 형성하는 방법 및 이와 같은 방법에 의해 형성되는 구조 审中-实审
标题翻译：形成III类氮化物材料的方法和通过这些方法形成的结构
公开(公告)号：KR1020130141575A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020137014538
申请日：2011-11-23
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 버트램주니어로날드토마스 , 린도우에드 , 마하잔수바쉬 , 멍판위
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/02104 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L29/2003
摘要： 본 발명의 실시 예들은 할로겐화물 기상 에피택시(HVPE) 프로세스를 이용하여 III족-질화물 반도체 구조를 형성하는 방법들을 포함한다. 이 방법들은 이종 성장기판의 표면 상에 연속의 III족-질화물 핵생성층을 형성하는 것을 포함하고, 이 연속의 III족-질화물 핵생성층은 이종 성장기판의 상측 표면을 숨긴다. 연속의 III족- 질화물 핵생성층을 형성하는 것은 III족-질화물층을 형성하고 상기 III족-질화물층을 열처리하는 것을 포함할 수 있다. 방법들은 연속의 III족-질화물 핵생성층 위에 추가의 III족-질화물층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.

4. 发明授权

KR101374090B1 에피택시 방법들과 그 방법들에 의하여 성장된 템플릿들 有权
标题翻译：通过方法生长的外延方法和模板
公开(公告)号：KR101374090B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020107001635
申请日：2008-07-25
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 베르코번크리스티안제이. , 버트램주니어로날드토마스 , 린도우에드 , 마하잔수바쉬 , 다타란잔 , 트리베디라훌아제이 , 한일수
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 본 발명은 낮은 결함 밀도들을 갖고 선택된 결정 극성을 선택적으로 갖는 III족 질화물 반도체 물질의 실질적으로 연속인 층을 제조하기 위한 방법들을 제공한다. 상기 방법들은 템플릿 구조물 위에 불규칙하게 배열된 III족 질화물 재료의 복수의 기둥들/아일랜드들의 상부 부분들 위에 씨드화 및/또는 에피택시 성장 응집하는 단계를 포함한다. 상기 아일랜드들의 상부 부분들은 낮은 결함 밀도를 갖고, 선택적으로는 선택된 결정 극성을 갖는다. 본 발명은 또한 마스킹 물질의 실질적으로 연속인 층을 갖는 템플릿 구조물들을 포함하는데, 상기 마스킹 물질을 통하여 상기 기둥/아일랜드들의 상부 부분들이 노출된다. 본 발명은 광범위한 단원소 및 화합물 반도체 재료에 응용될 수 있다.

5. 发明授权

KR101355593B1 개선된 에피택시 재료들의 제조 방법 有权
标题翻译：生产改良外延材料的方法
公开(公告)号：KR101355593B1
公开(公告)日：2014-01-24
申请号：KR1020107001628
申请日：2008-07-25
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 마하잔수바쉬 , 다타란잔
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 본 발명은 낮은 결함 밀도를 갖는 III족 질화물 반도체 물질의 실질적으로 연속인 층을 제조하기 위한 방법들을 제공한다. 상기 방법은 기저 기판 위에 응집층을 에피택시 성장시키는 단계, 상기 응집층을 열처리하는 단계, 불연속적인 마스킹층을 에피택시 성장시키는 단계를 포함한다. 약술된 상기 방법들은 마스킹, 소멸 및 병합을 통하여 결함 감소를 촉진하고, 따라서 낮은 결함 밀도를 갖는 반도체 구조물들을 생성한다. 본 발명은 예를 들면 Si(실리콘)과 긴장된 Si(sSi)의 조합, 및/또는 Ge(저매늄)과 같은 단원소 반도체들과 예를 들면 II-VI족 및 III-V족 화합물 반도체 물질들과 같은 화합물 반도체 물질들에 모두 광범위하게 응용될 수 있다.

6. 发明授权

KR101892610B1 ＩＩＩ－Ｖ 반도체 구조물들 및 그것을 형성하기 위한 방법들 有权
公开(公告)号：KR101892610B1
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：KR1020187012709
申请日：2011-03-23
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 린도우에드 , 아레나샨탈 , 버트람로날드 , 다타란잔 , 마하잔수바쉬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262
摘要： 본발명의실시예들은반도체구조물들을제작하는방법들, 및그러한방법들에의해서제조된반도체구조물들과관련된다. 일부실시예들에서, 방법들은 InGaN과같은그러한 III-V 물질들의반도체구조물들을제작하는데사용될수 있다. 반도체레이어는결과적인레이어의균일성을개선하기위하여, 결과적인레이어의표면거침을개선하기위하여, 그리고/또는스트레인이완의시작없이증가된두께로성장되는레이어를가능하게하기위하여다른성장조건들세트들을사용하여서브레이어들을성장시킴으로써제작된다.

