专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160130017A 투명전극의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명전극 无效
标题翻译：制造透明电极的方法及其制造的透明电极
公开(公告)号：KR1020160130017A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020150061732
申请日：2015-04-30
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 문무겸 , 박진우 , 성다인 , 오종식 , 오지수
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B1/12 , H01B1/02
摘要： 본발명은투명전극의제조방법및 이에의해제조된투명전극에관한것으로, 상기투명전극의제조방법은기재를준비하는기재준비단계; (1) 상기기재를표면처리하거나, (2) 상기기재에유기용매를코팅하여유기용매레이어를형성시키는기재처리단계; 상기기재상에금속나노와이어또는금속나노메쉬를코팅하는금속코팅단계; 상기금속나노와이어또는금속나노메쉬상에고분자, 산화물및 질화물중 적어도하나를포함한물질을코팅하여제1전극층을형성하는제1전극층형성단계; 및상기기재를제거하는기재제거단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 표면거칠기가개선된투명전극을제공하여디스플레이소자또는플렉서블소자에유용하게적용할수 있다.

2. 发明授权

KR101639378B1 박테리아 방지용 소수성 박막 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：用于细菌代谢的疏水薄膜及其制备方法
公开(公告)号：KR101639378B1
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150087296
申请日：2015-06-19
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 한전건 , 이준석 , 진수봉 , 최은하 , 김경남
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/513 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/22
摘要： 박테리아방지용소수성박막및 상기박테리아방지용소수성박막의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种防止细菌的疏水性薄膜，以及疏水性薄膜的防止细菌的制造方法。根据本发明的一个方面，提供一种疏水性薄膜的制造方法，其通过使用硅前体或氟化碳系气体前体的等离子体化学气相沉积法在基板上形成疏水性薄膜来防止细菌的形成。

3. 发明授权

KR101463109B1 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법 有权
标题翻译：包括多个电极的等离子体发生器和使用其产生等离子体的方法
公开(公告)号：KR101463109B1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：KR1020120119405
申请日：2012-10-26
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 전민환 , 김경남 , 김회준 , 김태형
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要： 플라스마 발생 장치가 개시되며, 상기 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되, 상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절한다.

4. 发明公开

KR1020140126273A 플라즈마의 생성영역을 조절할 수 있는 대면적 플라즈마 발생장치 有权
标题翻译：用于调整等离子体发生区域的大规模等离子体生成装置
公开(公告)号：KR1020140126273A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020140095984
申请日：2014-07-28
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 김태형 , 서진석
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34
摘要： Disclosed is a large area plasma generating apparatus capable of adjusting a plasma generation region. The plasma generating apparatus comprises a vacuum chamber in which plasma is generated, a susceptor which is provided in the vacuum chamber and on which a substrate is mounted, and a plasma generation region limiting member which limits a plasma generation region. The plasma generation region limiting member includes two pairs of plasma generation region limiting members which are disposed to face each other so as to surround four sides of the plasma generation region. The width of one pair of plasma generation region limiting members is narrower than the width of the other pair of plasma generation region limiting members.
摘要翻译：公开了能够调整等离子体产生区域的大面积等离子体发生装置。等离子体发生装置包括：在其中产生等离子体的真空室，设置在真空室中并且其上安装有基板的基座;以及限制等离子体产生区域的等离子体产生区域限制部件。等离子体产生区域限制构件包括两对等离子体产生区域限制构件，其被设置成围绕等离子体产生区域的四个侧面彼此相对。一对等离子体产生区域限制部件的宽度比另一对等离子体产生区域限制部件的宽度窄。

5. 发明公开

KR1020140125120A 하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 이용한 하이브리드 플라즈마 발생장치 无效
标题翻译：混合等离子体源和使用它的发生装置
公开(公告)号：KR1020140125120A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130042874
申请日：2013-04-18
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 김태형 , 서진석
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H05H2001/4652 , H05H2001/4667 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
摘要： 복수 개의 유도 결합형 안테나 및 복수 개의 용량 결합형 안테나가 서로 교번하여 배치되는 하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치가 개시된다. 상기 두 가지의 다른 형태의 안테나에 각각 전력을 인가함으로써, 공정에서 중요한 요소인 플라즈마의 밀도, 전자온도, 균일도 등을 조절 가능하게 함으로써, 유도 결합형 플라즈마 소스와 용량 결합형 플라즈마 소스 각각이 가지고 있는 문제점을 해결할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种混合等离子体源，其中交替布置多个电感耦合天线和多个电容耦合天线，以及用于使用该等离子体产生等离子体的装置。为了控制等离子体的密度，电子温度和均匀性，这两种类型的天线都被施加电力，这是工艺的重要元件。因此，本发明解决了电感耦合天线和电容耦合天线中的每一个具有的问题。

