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1. 发明公开

KR1020060002665A 가변저항 트리밍 제어회로 无效
标题翻译：用于可变电阻器的TRIMMING控制电路
公开(公告)号：KR1020060002665A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020040051802
申请日：2004-07-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최중용 , 강영구 , 장기호
IPC分类号： H01C10/08
摘要： 테스트 결과에 의하여 결정된 트리밍 하여야 하는 포인트가 실제의 트리밍 작업 시 정확하게 실현되도록 하는 가변저항 트리밍 제어회로를 개시한다. 상기 가변저항 트리밍 제어회로는, FCS(Fuse Control Signal) 발생기, 제어신호 발생기 및 저항스위치 어레이를 구비한다. 상기 FCS 발생기는, 셋업(Set Up) 신호의 위상반전 신호 또는 소정의 전압준위를 가지는 신호인 FCS 신호를 출력하는 적어도 하나 이상의 FCS 발생회로를 구비한다. 상기 제어신호 발생기는, 상기 적어도 하나 이상의 FCS 신호 및 가변저항의 값을 결정하기 위한 적어도 하나 이상의 모드 레지스터 셋 신호를 수신하여 적어도 하나 이상의 제어신호를 출력한다. 상기 저항 스위치 어레이는, 상기 적어도 하나 이상의 제어신호에 따라 선택되거나 제거되는 저항 어레이 및 스위치 어레이를 구비한다.
MRS, Fuse cutting, Temperature Detect, 가변저항

2. 发明公开

KR1020050034402A 동작 모드의 재설정없이 버스트 길이를 제어할 수 있는반도체 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：可控制爆发长度的半导体存储器件，不重复操作模式和包括其的存储器系统
公开(公告)号：KR1020050034402A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1020030070311
申请日：2003-10-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강영구 , 최종현 , 정우섭 , 장기호 , 최중용
IPC分类号： G11C11/409
CPC分类号： G11C7/1045 , G11C29/46
摘要： 여기에 개시되는 메모리 시스템은 메모리와; 그리고 상기 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함한다. 상기 메모리 컨트롤러는 초기 버스트 길이를 갖도록 상기 메모리의 동작 모드를 설정하고, 읽기/쓰기 동작 모드시 상기 메모리로 버스트 어드레스를 포함하는 어드레스와 함께 액티브 명령 및 읽기/쓰기 명령 중 어느 하나를 출력한다. 상기 메모리의 버스트 길이는 상기 버스트 어드레스에 따라 결정되고, 읽기/쓰기 동작 이후에 상기 초기 버스트 길이로 재설정된다. 이러한 제어 방식에 따르면, 동작 모드의 재설정없이 액티브/읽기/쓰기 명령와 입력되는 외부 신호 (예를 들면, 어드레스)에 의해서 버스트 길이를 가변시킬 수 있다.

3. 发明公开

KR1020070115260A 동적 반도체 메모리 장치, 이 장치의 오토 리프레쉬 방법,및 이 장치를 구비한 시스템 失效
标题翻译：动态半导体存储器件，其自动刷新方法及其包含的系统
公开(公告)号：KR1020070115260A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020060049427
申请日：2006-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최중용 , 이동우
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/40611 , G11C8/12 , G11C11/40618 , G11C11/4072 , G11C11/408
摘要： A dynamic semiconductor memory device, an automatic refresh method of the same, and a system comprising the same are provided to perform an auto refresh operation of all banks and an auto refresh operation of a selected bank selectively. A plurality of memory cell array banks(10-1-10-n) comprises a plurality of memory cells connected between a plurality of word lines and a plurality of bit lines respectively. A refresh control part controls to perform a first auto refresh operation of at least one memory cell array bank selected among the plurality of memory cell array banks in response to a bank address applied from the outside in response to an auto refresh mode control signal, or controls to perform a second auto refresh operation of all memory cell array banks in response to the auto refresh mode control signal, when an auto refresh command signal and the auto refresh mode control signal are applied from the outside.
摘要翻译：提供动态半导体存储器件，其自动刷新方法和包括该动态半导体存储器件的系统，以选择性地执行所有存储体的自动刷新操作和所选存储体的自动刷新操作。多个存储单元阵列组（10-1-10-n）分别包括连接在多个字线和多个位线之间的多个存储单元。刷新控制部分响应于自动刷新模式控制信号响应于从外部施加的存储体地址而执行在多个存储单元阵列组中选择的至少一个存储单元阵列组的第一自动刷新操作，或当从外部施加自动刷新命令信号和自动刷新模式控制信号时，控制响应于自动刷新模式控制信号执行所有存储单元阵列组的第二自动刷新操作。

