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1. 发明公开

KR1020100014343A 반도체장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100014343A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020097015816
申请日：2008-02-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야 , 다테시타야스시
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要： Current increase effects are improved by increasing a stress to be applied to a channel section of a transistor. A semiconductor device is provided with side wall insulating films (33, 53), which have grooves (39, 59) formed by removing a dummy gate and are formed on a semiconductor substrate (11); gate electrodes (43, 63) formed in the grooves (39, 59) through a gate insulating film (41); first and second stress applying films (21, 22), which are formed on the semiconductor substrate (11) from above the side wall insulating films (33, 53), respectively; and source/drain regions (35, 36, 55, 56), which are formed on the semiconductor substrate (11) on the both sides of the gate electrodes (43, 63). The stress applying films (21, 22) are formed before the first groove (39) and the second groove (59) are formed.
摘要翻译：通过增加施加到晶体管的沟道部分的应力来改善电流增加效应。半导体器件设置有侧壁绝缘膜（33,53），其具有通过去除伪栅极而形成并形成在半导体衬底（11）上的沟槽（39,59）; 通过栅极绝缘膜形成在槽（39,59）中的栅电极（43,63）; 分别从侧壁绝缘膜（33,53）的上方形成在半导体基板（11）上的第一和第二应力施加膜（21,22）以及源极/漏极区域（35,36,55,56），其形成在栅电极（43,63）的两侧上的半导体衬底（11）上。应力施加膜（21,22）在形成第一槽（39）和第二槽（59）之前形成。

2. 发明授权

KR102030178B1 촬상 소자, 촬상 소자의 구동 방법, 촬상 소자의 제조 방법, 및 전자 기기 有权
公开(公告)号：KR102030178B1
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：KR1020120066574
申请日：2012-06-21
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374

3. 发明公开

KR1020130007444A 촬상 소자, 촬상 소자의 구동 방법, 촬상 소자의 제조 방법, 및 전자 기기 审中-实审
标题翻译：成像元件，成像元件的驱动方法，成像元件的制造方法和电子设备
公开(公告)号：KR1020130007444A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020120066574
申请日：2012-06-21
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14692 , H04N5/3559
摘要： PURPOSE: An image element, a driving method thereof, a method for manufacturing the image element, and an electric device are provided to secure capacity, and to reduce the number of processes by forming additional capacity on a wiring layer. CONSTITUTION: An image element comprises a plurality of pixels(41). Each pixel comprises a photoelectric conversion unit, an accumulating unit, a capacity unit, and a connection unit. The photoelectric conversion unit is placed in the pixel, and generates electric charges. The accumulating unit comprises predetermined capacity, and stores the electric charges from the photoelectric conversion unit. The capacity unit is separately placed from a silicon substrate through an inter-layer insulating film. The connection unit is separately placed from the silicon substrate through the inter-layer insulating film, and connects the accumulating unit to the capacity unit. [Reference numerals] (AA) Incident light
摘要翻译：目的：提供一种图像元件，其驱动方法，用于制造图像元件的方法和电气设备以确保容量，并且通过在布线层上形成额外的容量来减少处理次数。构成：图像元素包括多个像素（41）。每个像素包括光电转换单元，累积单元，容量单元和连接单元。将光电转换单元放置在像素中，并产生电荷。累积单元包括预定的容量，并存储来自光电转换单元的电荷。容量单元通过层间绝缘膜与硅衬底分开放置。连接单元通过层间绝缘膜与硅衬底分离放置，并将蓄积单元连接到容量单元。（附图标记）（AA）入射光

