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1. 发明公开

KR1020120133970A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020120133970A
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110088472
申请日：2011-09-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민 , 김두순 , 양대현
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532
摘要： PURPOSE: An apparatus for processing a substrate is provided to reduce processing time since additional processing time is not needed for substrate processing to reach a standard etch rate. CONSTITUTION: A processing chamber(100) includes an internal space. A chuck(200) is located inside the processing chamber and supports a substrate. A gas supply part(300) supplies reaction gas to the inside of the processing chamber. An upper electrode(420) is arranged on the top of the chuck and applies high frequency power to the reaction gas. A heater(510) is arranged on the upper electrode and heats the upper electrode. A distribution plate is arranged on the lower part of the upper electrode and includes distribution holes through which the reaction gas is passed.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理衬底的设备以减少处理时间，因为不需要额外的处理时间来进行衬底处理以达到标准蚀刻速率。构成：处理室（100）包括内部空间。卡盘（200）位于处理室内部并支撑基板。气体供给部（300）向反应室内部供给反应气体。上部电极（420）布置在卡盘的顶部并向反应气体施加高频电力。在上电极上设置加热器（510），并加热上电极。分配板布置在上电极的下部，并且包括反应气体通过的分配孔。

2. 发明授权

KR100765188B1 기판 이송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 失效
标题翻译：转移基板的装置，处理基板的装置及其处理方法
公开(公告)号：KR100765188B1
公开(公告)日：2007-10-15
申请号：KR1020060119510
申请日：2006-11-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/67751 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , Y10S414/141
摘要： A substrate transfer apparatus, a substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to reduce the whole foot-print by transferring a substrate using a moving unit as a buffer space. A substrate transfer apparatus includes a chamber, a moving unit and a transfer robot. The moving unit(620) is arranged at an upper portion of the chamber. The moving unit is used for supporting a substrate transmitted from the outside and moving the substrate up and down. The transfer robot(610) is arranged at a lower portion of the chamber. The transfer robot is opposite to the moving unit. The transfer robot is used for receiving the substrate from the moving unit and transferring the substrate to the outside. The moving unit is composed of a driving part and a moving part. The moving part is controlled by the driving part. The moving part is used for supporting the substrate and moving the substrate up and down.
摘要翻译：提供了基板转印装置，基板处理装置和基板处理方法，以通过使用移动单元作为缓冲空间传送基板来减少整个印刷。基板转印装置包括室，移动单元和传送机器人。移动单元（620）布置在室的上部。移动单元用于支撑从外部传输的基板并且上下移动基板。传送机器人（610）布置在室的下部。传送机器人与移动单元相对。传送机器人用于从移动单元接收基板并将基板传送到外部。移动单元由驱动部和移动部构成。移动部分由驱动部分控制。移动部件用于支撑基板并且上下移动基板。

3. 发明授权

KR100718276B1 기판 에싱 방법 失效
标题翻译：底物灰化法
公开(公告)号：KR100718276B1
公开(公告)日：2007-05-15
申请号：KR1020060072615
申请日：2006-08-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민 , 이기영 , 김형준
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/027

4. 发明授权

KR101295794B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR101295794B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020110088472
申请日：2011-09-01
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민 , 김두순 , 양대현
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532
摘要： 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척; 상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극; 및 상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种衬底处理设备。该基板处理装置包括：形成有空间的处理室; 位于处理室内并支撑衬底的卡盘; 气体供应单元，用于将反应气体供应到处理室中; 位于卡盘上方的上电极，用于向反应气体施加高频功率; 加热器安装在上电极上以加热上电极。

5. 发明授权

KR101068874B1 플라즈마 기판 가공 장치 失效
标题翻译：基板等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101068874B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020090044349
申请日：2009-05-21
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민 , 이승배
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/3065
摘要： 플라즈마 기판 가공 장치는 스테이지, 접지 전극, RF 전원 및 가변 부하를 포함한다. 스테이지는 기판을 지지한다. 접지 전극은 스테이지에 지지된 기판과 마주보도록 이격되어 배치되고, 기판의 중심 영역과 대응하는 중심 전극 및 기판의 가장자리 영역과 대응하는 가장자리 전극을 포함한다. RF 전원은 스테이지와 접속되고, 스테이지와 접지 전극 사이에 플라즈마를 생성하기 위해 스테이지로 에너지를 제공한다. 가변 부하는 접지 전극의 접지 경로에 구비되고, 접지 전극의 접지 정도를 조절한다.

