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1. 发明授权

KR102022346B1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102022346B1
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：KR1020130018552
申请日：2013-02-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이건훈 , 박성현 , 윤의준 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/12 , H01L33/00

2. 发明公开

KR1020120102340A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120102340A
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020110020443
申请日：2011-03-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 이건훈 , 신인수 , 윤석호 , 김기성 , 김성태 , 김영선
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0254 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency by minimizing stress applied to a semiconductor layer on a heterogeneous substrate. CONSTITUTION: An AlxInyGa1-x-yN layer(102) is formed on a substrate(101). A first conductive semiconductor layer(103) is formed on the AlxInyGa1-x-yN layer. An active layer(104) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(105) is formed on the active layer. An ohmic electrode layer(106) is formed on the second conductive semiconductor layer. A second electrode(107b) is formed on the ohmic electrode layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过使施加到异质衬底上的半导体层的应力最小化来提高发光效率。构成：在衬底（101）上形成Al x In y Ga 1-x-y N层（102）。在Al x In y Ga 1-x-y N层上形成第一导电半导体层（103）。在第一导电半导体层上形成有源层（104）。在有源层上形成第二导电半导体层（105）。在第二导电半导体层上形成欧姆电极层（106）。第二电极（107b）形成在欧姆电极层上。

3. 发明授权

KR101810609B1 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101810609B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020110012863
申请日：2011-02-14
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이상문 , 윤의준 , 박진섭 , 박성현
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： 반도체소자가개시된다. 개시된반도체소자는 3차원구조의표면형태를가지며, 비극성질화물반도체로이루어진제1 비평탄비극성질화물반도체층; 상기제1 비평탄비극성질화물반도체층위에형성된것으로, 다수의고체입자로이루어진제1 구조물층; 상기제1 비평탄비극성질화물반도체층및 상기제1 구조물층위에형성된제1 비극성질화물반도체층:을포함한다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件。所公开的半导体器件具有三维结构的表面结构并且包括由非极性氮化物半导体制成的第一非平面非极性氮化物半导体层; 第一结构层，形成在所述第一不平衡非极性氮化物半导体层上，所述第一结构层包括多个固体颗粒; 以及在第一非极性非极性氮化物半导体层和第一结构层上形成的第一非极性氮化物半导体层。

4. 发明公开

KR1020170021974A 반도체 자외선 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体超紫外线发光器件
公开(公告)号：KR1020170021974A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150116301
申请日：2015-08-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 김정섭 , 이동현 , 이진섭 , 황경욱 , 신인수 , 윤의준 , 이건도 , 장정환
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： 본발명의일 실시예는, 기판과, 상기기판상에배열된복수의나노로드를갖는제1 AlN 층과, 복수의나노로드사이에보이드가존재하도록제1 AlN 층상에배치된제2 AlN 층과, 상기제2 AlN 층상에배치되며, 제1 도전형 AlGaN 층을갖는제1 도전형질화물층과, 상기제1 도전형질화물층상에배치되며, AlInGaN(0≤x+y≤1, 0≤y
摘要翻译：一种半导体紫外线发射装置，包括：基板; 缓冲层，其设置在所述基板上并且包括多个纳米棒，在所述多个纳米棒之间形成有多个空隙; 第一导电氮化物层，设置在所述缓冲层上并具有第一导电AlGaN层; 设置在第一导电氮化物层上并具有包括Al x In y Ga 1-x-y N（0≤x+y≤1,0≤y<0.15）的量子阱的有源层）。以及设置在所述有源层上并具有第二导电AlGaN层的第二导电氮化物层，其中所述多个纳米棒满足3.5≤n（λ）×D /λ≤5.0，其中λ表示由所述活性物质产生的光的波长层，n（λ）表示波长为λ的多个纳米棒的折射率，D表示多个纳米棒的直径。

5. 发明公开

KR1020140104717A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140104717A
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130018552
申请日：2013-02-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이건훈 , 박성현 , 윤의준 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L2933/0091
摘要： One aspect of the present invention provides a semiconductor light emitting device which includes a base semiconductor layer which has at least one void set group having multiple voids, a first conductivity type semiconductor layer which is formed on the base semiconductor layer, an active layer which is formed on the first conductivity type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer which is formed on the active layer. According to one embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device which has a semiconductor layer of excellent crystallinity and improved light efficiency can be obtained.
摘要翻译：本发明的一个方面提供了一种半导体发光器件，其包括具有至少一个具有多个空隙的空隙组的基极半导体层，形成在该基底半导体层上的第一导电型半导体层，形成在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层和形成在有源层上的第二导电类型半导体层。根据本发明的一个实施例，可以获得具有优异的结晶度和改善的光效率的半导体层的半导体发光器件。

