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1. 发明授权

KR101657343B1 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件基板处理设备和记录介质的清洁方法
公开(公告)号：KR101657343B1
公开(公告)日：2016-09-13
申请号：KR1020140037710
申请日：2014-03-31
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 노다,다카아키 , 노하라,신고 , 히로세,요시로
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02049 , C23C16/4405 , H01L21/02126
摘要： 본발명은처리실내에퇴적된탄소함유막을포함하는퇴적물을효율적으로제거할수 있는클리닝방법, 반도체장치의제조방법, 기판처리장치및 기록매체를제공한다. 본발명의일 실시예에따른클리닝방법은, 처리실내에서기판상에탄소함유막을형성하는처리를행한후의처리실내를클리닝하는방법으로서, 처리실내에개질가스를공급하여처리실내의부재의표면에퇴적된탄소함유막을포함하는퇴적물을개질하는공정과, 처리실내에에칭가스를공급하여개질된퇴적물을열화학반응에의해제거하는공정을포함하는사이클을소정횟수행하는공정을갖는다.

2. 发明授权

KR101468877B1 웨이퍼 표면 처리 방법 有权
标题翻译： WAFER表面处理方法
公开(公告)号：KR101468877B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020127005066
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오쿠치,시게루 , 시토,히로아키 , 쿠로카미,모토이
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02049
摘要： 화학처리를수반하는웨이퍼표면처리방법에있어서, 종래의습식처리등, 확산율속형(擴散律速型) 처리에의한표면처리에서문제시되어왔던반응편차를효과적으로억제하여, 표면성상이우수한웨이퍼를제공하는것을목적으로한다. 화학처리를수반하는웨이퍼표면처리방법으로서, 상기화학처리가, 반응율속형처리공정과, 상기반응율속형처리공정에이어지는확산율속형처리공정을포함하는것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020120041770A 웨이퍼 표면 처리 방법 有权
标题翻译： WAFER表面处理方法
公开(公告)号：KR1020120041770A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020127005066
申请日：2010-07-27
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 오쿠치,시게루 , 시토,히로아키 , 쿠로카미,모토이
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02049
摘要： 화학처리를 수반하는 웨이퍼 표면 처리 방법에 있어서, 종래의 습식 처리 등, 확산율속형(擴散律速型) 처리에 의한 표면 처리에서 문제시되어 왔던 반응 편차를 효과적으로 억제하여, 표면성상이 우수한 웨이퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다. 화학처리를 수반하는 웨이퍼 표면 처리 방법으로서, 상기 화학처리가, 반응율속형 처리 공정과, 상기 반응율속형 처리 공정에 이어지는 확산율속형 처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

4. 发明公开

KR1020100009625A 규소 화합물 형성 방법 및 이의 시스템 无效
标题翻译：硅胶形成方法及其系统
公开(公告)号：KR1020100009625A
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：KR1020097010070
申请日：2008-05-30
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 세이노타쿠야 , 이케모토마나부 , 마시모키미코
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/304 , H01L21/24
CPC分类号： H01L29/665 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/28518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： This invention provides a method for forming a silicide, comprising supplying HF-derived radicals generated in a plasma generation chamber into a treatment chamber through introduction holes and supplying HF gas molecules as a treatment gas from around the radical introduction holes to suppress excitation energy and thus to enhance the selectivity for Si, whereby a natural oxide film present on the surface of a substrate of a group IV semiconductor doped with impurities of B, P, or As can be removed. In the method, despite dry treatment, surface treatment, which can realize good surface flatness comparable with that attained by wet washing which requires high-temperature treatment, can be realized. A film of a metallic material is formed on the substrate after the surface treatment, and the assembly is heat treated for metal silicide formation. These steps are carried out without exposure of the substrate to the air, and good contact resistance favorably comparable with that attained by the wet treatment can be provided. Further, the adsorption of impurities on the interface can be suppressed. For MOS-FET, good device characteristic can be realized.
摘要翻译：本发明提供了一种形成硅化物的方法，其包括通过引入孔将等离子体产生室中产生的HF衍生的自由基提供到处理室中，并且从自由基引入孔周围提供HF气体分子作为处理气体，以抑制激发能，因此为了提高Si的选择性，可以除去存在于掺杂有B，P或As的杂质的IV族半导体的基板的表面上的自然氧化膜。在该方法中，尽管进行了干法处理，但是可以实现能够实现与通过需要高温处理的湿洗所达到的良好的表面平整度的表面处理。在表面处理之后，在基板上形成金属材料膜，并且对金属硅化物形成进行热处理。这些步骤在不将基材暴露于空气的情况下进行，并且可以提供与通过湿处理获得的良好接触电阻相当的良好接触电阻。此外，可以抑制杂质在界面上的吸附。对于MOS-FET，可以实现良好的器件特性。

