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1. 发明公开

KR1020160085395A 최악의 경우를 샘플링하는 SRAM 성능 마진 평가 장치 및 방법 有权
标题翻译：使用最差情况采样来估计SRAM性能的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160085395A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002073
申请日：2015-01-07
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 신창환 , 이교섭
IPC分类号： G11C29/50 , G11C29/34 , G11C29/36 , G11C11/412 , G11C14/00
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/412 , G11C14/0054 , G11C29/34 , G11C29/36
摘要： 본발명은최악의경우를샘플링하는 SRAM 성능마진평가장치및 방법에관한것으로, SRAM 셀의풀다운트랜지스터, 풀업트랜지스터및 패스게이트트랜지스터중 적어도하나의 I, I, I, I, I, V, 및 V값을포함하는몬테카를로시뮬레이션을위한샘플을생성하는샘플생성부, 상기생성된 I, I, I, I, 및 I값을가우시안분포로멱변환하는멱변환부, 상기 V, V값및 멱변환된 I, I, I, I, I값에근거하여상기샘플에대한워드라인기입트립전압, 워드라인독출보유전압, 독출정적잡음마진및 쓰기가능전류중 적어도하나를산출하는척도산출부, 상기산출된워드라인기입트립전압, 워드라인독출보유전압, 독출정적잡음마진및 쓰기가능전류중 적어도하나에근거하여상기샘플의읽기및 쓰기마진중 적어도하나를분석하는마진평가부를포함하여구성되며, 몬테카를로시뮬레이션을사용하여확률변수의 SRAM 성능에대한영향을평가하는데 있어서최악의경우를샘플링함으로써시뮬레이션의계산복잡도를크게절감하고공정상의확률변수가실제 SRAM의성능에미치는영향을신속하고정확하게평가할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及用于对最坏情况进行采样的SRAM性能裕量评估装置及其方法。该设备包括：输入单元，被配置为接收I_DLIN，I_DSAT，I_HIGH，I_LOW，I_OFF，V_TLIN和V_TSAT值; 功率变换单元，被配置为生成元素样本; 一个采样产生单元，用于产生一个SRAM位单元样本; 测量计算单元，被配置为计算所述SRAM位单元样本的WWTV和WRRV中的至少一个; 以及边缘评估单元，被配置为计算RSNM和I_W中的至少一个。因此，该器件大大降低了仿真的计算复杂度。

2. 发明授权

KR101661993B1 최악의 경우를 샘플링하는 SRAM 성능 마진 평가 장치 및 방법 有权
标题翻译： SRAM设备和使用最差情况采样的SRAM性能估计的方法
公开(公告)号：KR101661993B1
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150002073
申请日：2015-01-07
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 신창환 , 이교섭
IPC分类号： G11C29/50 , G11C29/34 , G11C29/36 , G11C11/412 , G11C14/00
摘要： 본발명은최악의경우를샘플링하는 SRAM 성능마진평가장치및 방법에관한것으로, SRAM 셀의풀다운트랜지스터, 풀업트랜지스터및 패스게이트트랜지스터중 적어도하나의 I, I, I, I, I, V, 및 V값을포함하는몬테카를로시뮬레이션을위한샘플을생성하는샘플생성부, 상기생성된 I, I, I, I, 및 I값을가우시안분포로멱변환하는멱변환부, 상기 V, V값및 멱변환된 I, I, I, I, I값에근거하여상기샘플에대한워드라인기입트립전압, 워드라인독출보유전압, 독출정적잡음마진및 쓰기가능전류중 적어도하나를산출하는척도산출부, 상기산출된워드라인기입트립전압, 워드라인독출보유전압, 독출정적잡음마진및 쓰기가능전류중 적어도하나에근거하여상기샘플의읽기및 쓰기마진중 적어도하나를분석하는마진평가부를포함하여구성되며, 몬테카를로시뮬레이션을사용하여확률변수의 SRAM 성능에대한영향을평가하는데 있어서최악의경우를샘플링함으로써시뮬레이션의계산복잡도를크게절감하고공정상의확률변수가실제 SRAM의성능에미치는영향을신속하고정확하게평가할수 있다.

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