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1. 发明授权

KR100574993B1 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于光致抗蚀剂的顶涂组合物和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR100574993B1
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040094925
申请日：2004-11-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 류만형 , 우상균 , 김현우 , 하정환 , 윤진영
IPC分类号： G03F7/027
摘要： 액침 리소그래피 공정에 적용될 수 있는 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과, 액침 리소그래피 공정에 의한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 탑 코팅 조성물은 카르복실기 또는 술폰산기를 함유하는 폴리머, 염기, 및 순수를 포함하는 용매로 이루어진다. 본 발명에 따른 탑 코팅 조성물로 구성된 탑 코팅막은 TAG를 이용하거나 물에 침지시키는 방법에 의해 물에 녹지 않는 불용성막으로 될 수 있다. 이와 같이 얻어진 불용성 탑 코팅막을 배리어로 사용하여 액침 리소그래피 공정을 행함으로써 액침 매체를 통한 노광중에 포토레지스트 성분이 액침 매체에 용해되는 것을 방지할 수 있다.
액침 리소그래피, 카르복실기, TAG, 침지, 굴절율
摘要翻译：可以应用于浸没式光刻工艺的用于光刻胶的顶涂层组合物，以及通过浸没式光刻工艺形成光刻胶图案的方法。根据本发明的面漆组合物包含含有羧基或磺酸基团的聚合物，碱和包含纯水的溶剂。由根据本发明的顶部涂层组合物构成的顶部涂层可以是通过使用TAG或通过浸入水中而不溶于水的不溶性膜。通过使用由此获得的不溶性顶涂膜作为阻挡层进行浸没式光刻工艺，可以防止在通过浸渍介质曝光期间光刻胶组分溶解在浸渍介质中。

2. 发明授权

KR100575001B1 상호 결합 없는 이중 포토 리소그라피 방법 失效
标题翻译：无互耦的双光刻法
公开(公告)号：KR100575001B1
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020040104022
申请日：2004-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강율 , 조한구 , 우상균 , 이석주 , 하타미쯔히로 , 이형래 , 류만형
IPC分类号： H01L21/027

3. 发明公开

KR1020060007776A 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模图案及其形成方法和制造具有精细图案的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020060007776A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040057142
申请日：2004-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하정환 , 홍진 , 김현우 , 하타미쯔히로 , 콜라케마야수바라마냐 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144
摘要： 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 코팅되어 있고 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함한다. 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층은 졸-겔 반응으로부터 얻어지는 실리카 네트워크로 구성된다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, 실리케이트 올리고머, 가수분해 산물, 졸-겔 반응

4. 发明授权

KR100618909B1 실리콘을 함유하는 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：包含硅的顶层涂料组合物和使用该组合物形成光致抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：KR100618909B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020050078724
申请日：2005-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최상준 , 하타미쯔히로 , 조한구
IPC分类号： H01L21/027

5. 发明授权

KR100618851B1 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴 형성용 코팅 조성물 제조 방법 및 반도체 소자의제조 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模图案，其形成方法，制备精细图案的涂料组合物的制备方法以及半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR100618851B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020040057163
申请日：2004-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 하정환 , 김현우 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합에 의하여 네트워크를 형성하고 있는 불용성 인터폴리머 콤플렉스 (inter-polymer complex)로 이루어지는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 표면에 형성되어 있는 인터폴리머 콤플렉스층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상에 레지스트 패턴을 형성한 후, 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머를 포함하는 코팅 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 접촉시킨 상태에서 가열하여 인터폴리머 콤플렉스층을 형성한다. 코팅 조성물은 산 및 염기 중 어느 하나, 또는 이들을 모두 포함할 수 있다. 실리콘 알콕사이드 모노머, 실리콘 알콕사이드 올리고머, 또는 이들의 부분적 가수분해 산물과 같은 실리콘 함유 물질을 포함하는 코팅 조성물을 사용하여 BLR의 상부 레지스트 패턴에 인터폴리머 콤플렉스층을 형성하면, 증가된 실리콘 함량에 의하여 건식 식각에 대하여 증가된 내성을 가지고 미세 패턴을 형성할 수 있다.
인터폴리머 콤플렉스, 양성자 주게 폴리머, 양성자 받게 폴리머, 실리콘

6. 发明授权

KR100618864B1 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模图案，其形成方法，以及制造具有精细图案的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100618864B1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020040076350
申请日：2004-09-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 김현우 , 하정환 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
摘要： 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합에 의하여 상호 연결된 지퍼타입 (zipper type) 접합 영역을 가지는 겔(gel)층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 미세 패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 표면에 형성되어 있는 겔층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하는 데 있어서 레지스트 패턴 위에 겔층을 형성하기 위하여, 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머를 포함하는 코팅 조성물을 준비한다. 코팅 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 접촉시킨다. 코팅 조성물이 레지스트 패턴의 표면에 접촉된 상태에서 레지스트 패턴을 열처리하여 레지스트 패턴으로부터 코팅 조성물로 산을 확산시킨다.
수소 결합, 지퍼타입 접합, 겔, 양성자 주게 폴리머, 양성자 받게 폴리머