5. 发明公开

KR1020000057741A 세정 기체 有权
标题翻译：清洁气体
公开(公告)号：KR1020000057741A
公开(公告)日：2000-09-25
申请号：KR1020000001226
申请日：2000-01-11
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 모우리이사무 , 타무라테쮸야 , 오하시미쮸야 , 카와시마타다유키
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4405 , H01L21/02049 , Y10S438/905
摘要： PURPOSE: A cleaning gas for removing a deposited material generated in a vacuum treatment apparatus for producing a thin film is provided which can remove them without damaging a film forming apparatus and a pipe line. CONSTITUTION: A cleaning gas includes 5 to 99.9 % by volume of HF gas and 5 to 80% by volume of at least one of oxygen-containing gas, fluoride gas, chlorine fluoride gas, bromine fluoride gas, and iodine fluoride gas. The oxygen containing gas includes at least one of O2 gas, O3 gas, N2O gas, NO gas, CO gas, and CO2 gas and the chlorine fluoride gas includes at least one of ClF, ClF3 and ClF5, the bromine fluoride gas includes at least one of BrF, BrF3 and BrF5, and iodine fluoride gas includes at least one of IF, IF3, IF5, and IF7.
摘要翻译：目的：提供一种用于除去在用于制造薄膜的真空处理设备中产生的沉积材料的清洁气体，其可以在不损坏成膜设备和管道的情况下将其去除。构成：清洁气体包含5〜99.9体积％的HF气体和5〜80体积％的含氧气体，氟化物气体，氟化氟气体，氟化氟气体和碘化氟气体中的至少一种。含氧气体包括O 2气体，O 3气体，N 2 O气体，NO气体，CO气体和CO 2气体中的至少一种，氟化氢气体包括ClF，ClF 3和ClF 5中的至少一种，溴化氟气体至少包括 BrF，BrF 3和BrF 5中的一种，氟化物气体包括IF，IF3，IF5和IF7中的至少一种。

6. 发明授权

KR1019960002631B1 집적회로 및 반도체 표면으로부터 금속 함유의 오염물을 제거하기 위한 할로겐화된 카르복실산 세정제 및 이를 사용한 오염물 제거방법 失效
标题翻译：用于制造集成电路的羟基羧酸清洁剂及其使用方法
公开(公告)号：KR1019960002631B1
公开(公告)日：1996-02-24
申请号：KR1019920018718
申请日：1992-10-09
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 데이비드앨린로버츠 , 존크리스토퍼이반코비츠 , 데이비드아더보링
IPC分类号： C11D7/28
CPC分类号： H01L21/02046 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/28 , C11D11/0047 , C23G5/00 , H01L21/02049 , H01L21/3105
摘要： 내용 없음.

7. 发明授权

KR1019940007060B1 공비혼합증기를 사용한 산화막제거장치 및 제거방법 失效
标题翻译：使用AZEOTROPIC VAPOR MIXTURE的氧化物膜去除方法和装置
公开(公告)号：KR1019940007060B1
公开(公告)日：1994-08-04
申请号：KR1019910002666
申请日：1991-02-19
申请人： 와다나베노부아츠 , 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 , 모리타가가쿠고교가부시키가이샤
发明人： 와다나베노부아츠 , 정용보 , 타츠노토시오 , 오카다토모요시 , 이즈미아키라 , 토에이케이지
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02049 , C03C15/00 , H01L21/6704
摘要： 내용 없음.

8. 发明公开

KR1020180044733A 쿼츠 지그의 재생 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180044733A
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR1020160138606
申请日：2016-10-24
申请人： 주식회사 원익큐엔씨
发明人： 신진현 , 김경덕
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02049 , H01L21/02422 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/30625
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 반도체공정에복수회사용되어표면에균열이발생된쿼츠지그의재생방법으로서, 상기쿼츠지그의표면을평탄화하기위해상기쿼츠지그의표면을화염연마하는화염연마단계; 및상기쿼츠지그의평탄화된표면에엠보싱미세구조를형성하는표면처리단계;를포함하는쿼츠지그의재생방법이제공된다.