4. 发明公开

KR1020060086579A 셀프 리프레쉬 모드를 가지는 반도체 메모리 장치 및 그의동작 방법 失效
标题翻译：具有自刷新模式的半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR1020060086579A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020050007412
申请日：2005-01-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최중용 , 강영구 , 장기호
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C2211/4067 , G11C11/40626 , G11C11/4082 , G11C2211/4065
摘要： A semiconductor memory device supporting a self refresh operation is disclosed and comprises an address buffer unit and an operation control unit. The address buffer unit may be enabled during the self refresh operation by a first external control signal to generate an internal address signal. The operation control unit controls the start of the self refresh operation in response to the internal address signal.

5. 发明授权

KR100559731B1 온도 센서의 불량을 감지하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 테스트 방법 失效
标题翻译：温度补偿型自刷新半导体存储器件，用于检测温度不良传感器及使用其的测试方法
公开(公告)号：KR100559731B1
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：KR1020040080809
申请日：2004-10-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재응 , 최중용 , 강영구 , 황민규
IPC分类号： G11C7/04 , G11C29/00 , G11C11/401 , G11C11/406
摘要： 온도 센서의 불량을 감지하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 테스트 방법이 개시된다. 측정온도에 상응하는 적어도 하나의 온도 검출 신호를 출력하는 온도 센서부, 상기 온도 검출 신호의 오류를 검출하여 온도 검출 오류 신호를 출력하는 온도 검출 오류 감지 회로부, 및 상기 온도 검출 오류 신호에 응답하여 온도 검출 오류 정보를 외부로 출력하는 온도 검출 오류 감지 패드를 구비한 것을 특징으로 하는 온도 보상형 셀프 리프레쉬 반도체 메모리 장치가 구성된다. 따라서, 온도 센서의 불량에 의해서 전류 특성에 문제가 있는 반도체 메모리 장치를 조기에 검출할 수 있다.
摘要翻译：一种用于检测温度传感器故障的温度补偿型自刷新半导体存储器件以及使用该自刷新半导体存储器件的测试方法。温度检测误差检测电路部分，用于检测温度检测信号中的至少一个并输出温度检测误差信号;以及温度检测误差检测部分，用于输出对应于温度的至少一个温度检测信号以及温度检测误差检测焊盘，用于将检测误差信息输出到外部。温度补偿型自刷新半导体存储器件包括：因此，由于温度传感器的故障，可以提前检测出具有电流特性问题的半导体存储器件。

6. 发明公开

KR1020040006933A 반도체 메모리장치의 워드라인 프리차아지 전압 변환회로및 그 방법 无效
标题翻译：用于转换半导体存储器件的字线预加电压的电路及其方法
公开(公告)号：KR1020040006933A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020020041539
申请日：2002-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강영구 , 최중용
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C8/08 , G11C5/143 , G11C11/4085
摘要： PURPOSE: A circuit for converting a word line precharge voltage of a semiconductor memory device and a method thereof are provided to prevent current consumption by converting the word line precharge voltage when starting a specific mode. CONSTITUTION: According to the circuit for converting a word line precharge voltage of a semiconductor memory device, a signal generation part(30) generates a signal when starting a specific mode. A voltage detector(32) is disabled by the signal generated from the above signal generation part and outputs a power disable signal preventing an array bulk voltage from being supplied as a word line precharge voltage(VBB2). A power supply part(34) prevents the array bulk voltage from being supplied as the word line precharge voltage by a power supply disable signal being output from the voltage detector. And a switch(36) is switched on by the signal generated from the signal generation part and then supplies a ground voltage(VSS) as the word line precharge voltage.
摘要翻译：目的：提供用于转换半导体存储器件的字线预充电电压的电路及其方法，以在开始特定模式时通过转换字线预充电电压来防止电流消耗。构成：根据用于转换半导体存储器件的字线预充电电压的电路，信号产生部分（30）在开始特定模式时产生信号。电压检测器（32）由上述信号产生部分产生的信号禁止，并输出防止阵列体电压作为字线预充电电压（VBB2）提供的功率禁止信号。电源部分（34）通过从电压检测器输出的电源禁止信号来防止阵列体电压作为字线预充电电压被提供。并且通过由信号产生部分产生的信号接通开关（36），然后提供接地电压（VSS）作为字线预充电电压。