7. 发明授权

KR100688569B1 플루오르를 함유하는 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 失效
标题翻译： 플루오르를함유하는탑코팅조성물과이를이용한레스스트패턴형성방플루
公开(公告)号：KR100688569B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050079953
申请日：2005-08-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 최상준 , 류만형
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/00
摘要： A top coating composition containing fluorine for immersion lithography is provided to be manufactured easily and reduce manufacturing cost as well as satisfy principal requirements for top barrier applied in the immersion lithography, and form microfine patterns with favorable pattern profile. The top coating composition includes a polymer represented by a formula that has mass average molecular weight of 5,000 to 100,000, wherein: l+m+n is 1; l/(1+m+n) ranges from 0.1 to 0.7; m/(l+m+n) ranges from 0.3 to 0.9; n/(l+m+n) ranges from 0.0 to 0.6; Rf is fluorine substituted hydrocarbon group with C1 to C5; and Z is olefin monomer unit, and organic solvent. The Rf is perfluorohydrocarbon group or trifluoromethyl group. Z contains at least one hydrophilic group selected from alcohol group and acid group. Alternatively, Z is a monomer unit selected from (meth)acrylate, cycloolefin and (meth)acrylic acid. The organic solvent is alcohol organic solvent having C3 to C10.
摘要翻译：提供了一种用于浸没式光刻的包含氟的顶涂层组合物，其易于制造且降低了制造成本，并且满足了用于浸没式光刻中的顶部阻挡层的主要要求，并形成了具有良好图案轮廓的微细图案。顶部涂料组合物包含由具有5,000至100,000的质量平均分子量的式表示的聚合物，其中：1 + m + n是1; 1 /（1 + m + n）的范围为0.1至0.7; m /（l + m + n）的范围为0.3至0.9; n /（l + m + n）的范围为0.0至0.6; Rf是C1至C5的氟取代的烃基; Z是烯烃单体单元和有机溶剂。 Rf是全氟烃基或三氟甲基。 Z含有至少一个选自醇基和酸基的亲水性基团。或者，Z是选自（甲基）丙烯酸酯，环烯烃和（甲基）丙烯酸的单体单元。有机溶剂是具有C3至C10的醇有机溶剂。

8. 发明授权

KR100640643B1 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 失效
公开(公告)号：KR100640643B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020050048111
申请日：2005-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 류만형 , 김현우 , 우상균 , 하정환 , 윤진영
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004

9. 发明授权

KR100585138B1 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：用于半导体器件制造的掩模图案，形成半导体器件的方法以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100585138B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040024022
申请日：2004-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하정환 , 김현우 , 윤진영 , 하타미쯔히로 , 콜라케마야수바라마냐 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 적어도 측벽에 코팅되어 있는 자기조립 분자층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, CD, 양이온성 고분자 전해질, 음이온성 고분자 전해질
摘要翻译：包括自组装分子层的掩模图案，形成掩模图案的方法以及制造半导体器件的方法。根据本发明的掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案以及涂覆在抗蚀剂图案的至少侧壁上的自组装分子层。为了形成掩模图案，首先在基底上的基底膜上形成具有用于将底膜暴露第一宽度的开口的抗蚀剂图案。然后，在抗蚀剂图案的表面上形成自组装分子层。通过形成具有用于由第一宽度基膜曝光到所述半导体衬底的开口的抗蚀剂图案之后的小的第二宽度露出，该膜不是任选仅在比所述第一宽度的抗蚀剂图案的表面形成自组装单分子层这样。使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模蚀刻基底膜以实现精细图案。

10. 发明公开

KR1020060027524A 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的掩模图案，其形成方法以及制造具有精细图案的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020060027524A
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020040076350
申请日：2004-09-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하타미쯔히로 , 김현우 , 하정환 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , H01L21/0273
摘要： 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합에 의하여 상호 연결된 지퍼타입 (zipper type) 접합 영역을 가지는 겔(gel)층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 미세 패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 표면에 형성되어 있는 겔층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하는 데 있어서 레지스트 패턴 위에 겔층을 형성하기 위하여, 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머를 포함하는 코팅 조성물을 준비한다. 코팅 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 접촉시킨다. 코팅 조성물이 레지스트 패턴의 표면에 접촉된 상태에서 레지스트 패턴을 열처리하여 레지스트 패턴으로부터 코팅 조성물로 산을 확산시킨다.
수소 결합, 지퍼타입 접합, 겔, 양성자 주게 폴리머, 양성자 받게 폴리머

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