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热词
    • 1. 发明授权
    • 통신시스템에서 부호화 방법 및 장치
    • 一种编码方法和装置
    • KR100757963B1
    • 2007-09-11
    • KR1020030096818
    • 2003-12-24
    • 삼성전자주식회사재단법인서울대학교산학협력재단
    • 정재학전경훈정태진
    • H04B7/06
    • H04L27/34H04L1/0625H04L1/0643H04L1/0668
    • 본 발명은 페이딩 채널을 통해 N개의 의 송신 안테나로 데이터를 전송하는 송신기와 다수의 수신 안테나로 데이터를 수신하는 수신기를 포함하는 통신 시스템에 있어서, 상기 송신안테나를 통해 부호화 행렬을 전송하는 부호화 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 변조 방식으로 변조된 다수의 입력 심볼들로 구성된 L차원의 입력 벡터( )에 대해 성상 회전을 수행하여 P개의 m차원 서브 회전 벡터( )를 출력하는 성상 회전 선-부호기 (20); 상기 서브 회전 벡터 각각의 신호 를 하나씩 추출하는 다수의 추출모듈(33)로부터, 상기 추출된 신호들을 묶어 상기 L 보다 작은 m개의 P차원 서브 벡터 를 생성하는 군집기(30); 상기 서브 벡터 에 직교 시공간 블록 부호화를 수행하여 발생한 부호어 행렬 들을 입력으로 제 1부호어 행렬( )을 생성하고, 상기 의 좌우측에 임의의 단위 행렬 와 단위 행렬 를 각각 곱하여 수정된 제 2 부호어 행렬인 을 생성한 후, 상기 행렬을 심벌 구간 동안 개의 전송 안테나들을 통해 전송하는 시공간 블록 부호기를 포함하여 성상 회전 선-부호기와 직교 시공간 블록 부호기를 직렬 연접하여 구성됨으로써, QAM 변조 방식과 2개 이상의 송신 안테나들을 사용하는 경우에도 최대 다이버시티 이득을 얻을 수 있고, 직교 시공간 블록 부호로 알라무티 (Alamouti) 부호를 사용함으로써 최대 부호화 이득을 얻을 수 있으며, 송신 신호에 성성 회전 선-부호화 및 직교 시공간 블록 부호화를 수행하여 최대 다이버시티 이득을 얻는 동시에 복호 시 최대 우도 복호가 가능한 효과가 있다.
      성상 회전 선-부호, 직교 시공간 블록 부호, 송신 다이버시티, 최대우도
    • 8. 发明授权
    • 루테늄 박막 형성 방법
    • 루테늄박막형성방법
    • KR100686688B1
    • 2007-02-27
    • KR1020050114187
    • 2005-11-28
    • 재단법인서울대학교산학협력재단
    • 정재학최재호최강준이진욱황철성
    • H01L27/108
    • A method for forming a ruthenium thin film is provided to enhance a step coverage and adherence thereof and minimize dependency of deposition characteristic due to variation of a base layer by forming a metal-halogen absorbing layer prior to formation of the ruthenium thin film. A semiconductor substrate is loaded in a reaction chamber(S1), and a metal-halogen compound absorbing layer is formed on the substrate(S2). A ruthenium thin film is formed on the absorbing layer(S3). The step of forming the absorbing layer includes supplying a metal-halogen compound into the reaction chamber to deposit the compound on the substrate, and discharging the residue of the metal-halogen compound from the reaction chamber. The step of forming the absorbing layer is repeated at least one time.
    • 提供形成钌薄膜的方法以增强台阶覆盖率和其附着力,并且通过在形成钌薄膜之前形成金属卤素吸收层而使由于基底层的变化引起的沉积特性的依赖性最小化。 将半导体衬底装载到反应室(S1)中,并且在衬底上形成金属 - 卤素化合物吸收层(S2)。 在吸收层上形成钌薄膜(S3)。 形成吸收层的步骤包括将金属卤素化合物供应到反应室中以将化合物沉积在基板上,并且从反应室排出金属卤素化合物的残余物。 形成吸收层的步骤至少重复一次。