6. 发明公开

KR1020110080811A 정전척 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 无效
标题翻译：静电止动单元和用于加工具有该基底的基底的装置
公开(公告)号：KR1020110080811A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：KR1020100001223
申请日：2010-01-07
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/28
摘要： PURPOSE: An electrostatic chuck unit and a substrate processing device with the same are provided to adjust the height of a focus ring about an electrostatic chuck. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(120) is arranged on a base unit(110) and supports a substrate. A focus ring surrounds the electrostatic chuck and focuses a processing gas on the substrate. A driving unit(140) is connected to the focus ring through the base unit. A driving unit is connected to the bottom of the focus ring through a penetration hole.
摘要翻译：目的：提供一种静电卡盘单元及其基板处理装置，以调节聚焦环围绕静电卡盘的高度。构成：静电卡盘（120）布置在基座单元（110）上并支撑基板。焦点环围绕静电卡盘并将处理气体聚焦在基板上。驱动单元（140）通过基座单元连接到聚焦环。驱动单元通过穿透孔连接到聚焦环的底部。

7. 发明公开

KR1020080060866A 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 및 이를 수행하기 위한기판 처리 장치 无效
标题翻译：形成半导体器件的接触孔的方法和用于处理其基底的装置
公开(公告)号：KR1020080060866A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：KR1020060135475
申请日：2006-12-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/76816
摘要： A method for manufacturing a contact hole of a semiconductor device and a substrate processing device performing the same are provided to improve etching selectivity by hardening the upper part of a photoresist pattern and etching an etch target layer. An etch target layer(30) is formed on a substrate(10). A photoresist pattern(40) is formed on the etch target layer. The photoresist pattern is hardened by irradiating light generated from a mercury lamp on the photoresist pattern. The etch target layer is etched by using the photoresist pattern as the etch mask.
摘要翻译：提供一种用于制造半导体器件的接触孔的方法和执行该半导体器件的衬底处理器件的方法，以通过硬化光致抗蚀剂图案的上部并蚀刻蚀刻目标层来提高蚀刻选择性。在基板（10）上形成蚀刻目标层（30）。在蚀刻目标层上形成光致抗蚀剂图案（40）。光致抗蚀剂图案通过将由汞灯产生的光照射在光致抗蚀剂图案上来硬化。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标层。

8. 发明公开

KR1020080059887A 컴팩트형 기판 처리 장치 无效
标题翻译：用于处理基板的紧凑装置
公开(公告)号：KR1020080059887A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020060133788
申请日：2006-12-26
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/68
摘要： A compact apparatus for processing a substrate is provided to easily create a vacuum in a load lock chamber through a vacuum generation unit formed in the load lock chamber. A load lock chamber(300) includes a transfer robot(320) for loading/unloading a substrate into/from a substrate process chamber. A vacuum generation unit(400) creates a vacuum in the load lock chamber. The vacuum generation unit includes an exhaust line(410) formed on a sidewall of the load lock chamber, a vacuum pump(420) connected to the exhaust line, and a pressure gauge for measuring the pressure in the load lock chamber.
摘要翻译：提供了一种用于处理基板的紧凑装置，以便通过形成在负载锁定室中的真空产生单元容易地在负载锁定室中产生真空。负载锁定室（300）包括用于将衬底加载/卸载到衬底处理室中的传送机械手（320）。真空产生单元（400）在负载锁定室中产生真空。真空产生单元包括形成在负载锁定室的侧壁上的排气管线（410），连接到排气管线的真空泵（420）和用于测量负载锁定室内的压力的压力计。

9. 发明授权

KR100783072B1 기판 처리 장치 失效
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR100783072B1
公开(公告)日：2007-12-07
申请号：KR1020060135374
申请日：2006-12-27
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32935 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： A substrate processing apparatus is provided to observe an interior of a process chamber easily, regardless of a position or size of a view port, by installing a camera unit in the view port. A substrate processing apparatus includes a process chamber(200) processing a substrate(101) and a view port(400) penetrating one sidewall of the process chamber. A camera unit(500) is installed in the view port to take a photo of an interior of the process chamber. An opening/closing unit(410) is installed in the process chamber to open and close the view port. The opening/closing unit has a driving source, a frame installed in an inner sidewall of the chamber and a shutter moved along the frame to open and close the view port.
摘要翻译：提供了一种基板处理装置，通过将相机单元安装在视口中，可以容易地观察处理室的内部，而不管视口的位置或尺寸如何。基板处理装置包括处理基板（101）的处理室（200）和穿过处理室的一个侧壁的视图端口（400）。相机单元（500）安装在视口中以拍摄处理室内部的照片。打开/关闭单元（410）安装在处理室中以打开和关闭视口。开/关单元具有驱动源，安装在室的内侧壁中的框架和沿着框架移动以打开和关闭视口的快门。

10. 发明授权

KR101927936B1 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101927936B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020170072437
申请日：2017-06-09
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 문상민
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/687 , H01L21/683
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 가스가 공급되는 챔버의 처리공간 내에서 기판을 지지하는 척; 및 상기 척을 감싸는 링 어셈블리를 포함하되, 상기 링 어셈블리는, 일부가 상기 척에 지지된 기판의 외측을 둘러싸도록 위치되는 내측 링, 상기 내측 링을 감싸도록 위치되는 외측 링; 및 상기 외측 링을 상하 방향으로 이동 시키는 구동기를 포함한다.

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