7. 发明授权

KR100843708B1 동적 반도체 메모리 장치, 이 장치의 오토 리프레쉬 방법,및 이 장치를 구비한 시스템 失效
标题翻译：动态半导体存储器件，其自动刷新方法及其系统
公开(公告)号：KR100843708B1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：KR1020060049427
申请日：2006-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최중용 , 이동우
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 본 발명은 동적 반도체 메모리 장치, 이 장치의 오토 리프레쉬 방법, 및 이 장치를 구비한 메모리 시스템을 공개한다. 이 장치는 복수개의 워드 라인들과 복수개의 비트 라인들 각각의 사이에 연결된 복수개의 메모리 셀들을 각각 구비하는 복수개의 메모리 셀 어레이 뱅크들, 및 외부로부터 인가되는 오토 리프레쉬 모드 제어신호의 제1상태에 응답하여 외부로부터 인가되는 오토 리프레쉬 명령 신호의 인가 횟수를 카운팅하여 소정수가 되면 카운팅 제어신호를 발생하고 카운팅 제어신호에 응답하여 카운팅하여 리프레쉬 어드레스를 발생하고 외부로부터 인가되는 뱅크 어드레스에 응답하여 복수개의 메모리 셀 어레이 뱅크들중 적어도 하나의 뱅크 선택신호를 활성화하여 제1오토 리프레쉬 동작을 수행하게 하거나, 오토 리프레쉬 모드 제어신호의 제2상태에 응답하여 오토 리프레쉬 명령 신호에 응답하여 카운팅하여 리프레쉬 어드레스를 발생하고 복수개의 메모리 셀 어레이 뱅크들을 동시에 활성화하여 제2오토 리프레쉬 동작을 수행하도록 하는 리프레쉬 제어부로 구성되어 있다.

8. 发明公开

KR1020070119838A 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 리플레시 동작 시 추가기능 수행 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件及其使用方法同时执行刷新和补充功能
公开(公告)号：KR1020070119838A
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020060054272
申请日：2006-06-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동우 , 최중용
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/406 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/04 , G11C7/1045 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C11/40603 , G11C11/40626 , G11C11/4093 , G11C7/1096 , G11C11/4096
摘要： A semiconductor memory device and a method of executing addition function during refresh operation of the same are provided to increase efficiency of the semiconductor memory device by not requiring additional operation time for the addition function. A memory cell array(114) comprises a plurality of memory cells connected between a plurality of word lines and a plurality of bit lines. A command decoder(117) outputs an active signal, a read signal, a write signal, a refresh signal and a mode set signal by decoding a command from the outside. A mode register(116) enables an addition function control signal by receiving a mode set code set to perform addition function together with refresh operation in response to the mode set signal. A refresh circuit part(120) generates an internal row address to refresh a memory cell of the memory cell array in response to the refresh signal. An addition function control part(130) receives the addition function control signal from the mode register, and outputs a control signal when a control code applied from the outside indicates the addition function operation together with the refresh operation in response to the refresh signal. An addition function operation part performs addition function designated during the refresh operation in response to the control signal.
摘要翻译：提供半导体存储器件和在其刷新操作期间执行加法函数的方法，以通过不需要附加功能的附加操作时间来提高半导体存储器件的效率。存储单元阵列（114）包括连接在多个字线和多个位线之间的多个存储单元。命令解码器（117）通过从外部解码命令来输出有效信号，读取信号，写入信号，刷新信号和模式设置信号。模式寄存器（116）响应于模式设置信号，通过接收与设置刷新操作相关的模式设置代码设置来执行加法函数来启用加法函数控制信号。刷新电路部分（120）响应于刷新信号产生内部行地址以刷新存储单元阵列的存储单元。加法函数控制部分（130）从模式寄存器接收加法函数控制信号，并且当从外部施加的控制代码响应刷新信号与刷新操作一起指示加法函数运算时，输出控制信号。附加功能操作部分响应于控制信号执行在刷新操作期间指定的加法函数。