6. 发明公开

KR1020120092928A 반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120092928A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：KR1020110012863
申请日：2011-02-14
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이상문 , 윤의준 , 박진섭 , 박성현
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/0075
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a non-polar nitride device of a structure capable of minimizing penetrating potential density and stacking fault density. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(110). A first non-planar non-polar nitride semiconductor layer(130) is formed on the buffer layer. A first structure layer(140) is formed at a part of the surface of the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer. The first structure layer is comprised of plurality of solid particles(141). A first non-polar nitride semiconductor layer(150) is formed on the first non-planar non-polar nitride semiconductor layer and first structure layer. A second non-polar nitride semiconductor layer is formed on the first non-polar nitride semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以形成能够最小化穿透电位密度和堆垛层错密度的结构的非极性氮化物器件。构成：在衬底（110）上形成缓冲层（120）。第一非平面非极性氮化物半导体层（130）形成在缓冲层上。第一结构层（140）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层的表面的一部分处。第一结构层由多个固体颗粒（141）组成。第一非极性氮化物半导体层（150）形成在第一非平面非极性氮化物半导体层和第一结构层上。在第一非极性氮化物半导体层上形成第二非极性氮化物半导体层。

7. 发明授权

KR101809252B1 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치 有权
标题翻译：半导体叠层结构，使用其的氮化物半导体层的分离方法和装置
公开(公告)号：KR101809252B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
发明人： 윤의준 , 문대영 , 장정환 , 박용조 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32
摘要： 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 또는그 조합의방법으로수행할수 있다.
摘要翻译：根据本发明，上述氮化物半导体和Lee，钟单晶衬底，一个形成在基板上的半导体层叠结构，使得至少部分所述衬底双峰福利之间的空的空间（腔）在晶体结构中结晶，例如衬底，无机薄膜，mitbin空间并且从结晶的无机薄膜生长氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和设备将衬底与氮化物半导体层机械分离。机械分离可以在基板和分离给定的垂直力施加到所述半导体层中，给定的分离力在水平方向上的方法，用于分离给定的相对圆周运动的力，或方法的组合的方法中的氮化物的方法来进行。

8. 发明公开

KR1020120003413A 반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：用于半导体器件的衬底，使用其的氮化物薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120003413A
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A substrate for a semiconductor device, a nitrogen thin film structure using the same, and a forming method thereof are provided to obtain an ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) effect due to a hollow structure by growing a nitrogen thin film from the exposed substrate surface around the hollow structure. CONSTITUTION: A substrate(300) is used for a heterogeneous epitaxial thin film growth of semiconductor materials. A plurality of hollow structures(305) have an empty particle shape on the substrate. A nitride thin film(315) is formed on the substrate. The nitride thin film is comprised of two or more films. A buffer layer(310) is formed between the substrate and the nitride thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体器件的衬底，使用其的氮薄膜结构及其形成方法，以通过从暴露的衬底生长氮薄膜而获得由于中空结构而产生的ELO（外延横向过度生长）效应表面围绕中空结构。构成：衬底（300）用于半导体材料的异质外延薄膜生长。多个中空结构（305）在基板上具有空的颗粒形状。在基板上形成氮化物薄膜（315）。氮化物薄膜由两个或更多个膜组成。在衬底和氮化物薄膜之间形成缓冲层（310）。

9. 发明授权

KR100980115B1 발광 다이오드 코팅 방법 有权
标题翻译：涂覆发光二极管的方法
公开(公告)号：KR100980115B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020080001861
申请日：2008-01-07
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 권성훈 , 윤의준 , 박욱
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다.
본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.

10. 发明公开

KR1020100029704A 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：硝酸盐薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020100029704A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020090083292
申请日：2009-09-04
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： PURPOSE: A nitride thin film structure and a forming method thereof are provided to manufacture an optoelectronic device with high efficiency and high reliability by growing up nitride semiconductor epitaxial layer with superior material property. CONSTITUTION: A nitride thin film structure and a forming method thereof comprise a substrate(100), a hollow structure(105), and a nitride thin film(120). The nitride film comprises a first nitride film, a second nitride film, and a third nitride film. The first nitride film is form on a buffering layer above a hollow structure. The second nitride film is formed on the first nitride film. The third nitride film is formed on the second nitride film. The hollow structure is spread in the top of the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法，通过生长具有优异材料性质的氮化物半导体外延层来制造具有高效率和高可靠性的光电子器件。构成：氮化物薄膜结构及其形成方法包括基板（100），中空结构（105）和氮化物薄膜（120）。氮化物膜包括第一氮化物膜，第二氮化物膜和第三氮化物膜。第一氮化物膜形成在中空结构上方的缓冲层上。第二氮化物膜形成在第一氮化物膜上。第三氮化物膜形成在第二氮化物膜上。中空结构扩散在基板的顶部。

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