7. 发明公开

KR1020130064725A ＩＩＩ－Ｖ 반도체 구조물들 및 그것을 형성하기 위한 방법들 审中-实审
标题翻译： III-V族半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130064725A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020127025500
申请日：2011-03-23
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 린도우에드 , 아레나샨탈 , 버트람로날드 , 다타란잔 , 마하잔수바쉬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262 , H01L21/02521
摘要： 본 발명의 실시예들은 반도체 구조물들을 제작하는 방법들, 및 그러한 방법들에 의해서 제조된 반도체 구조물들과 관련된다. 일부 실시예들에서, 방법들은 InGaN과 같은 그러한 III-V 물질들의 반도체 구조물들을 제작하는데 사용될 수 있다. 반도체 레이어는 결과적인 레이어의 균일성을 개선하기 위하여, 결과적인 레이어의 표면 거침을 개선하기 위하여, 그리고/또는 스트레인 이완의 시작 없이 증가된 두께로 성장되는 레이어를 가능하게 하기 위하여 다른 성장조건들 세트들을 사용하여 서브레이어들을 성장시킴으로써 제작된다.

8. 发明公开

KR1020100045443A 에피택시 방법들과 그 방법들에 의하여 성장된 템플릿들 有权
标题翻译：方法生成的外来方法和模板
公开(公告)号：KR1020100045443A
公开(公告)日：2010-05-03
申请号：KR1020107001635
申请日：2008-07-25
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 베르코번크리스티안제이. , 버트램주니어로날드토마스 , 린도우에드 , 마하잔수바쉬 , 다타란잔 , 트리베디라훌아제이 , 한일수
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： This invention provides methods for fabricating substantially continuous layers of a group III nitride semiconductor material having low defect densities and optionally having a selected crystal polarity. The methods include epitaxial growth nucleating and/or seeding on the upper portions of a plurality of pillars/islands of a group III nitride material that are irregularly arranged on a template structure. The upper portions of the islands have low defect densities and optionally have a selected crystal polarity. The invention also includes template structures having a substantially continuous layer of a masking material through which emerge upper portions of the pillars/islands. The invention can be applied to a wide range of elemental and compound semiconductor materials.
摘要翻译：本发明提供了用于制造具有低缺陷密度且任选地具有所选晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。所述方法包括在不规则地布置在模板结构上的III族氮化物材料的多个柱/岛的上部上的外延生长成核和/或接种。岛的上部具有低缺陷密度，并且可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本连续的掩模材料层的模板结构，通过该掩模材料出现柱/岛的上部。本发明可应用于各种元素和化合物半导体材料。

9. 发明公开

KR1020100040299A 개선된 에피택시 재료들의 제조 방법 有权
标题翻译：生产改良外源材料的方法
公开(公告)号：KR1020100040299A
公开(公告)日：2010-04-19
申请号：KR1020107001628
申请日：2008-07-25
申请人： 소이텍 , 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티
发明人： 아레나샨탈 , 마하잔수바쉬 , 다타란잔
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： This invention provides methods for fabricating substantially continuous layers of group III nitride semiconductor materials having low defect densities. The methods include epitaxial growth of nucleation layers on a base substrate, thermally treatment of said nucleation layer and epitaxial growth of a discontinuous masking layer. The methods outlined promote defect reduction through masking, annihilation and coalescence, therefore producing semiconductor structures with low defect densities. The invention can be applied to a wide range of semiconductor materials, both elemental semiconductors, e.g., combinations of Si (silicon) with strained Si (sSi) and/or Ge (germanium), and compound semiconductors, e.g., group II-VI and group III-V compound semiconductor materials.
摘要翻译：本发明提供了用于制造具有低缺陷密度的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。所述方法包括在基底基板上成核层的外延生长，所述成核层的热处理和不连续掩模层的外延生长。所概述的方法通过掩蔽，湮灭和聚结来促进缺陷减少，因此产生具有低缺陷密度的半导体结构。本发明可以应用于宽范围的半导体材料，包括元素半导体，例如Si（硅）与应变Si（sSi）和/或Ge（锗）的组合，以及化合物半导体，例如II-VI族和 III-V族化合物半导体材料。

10. 发明公开

KR1020090082509A 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소 有权
标题翻译：硝酸银沉淀反应气体的吸收
公开(公告)号：KR1020090082509A
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：KR1020097012936
申请日：2007-11-15
申请人： 소이텍
发明人： 아레나샨탈 , 워코벤크리스티안
IPC分类号： B01D53/74 , B01J12/00 , B32B15/16
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/4412 , C30B25/08 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/403
摘要： Methods for the sustained, high-volume production of Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, or for wafers. The equipment and methods are optimized for producing Group III-N (nitrogen) compound semiconductor wafers and specifically for producing GaN wafers. The method includes reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber to form the semiconductor material; removing exhaust gases including unreacted Group III precursor, unreacted Group V component and reaction byproducts; and heating the exhaust gases to a temperature sufficient to reduce condensation thereof and enhance manufacture of the semiconductor material. Advantageously, the exhaust gases are heated to sufficiently avoid condensation to facilitate sustained high volume manufacture of the semiconductor material.
摘要翻译：用于持续，大批量生产适用于制造光学和电子部件的III-V族化合物半导体材料，用作外延沉积的基底或用于晶片的方法。该设备和方法被优化用于生产III-N（氮）化合物半导体晶片，并专门用于生产GaN晶片。该方法包括将一定量的作为一种反应物的气态III族前体与一定量的气态V族组分作为反应室中的另一反应物反应以形成半导体材料; 去除废气，包括未反应的III族前体，未反应的V族组分和反应副产物; 并将废气加热到足以减少其冷凝的温度，并且增强半导体材料的制造。有利地，排气被加热以充分避免冷凝，以促进半导体材料的持续高容量制造。

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