4. 发明公开

KR1020090107401A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体装置及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020090107401A
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：KR1020087021124
申请日：2008-01-04
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L29/66545 , H01L29/7848
摘要： Provided is a semiconductor device wherein stress is effectively applied to a channel section from a semiconductor layer having a lattice constant different from that of a semiconductor substrate, and thus, carrier mobility is improved and high function is achieved. A semiconductor device (1) is provided with a gate electrode (7) arranged on a semiconductor substrate (3) through a gate insulating film (5); and semiconductor layers (stress applying layers) (9) formed by epitaxial growing at recessed portions on the both sides of the gate electrode (7) on the surface of the semiconductor substrate (3). The semiconductor layer (9) is a layer having a lattice constant different from that of the semiconductor substrate (3), and the gate insulating film (5) and the gate electrode (7) are arranged to embed a recessed portion on the semiconductor substrate (3) between the semiconductor layers (9). A depth position (d2) of the gate insulating film (5) from the surface of the semiconductor substrate (3) is smaller than a depth position (d1) of the semiconductor layer (9).
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其中应力被有效地应用于具有与半导体衬底的晶格常数不同的晶格常数的半导体层的沟道部分，从而提高了载流子迁移率并实现了高功能。半导体器件（1）通过栅极绝缘膜（5）设置有设置在半导体衬底（3）上的栅电极（7）; 以及通过在半导体基板（3）的表面上的栅电极（7）的两侧的凹部进行外延生长而形成的半导体层（应力施加层）（9）。半导体层（9）是具有与半导体基板（3）的晶格常数不同的晶格常数的层，栅极绝缘膜（5）和栅电极（7）配置成在半导体基板（3）之间。栅极绝缘膜（5）从半导体衬底（3）的表面的深度位置（d2）小于半导体层（9）的深度位置（d1）。

5. 发明授权

KR101396422B1 반도체장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101396422B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020097015816
申请日：2008-02-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야 , 다테시타야스시
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/28518 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要： 트랜지스터의 채널부에 인가되는 응력을 증가시켜, 전류 증가 효과를 높이는 것을 가능하게 한다.
더미 게이트를 제거하여 형성된 홈(39, 59)을 가지며 반도체 기판(11) 상에 형성된 측벽 절연막(33, 53)과, 상기 홈(39, 59) 내에 게이트 절연막(41)을 통하여 형성된 게이트 전극(43, 63)과, 상기 측벽 절연막(33, 53) 상으로부터 상기 반도체 기판(11)상에 걸쳐 각각에 형성된 제 1, 제 2 응력 인가막(21, 22)과, 상기 게이트 전극(43, 63)의 양측으로 상기 반도체 기판(11)에 형성된 소스·드레인 영역(35, 36, 55, 56)을 가지며, 상기 응력 인가막(21, 22)은 상기 제 1 홈(39), 제 2 홈(59)이 형성되기 전에 성막되어 있는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020100003241A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020100003241A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020090058886
申请日：2009-06-30
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7845 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66621 , H01L29/7834 , H01L29/41725
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a method for production of the same are provided to improve the mobility of a carrier by applying stress to a semiconductor device under the gate electrode. CONSTITUTION: A semiconductor device comprises a gate electrode(7), a source-drain diffusion layer(11), and a stress applying layer(13). A semiconductor substrate(3) has a concave(3a). The semiconductor substrate has gate insulating layer(5) on the concave. The gate electrode is arranged on the gate insulating film. The source-drain diffusion layer is arranged at the neighboring semiconductor substrate of the gate electrode. The stress applying layer is arranged deeper than the surface of the semiconductor while covering the surface of the diffusion layer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过向栅电极下的半导体器件施加应力来提高载流子的迁移率。构成：半导体器件包括栅电极（7），源 - 漏扩散层（11）和应力施加层（13）。半导体衬底（3）具有凹（3a）。半导体衬底在凹面上具有栅极绝缘层（5）。栅电极配置在栅极绝缘膜上。源极 - 漏极扩散层被布置在栅电极的相邻半导体衬底上。应力施加层的布置比半导体的表面更深，同时覆盖扩散层的表面。