9. 发明公开

KR1020150109288A 플라즈마 전-세정 모듈 및 공정 审中-实审
标题翻译：等离子体预清洁模块和过程
公开(公告)号：KR1020150109288A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020150037539
申请日：2015-03-18
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 톨레존 , 굿맨매튜쥐. , 바인로버트마이클 , 힐에릭알.
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02049 , B08B5/00 , B08B7/0014 , B08B7/0071 , C30B23/025 , C30B25/186 , C30B29/06 , H01L21/02046 , H01L21/02068 , H01L21/0217 , H01L21/02301 , H01L21/02348 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/02636 , H01L21/02661 , H01L21/31116 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/02043
摘要： 집적회로제조를위한방법은전-세정공정에의해실리콘산화물을제거하는단계를포함할수 있다. 상기전-세정공정은제1 반응챔버안에서기판의상기표면상에할로겐함유물질을퇴적하는단계, 그리고상기할로겐함유물질을가지는상기기판을제2 반응챔버에이송하는단계를포함할수 있다. 실리콘산화물물질은상기제2 반응챔버안에서상기할로겐함유물질을승화시켜상기기판의표면으로부터제거될수 있다. 도전물질과같은표적물질은그 후상기제2 반응챔버안에서상기기판표면상에퇴적될수 있다.
摘要翻译：一种用于制造集成电路的方法包括通过预清洁工艺去除氧化硅的步骤。预清洗方法包括以下步骤：在第一反应室中在基材的表面上沉积含卤素材料; 以及将含有卤素材料的基材转移到第二反应室。氧化硅材料具有在第二室中升华的含卤素材料以从基板的表面去除。诸如导电材料的目标材料沉积在第二反应室中的衬底的表面上。

10. 发明公开

KR1020150107638A 분리 재생 장치 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：分离和再生装置和基板加工装置
公开(公告)号：KR1020150107638A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020150033589
申请日：2015-03-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미츠오카가즈유키 , 오노히로키 , 오리이다케히코 , 도시마다카유키
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/02049 , H01L21/02054
摘要： 웨이퍼(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있고, 또한 운전 비용의 저감을 도모한다.
분리 재생 장치(30)는 불소 함유 유기 용제에 용해되지 않으며 비중이 가벼운 액체와, 제1 비점을 갖는 제1 불소 함유 유기 용제와, 제1 비점보다 높은 제2 비점을 갖는 제2 불소 함유 유기 용제를 갖는 혼합 액체를 생성하는 혼합 배액 탱크(31)(혼합액 생성부)와, 혼합액 중 제1 불소 함유 유기 용제와 제2 불소 함유 유기 용제를 제1 비점과 제2 비점 사이의 온도로 가열하여 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제와 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제로 분리하는 증류 탱크(34)와, 증류 탱크(34)로부터의 제1 불소 함유 유기 용제를 액화하여 저류하는 제1 탱크(35)와, 증류 탱크(34)로부터의 제2 불소 함유 유기 용제를 저류하는 제2 탱크(36)를 구비하고 있다. 제1 탱크(35) 및 제2 탱크(36)에, 잉여압을 혼합 배액 탱크(31)측으로 유도하는 잉여압 복귀 라인(51, 53, 55)이 마련되어 있다.
摘要翻译：本发明的目的是可靠地去除晶片上的液体（W），并降低运行成本。一种分离和重新制备装置（30）包括：用于产生不溶于含氟有机溶剂并且其比重轻的液体的混合废液罐（混合液体产生部分）和具有具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和第二沸点高于第一沸点的第二含氟有机溶剂; 用于将混合液体中的第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂以气态分离成第一含氟有机溶剂的液体（34）和液体中的第二含氟有机溶剂通过在第一沸点和第二沸点之间的温度下加热形成; 用于从所述蒸馏罐（34）液化和储存所述第一含氟有机溶剂的第一罐（35）; 以及用于从所述蒸馏罐（34）储存所述第二含氟有机溶剂的第二罐（36）。准备剩余的压力返回管线（51,53,55）以对第一罐（35）和第二罐（36）中的混合废液箱（31）产生多余的压力。

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