专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020110014258A 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR1020110014258A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , B82B3/0038 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A formation method of a nano device is provided to perform an ion implantation process and an etching process in a nano scale while not applying an exposure process. CONSTITUTION: A formation method of a nano device comprises the steps of: forming a nanoscale self-assembly material layer(23) on a substrate(21) which has at least one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface treatment process on the substrate; and removing the self-assembly material layer. The surface treatment process is an etching process or ion injection process.
摘要翻译：目的：提供纳米器件的形成方法，以在不施加曝光工艺的情况下进行纳米级的离子注入工艺和蚀刻工艺。构成：纳米器件的形成方法包括以下步骤：在具有至少一层的衬底（21）上形成纳米级自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 在基板上进行表面处理工艺; 并移除自组装材料层。表面处理工艺是蚀刻工艺或离子注入工艺。

2. 发明公开

KR1020100039978A 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR1020100039978A
公开(公告)日：2010-04-19
申请号：KR1020080098992
申请日：2008-10-09
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/32139 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , H01L21/0332 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78
摘要： PURPOSE: A nano device forming method is provided to pattern a substrate in a nano scale without using a light source, to improve the degree of integration of the device while reducing the fabrication cost, and to improve the yield of the device production. CONSTITUTION: A nano device forming method comprises the following steps: forming a self-assembly material layer(23) in a nano scale on a substrate(21) formed with more than one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface processing on the substrate using the mask layer as a mask; and removing the self-assembly material layer. The surface processing is either an etching or an ion inserting. The mask layer contains a substance selected from the group consisting of gold, silver, silicon, silicon oxide, silicon nitride, iron, cadmium selenide, carbon nano tube, bucky ball and grapheme.
摘要翻译：目的：提供一种纳米器件形成方法，用于在不使用光源的情况下以纳米尺度对衬底进行图案化，从而提高器件的集成度，同时降低制造成本，并提高器件生产的产量。构成：纳米器件形成方法包括以下步骤：在形成有多于一层的衬底（21）上形成纳米尺度的自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 使用掩模层作为掩模在基板上进行表面处理; 并移除自组装材料层。表面处理是蚀刻或离子插入。掩模层包含选自金，银，硅，氧化硅，氮化硅，铁，硒化镉，碳纳米管，巴基球和图形的物质。

3. 发明公开

KR1020170071255A 발광다이오드용 발광층 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020170071255A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150179376
申请日：2015-12-15
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 박준균 , 정석원 , 이상현 , 서병찬
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56 , H01L21/02
摘要： 발광다이오드용발광층, 상기발광다이오드용발광층의제조방법, 및상기발광층을포함하는발광다이오드에관한것이다.

4. 发明授权

KR101473854B1 그래핀의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：石墨烯的图案形成方法
公开(公告)号：KR101473854B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 박성하 , 박진홍 , 정석원 , 연성모 , 이종택 , 박인규
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/18 , B82B3/00
摘要： DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：形成DNA图案，并在DNA图案上形成石墨烯。

5. 发明公开

KR1020140141542A 그래핀의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：石墨图案方法
公开(公告)号：KR1020140141542A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 박성하 , 박진홍 , 정석원 , 연성모 , 이종택 , 박인규
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/18 , B82B3/00
CPC分类号： C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
摘要： DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。

6. 发明公开

KR1020140141541A 그래핀의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：石墨图案方法
公开(公告)号：KR1020140141541A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139696
申请日：2014-10-16
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 박성하 , 박진홍 , 정석원 , 연성모 , 이종택 , 박인규
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/18 , B82B3/00
CPC分类号： C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
摘要： DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。

7. 发明授权

KR102112701B1 위체류 제어 방출형 제제 有权
公开(公告)号：KR102112701B1
公开(公告)日：2020-05-20
申请号：KR1020180037362
申请日：2018-03-30
申请人： 원광대학교산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 대구가톨릭대학교산학협력단
发明人： 신소영 , 신범수 , 김태환 , 원권연 , 정석원 , 이다영 , 정승은
IPC分类号： A61K9/00 , A61K47/38 , A61K31/522 , A61K31/4704

8. 发明公开

KR1020140010892A 그래핀의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：石墨图案方法
公开(公告)号：KR1020140010892A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020130082292
申请日：2013-07-12
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 박성하 , 박진홍 , 정석원 , 연성모 , 이종택 , 박인규
IPC分类号： C01B31/02 , B41M5/10
CPC分类号： C01B32/186 , B41M5/10 , G03F7/00
摘要： The present invention relates to a graphene patterning method which includes a step of forming a DNA pattern, and a step of forming graphene on the DNA pattern. The graphene patterning method includes a DNA pattern formation step, and a graphene formation step on the DNA pattern.
摘要翻译：本发明涉及一种石墨烯图案化方法，其包括形成DNA图案的步骤和在DNA图案上形成石墨烯的步骤。石墨烯图案化方法包括DNA图案形成步骤和DNA图案上的石墨烯形成步骤。

9. 发明授权

KR101094738B1 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR101094738B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.

10. 发明授权

KR101062416B1 나노 소자의 형성방법 失效
公开(公告)号：KR101062416B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080098992
申请日：2008-10-09
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/32139 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , H01L21/0332 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78
摘要： 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.
자기조립, 나노구조체, 마스크, 식각, 이온 주입

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式