6. 发明公开

KR1020120060017A 플라즈마 소스 및 이를 구비하는 플라즈마 발생장치 无效
标题翻译：等离子体源和等离子体生成装置
公开(公告)号：KR1020120060017A
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020100121567
申请日：2010-12-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 임종혁
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/24
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/3211 , H01J37/32458 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
摘要： PURPOSE: A plasma sources and a plasma generating apparatus including the same are provided to intensify a magnetic field induced through ferrite by mounting an arc-shaped ferrite structure on a helical antenna coil. CONSTITUTION: A plasma generating device(1) comprises a reaction chamber(10), a plasma source(20), a dielectric structure(30), and a power supply unit(40). The reaction chamber forms a reaction space for processing a substrate. A gas nozzle(11) is formed in the sidewall of the reaction chamber to let in the reaction gas from the outside. The plasma source is composed of an antenna coil(21) and a ferrite structure(23). The dielectric structure insulates the reaction chamber and the plasma source. The power supply unit is electrically connected to one end of the helical antenna coil.
摘要翻译：目的：提供一种等离子体源和包括该等离子体源的等离子体产生装置，以通过在弧形天线线圈上安装弧形铁氧体结构来增强由铁素体引起的磁场。构成：等离子体产生装置（1）包括反应室（10），等离子体源（20），电介质结构（30）和电源单元（40）。反应室形成用于处理基板的反应空间。气体喷嘴（11）形成在反应室的侧壁中以从外部引入反应气体。等离子体源由天线线圈（21）和铁氧体结构（23）构成。电介质结构使反应室和等离子体源绝缘。电源单元电连接到螺旋天线线圈的一端。

7. 发明授权

KR100748392B1 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치 失效
标题翻译：用于大面积处理的电感耦合等离子体装置
公开(公告)号：KR100748392B1
公开(公告)日：2007-08-10
申请号：KR1020060060244
申请日：2006-06-30
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치에 관한 것으로서, 식각 또는 증착공정을 수행할 기판이 장착되는 스테이지, 스테이지와 분리 가능하고, 플라스마 처리장치 영역을 갖는 반응챔버, 반응챔버를 덮는 덮개, 반응챔버와 덮개를 결합하는 조립 프레임, 플라스마 처리장치 영역 내에서 배치되어 있으며, 일 측은 전원에 접속되고, 타 측은 접지되어 있는 다수의 안테나 조립체가 각각 병렬로 구성되는 제1 및 제2의 안테나 소스 및 각각의 안테나 조립체를 중심으로 양쪽에 각각 배치되는 다수의 자성체 조립체를 포함하며, 제1의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m개의 안테나 조립체를 구비하고, 제2의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m-1개의 안테나 조립체를 구비하며, 제1의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체와 제2의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체는 교대로 배치되고, 제1의 안테나 소스에 인가된 입력전력과 제2의 안테나 소스에 인가된 입력전력은 서로 다른 크기이고 동시에 인가되는 구성을 마련한다.
이와 같은 초대면적 플라스마 발생장치를 이용하는 것에 의해 플라스마의 균일도를 최대한 향상시킴으로써, 좀 더 나은 고밀도의 플라스마를 얻을 수 있다.
플라스마, 이중주파수, 유도전력부, 안테나소스, 안테나조립체

8. 发明授权

KR101843622B1 블록 공중합체의 표면 경화 방법 有权
公开(公告)号：KR101843622B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020150180844
申请日：2015-12-17
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 김기석 , 오지수 , 최상욱
IPC分类号： C08J3/24 , C08J3/28
摘要： 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.

9. 发明授权

KR101798720B1 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조 방법 및 이로부터 제조된 다층 그래핀 有权
标题翻译：一种使用预掺杂和多层石墨烯生产石墨烯的方法
公开(公告)号：KR101798720B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158376
申请日：2015-11-11
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 이세한 , 오종식 , 오지수 , 팜비에트펑
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 본발명은염소프리-도핑된단층그래핀상에추가의그래핀을이동시킴으로써도핑된염소를트랩핑하는것을포함하는간단하고효율적인공정으로인하여, 높은투과도, 낮은면저항, 높은열 안정성및 높은유연성을갖는그래핀을용이하게제조할수 있고, 또한, 그래핀의두께및 전기적특성등의제어가용이한프리-도핑을이용한그래핀의제조방법, 및이로부터제조된다층그래핀을제공한다.
摘要翻译：本发明是无氯 - 由于简单和有效的方法，它包括通过在掺杂单层石墨烯，高透射率，低方块电阻，高的热稳定性和高柔性移动所述附加石墨捕集掺杂氯因此，它可以与销很容易地生产，并且还，以及所涉及的控制，如销的厚度和电性能有利于预设置是使用掺杂工艺制造的销，和由其制备的多层石墨烯。

10. 发明授权

KR101782212B1 접촉저항을 이용한 나노용접 방법 有权
标题翻译：纳米焊接接触电阻法
公开(公告)号：KR101782212B1
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020150119461
申请日：2015-08-25
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 염근영 , 김경남 , 이세한 , 오종식 , 오지수 , 김태형
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , B23K11/00
摘要： 본발명은접촉저항을이용한나노용접방법에관한것으로, 나노와이어에전기에너지를직간접적으로인가하여, 나노와이어들간의접촉부위가접촉저항에의하여서로용접되도록함으로써, 나노와이어들간의전기전도도와거칠기(roughness)를개선할수 있고, 기판등의다른부분에악영향을미치지않으므로, 플렉서블기판이나대면적기판에적용가능한장점이있다.
摘要翻译：本发明涉及使用接触电阻的纳米焊接方法，其中将电能直接或间接地施加到纳米线，使得纳米线之间的接触部分通过接触电阻彼此焊接，从而导电率和粗糙度可以改善粗糙度，并且不会对衬底等的其他部分产生不利影响，因此，本发明可以应用于柔性衬底或大面积衬底。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式