9. 发明授权

KR100650989B1 반도체 소자 및 메모리 시스템과, 자동 리프레시 방법. 失效
标题翻译： 반도체소자및메모리시스템과，자동리프레시방법。
公开(公告)号：KR100650989B1
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：KR1020050080033
申请日：2005-08-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동우 , 최중용 , 최종현
IPC分类号： G11C11/406
摘要： A semiconductor device and a memory system, and an auto refresh method are provided to reduce the number of pins of a memory controller by inputting one temperature detection signal to the memory controller by multiplexing the temperature detection signals of a plurality of semiconductor memory devices. A semiconductor device comprises an input port and an output port. A temperature sensor(TEMP0) generates an internal temperature detection signal by detecting internal temperature. An input buffer(TIBF0) inputs an external temperature detection signal supplied from the outside through the input port. An output buffer(TOBF0) outputs the external temperature detection signal or the internal temperature detection signal to the outside through the output port.
摘要翻译：提供半导体器件和存储器系统以及自动刷新方法，以通过复用多个半导体存储器件的温度检测信号而将一个温度检测信号输入到存储器控制器来减少存储器控制器的引脚数量。半导体器件包括输入端口和输出端口。温度传感器（TEMP0）通过检测内部温度产生内部温度检测信号。输入缓冲器（TIBF0）通过输入端口输入外部提供的外部温度检测信号。输出缓冲器（TOBF0）通过输出端口将外部温度检测信号或内部温度检测信号输出到外部。

10. 发明授权

KR100564640B1 온도측정기 동작지시신호 발생기 및 이를 구비하는 반도체메모리 장치 失效
标题翻译：温度计操作指令信号发生器和具有该温度计操作指令的半导体存储器件
公开(公告)号：KR100564640B1
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020050012896
申请日：2005-02-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최종현 , 강영구 , 최중용 , 서동일 , 서영훈
IPC分类号： G11C7/04 , G11C29/00
摘要： 온도측정기(Temperature Sensor)를 구동할 수 있는 온도측정기 동작지시신호 발생기 및 상기 발생기를 구비하는 반도체 메모리 장치를 개시한다. 상기 온도측정기 동작지시신호 발생기는, CLK, CKE, RAS, CAS, WE 및 CS 신호들 전부 또는 일부의 신호를 이용하여, 온도측정기(Temperature Sensor)의 동작을 지시하는 동작지시신호를 발생시키며, 상기 동작지시신호는, 셀프 리프레시 모드(Self Refresh Mode), 자동 리프레시 모드(Auto Refresh Mode) 및 롱 tRAS 모드(Long tRAS Mode)조건 중에서 적어도 하나의 조건에 대응되는 신호이다. 상기 반도체 메모리 장치는, 온도측정기(Temperature Sensor) 및 온도측정기 동작지시신호 발생회로(Operation Indicating Signal Circuit)를 구비한다.
摘要翻译：公开了一种包括能够驱动温度传感器和上述发生器的温度测量仪器操作指令信号发生器的半导体存储器件。温度测量设备操作指令信号发生器通过使用CLK，CKE，RAS，CAS，WE和CS信号的全部或部分信号来生成用于指示温度传感器的操作的操作指令信号，操作指令信号是与自刷新模式，自动刷新模式和长tRAS模式中的至少一个相对应的信号。该半导体存储装置包括温度传感器和温度测量装置操作指示信号生成电路。

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