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1. 发明公开

KR1020000057741A 세정 기체 有权
标题翻译：清洁气体
公开(公告)号：KR1020000057741A
公开(公告)日：2000-09-25
申请号：KR1020000001226
申请日：2000-01-11
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 모우리이사무 , 타무라테쮸야 , 오하시미쮸야 , 카와시마타다유키
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/02049 , Y10S438/905
摘要： PURPOSE: A cleaning gas for removing a deposited material generated in a vacuum treatment apparatus for producing a thin film is provided which can remove them without damaging a film forming apparatus and a pipe line. CONSTITUTION: A cleaning gas includes 5 to 99.9 % by volume of HF gas and 5 to 80% by volume of at least one of oxygen-containing gas, fluoride gas, chlorine fluoride gas, bromine fluoride gas, and iodine fluoride gas. The oxygen containing gas includes at least one of O2 gas, O3 gas, N2O gas, NO gas, CO gas, and CO2 gas and the chlorine fluoride gas includes at least one of ClF, ClF3 and ClF5, the bromine fluoride gas includes at least one of BrF, BrF3 and BrF5, and iodine fluoride gas includes at least one of IF, IF3, IF5, and IF7.
摘要翻译：目的：提供一种用于除去在用于制造薄膜的真空处理设备中产生的沉积材料的清洁气体，其可以在不损坏成膜设备和管道的情况下将其去除。构成：清洁气体包含5〜99.9体积％的HF气体和5〜80体积％的含氧气体，氟化物气体，氟化氟气体，氟化氟气体和碘化氟气体中的至少一种。含氧气体包括O 2气体，O 3气体，N 2 O气体，NO气体，CO气体和CO 2气体中的至少一种，氟化氢气体包括ClF，ClF 3和ClF 5中的至少一种，溴化氟气体至少包括 BrF，BrF 3和BrF 5中的一种，氟化物气体包括IF，IF3，IF5和IF7中的至少一种。

2. 发明公开

KR1020000057742A 세정 기체 및 그를 흘려줌으로써 진공 처리 장치를세정하는 방법 失效
标题翻译：清洁气体和清洁方法
公开(公告)号：KR1020000057742A
公开(公告)日：2000-09-25
申请号：KR1020000001227
申请日：2000-01-11
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모우리이사무 , 타무라테쮸야 , 오하시미쮸야 , 카와시마타다유키 , 마쑤도마사히코 , 하타노타쑤오
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4405 , C23F1/12 , H01L21/28556 , Y10S438/905
摘要： PURPOSE: A cleaning gas for removing an unnecessary deposit deposited on an inner wall and tools of a thin film producing apparatus by means of CVD method, and a method for cleaning a vacuum treatment apparatus by the cleaning gas, are provided. CONSTITUTION: A cleaning gas includes HF gas whose concentration is greater than or equal to 1 vol% and oxygen containing gas whose concentration ranges from 0.5 to 99 vol%. The oxygen containing gas includes at least one of O2 gas, O3 gas, N2O gas, NO gas, CO gas and CO2 gas. The cleaning gas is employed to remove a deposited material generated in a vacuum treatment apparatus for producing a thin film of at least one of Ti, W, Ta, Ru, Ir, a compound thereof and an alloy thereof.
摘要翻译：目的：提供一种用于除去沉积在内壁上的不必要沉积物的清洁气体和通过CVD方法制造薄膜的设备的工具，以及用于通过清洁气体清洁真空处理设备的方法。构成：清洁气体包括浓度大于或等于1体积％的HF气体，浓度范围为0.5〜99体积％的含氧气体。含氧气体包括O 2气体，O 3气体，N 2 O气体，NO气体，CO气体和CO 2气体中的至少一种。采用清洁气体除去在真空处理装置中产生的沉积材料，用于制造Ti，W，Ta，Ru，Ir及其化合物及其合金中的至少一种的薄膜。

3. 发明授权

KR100363343B1 세정 기체 및 그를 흘려줌으로써 진공 처리 장치를세정하는 방법 失效
标题翻译：清洁气体以及通过使真空处理设备流动来清洁真空处理设备的方法
公开(公告)号：KR100363343B1
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020000001227
申请日：2000-01-11
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모우리이사무 , 타무라테쮸야 , 오하시미쮸야 , 카와시마타다유키 , 마쑤도마사히코 , 하타노타쑤오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 세정 기체는 농도가 1체적% 이상인 HF 기체 및 농도가 0.5 내지 99체적%인 산소 함유 기체를 함유한다. 상기 산소 함유 기체는 O
2 기체, O
3 기체, N
2 O 기체, NO 기체, CO 기체 및 CO
2 기체 중의 적어도 하나를 포함한다. 상기 세정 기체는 Ti; W; Ta; Ru; Ir; 그것을 함유하는 화합물; 및 그것을 함유하는 합금 중의 적어도 하나로 이루어지는 박막을 형성하는 진공 처리 장치에서 생성되는 퇴적물을 제거하기 위해서 채용된다.

4. 发明授权

KR100335174B1 세정 기체 有权
标题翻译：清洁气体
公开(公告)号：KR100335174B1
公开(公告)日：2002-05-04
申请号：KR1020000001226
申请日：2000-01-11
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 모우리이사무 , 타무라테쮸야 , 오하시미쮸야 , 카와시마타다유키
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 산화실리콘 막 형성 장치 또는 산화탄탈룸 막 형성 장치의 반응기, 야구(冶具), 부품 및 배관을 손상시키지 않고, 펜타에톡시탄탈룸 또는 테트라에톡시실란의 열분해에 의하여 박막 형성 장치에 생성된 불필요한 퇴적물을 제거하기 위해서 채용되는 세정 기체. 상기 세정 기체는 HF 기체; 및 산소 함유 기체, 불소 기체, 불화염소 기체, 불화브롬 기체 및 불화요오드 기체 중의 적어도 하나를 함유한다.

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