7. 发明授权

KR101693880B1 고체 촬상 소자, 촬상 장치 有权
标题翻译：固态图像拾取元件和图像拾取装置
公开(公告)号：KR101693880B1
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020110023292
申请日：2011-03-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/06
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L31/02327 , H01L31/06
摘要： 고체촬상소자는, 각화소에마련된광전변환영역과; 각화소의상기광전변환영역에대해마련된트랜지스터와; 상기광전변환영역과상기트랜지스터를분리하는, 제 1 도전형의분리영역과; 상기광전변환영역과, 상기트랜지스터와, 상기제 1 도전형의분리영역이내부에형성된, 제 1 도전형의웰 영역과; 상기제 1 도전형의분리영역상에형성되고, 상기제 1 도전형의웰 영역을일정전위에고정하는전위를공급하는콘택트부와; 상기콘택트부와상기광전변환영역사이의상기제 1 도전형의분리영역내에, 상기제 1 도전형의분리영역의표면부터깊이방향으로늘어나형성되고, 상기제 1 도전형의분리영역과비교하여충분히높은불순물농도를갖는, 제 1 도전형의불순물영역을포함한다.
摘要翻译：本文公开了一种固态摄像元件，包括：光电转换区域; 晶体管第一导电类型的隔离区域，被配置为将光电转换区域和晶体管彼此隔离; 具有形成在其中的第一导电类型的光电转换区域，晶体管和隔离区域的第一导电类型的阱区域; 接触部分，被配置为提供用于将所述阱区域固定到给定电位的电位; 以及第一导电类型的杂质区域，形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中从第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸，以及具有比第一导电类型的隔离区的杂质浓度足够高的杂质浓度。

8. 发明公开

KR1020110109862A 고체 촬상 소자, 촬상 장치 有权
标题翻译：固态图像拾取元件和图像拾取装置
公开(公告)号：KR1020110109862A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110023292
申请日：2011-03-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마카와신야
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/06
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L31/02327 , H01L31/06
摘要： 고체촬상소자는, 각 화소에 마련된 광전변환 영역과; 각 화소의 상기 광전변환 영역에 대해 마련된 트랜지스터와; 상기 광전변환 영역과 상기 트랜지스터를 분리하는, 제 1 도전형의 분리 영역과; 상기 광전변환 영역과, 상기 트랜지스터와, 상기 제 1 도전형의 분리 영역이 내부에 형성된, 제 1 도전형의 웰 영역과; 상기 제 1 도전형의 분리 영역상에 형성되고, 상기 제 1 도전형의 웰 영역을 일정 전위에 고정하는 전위를 공급하는 콘택트부와; 상기 콘택트부와 상기 광전변환 영역 사이의 상기 제 1 도전형의 분리 영역 내에, 상기 제 1 도전형의 분리 영역의 표면부터 깊이 방향으로 늘어나 형성되고, 상기 제 1 도전형의 분리 영역과 비교하여 충분히 높은 불순물 농도를 갖는, 제 1 도전형의 불순물 영역을 포함한다.
摘要翻译：本文公开了一种固态摄像元件，包括：光电转换区域; 晶体管第一导电类型的隔离区域，被配置为将光电转换区域和晶体管彼此隔离; 具有形成在其中的第一导电类型的光电转换区域，晶体管和隔离区域的第一导电类型的阱区域; 接触部分，被配置为提供用于将所述阱区域固定到给定电位的电位; 以及第一导电类型的杂质区域，形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中从第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸，以及具有比第一导电类型的隔离区的杂质浓度足够高的杂质浓度。

9. 发明公开

KR1020100101522A 고체 촬상 장치, 전자 기기 및 고체 촬상 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：固态成像装置的固态成像装置，电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100101522A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020100017038
申请日：2010-02-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 혼조아키코 , 야마카와신야
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1136 , H01L27/146 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1463
摘要： PURPOSE: A solid-state imaging device, an electronic equipment and a manufacturing method of the solid-state imaging device are provided to prevent the leakage current due to stress concentration generating in the interface of the element isolation region by surrounding an element isolation device with a first impurity region. CONSTITUTION: An active device is charged in a light-receiving region(10). An element isolation region(20) separates the area of the active area. A first impurity region(30) surrounds the element isolation region. A second impurity region(40) is comprised of the impurity having concentration lower than the first impurity region. The second impurity region is located between the first impurity region and the active device.
摘要翻译：目的：提供固态成像装置，电子设备和固态成像装置的制造方法，以通过围绕元件隔离装置来防止在元件隔离区域的界面中产生应力集中的漏电流，第一杂质区。构成：有源器件在光接收区域（10）中充电。元件隔离区域（20）分离有源区域的面积。第一杂质区（30）围绕元件隔离区。第二杂质区（40）由浓度低于第一杂质区的杂质组成。第二杂质区域位于第一杂质区域和有源器件之间。

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