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热词
    • 1. 发明公开
    • 화학적기계적 연마 장치의 리테이너 링
    • 化学机械抛光装置的保持环
    • KR1020040047261A
    • 2004-06-05
    • KR1020020075408
    • 2002-11-29
    • 삼성전자주식회사
    • 정기홍김상준김익주
    • H01L21/304
    • PURPOSE: A retainer ring of a CMP(chemical mechanical polishing) apparatus is provided to minimize deformation of horizontality of the bottom surface according to the fastened state of a screw by improving the structure of a retainer ring of a polishing head. CONSTITUTION: A manifold(144) disperses the air supplied from the outside to the inside of the polishing head. A carrier(146) is disposed under the manifold. A recess for receiving a semiconductor wafer is formed in the retainer ring(160) so that the retainer ring is disposed under the carrier and is coupled to the carrier. A bearing(170) is inserted into the retainer ring to planarize the bottom surface of the retainer ring.
    • 目的:提供CMP(化学机械抛光)装置的保持环,通过改善抛光头的保持环的结构,根据螺钉的紧固状态使底面的水平度的变形最小化。 构成:歧管(144)将从外部供应的空气分散到抛光头的内部。 载体(146)设置在歧管下方。 用于容纳半导体晶片的凹部形成在保持环(160)中,使得保持环设置在载体下方并且耦合到载体。 将轴承(170)插入保持环中以平坦化保持环的底表面。
    • 2. 实用新型
    • 반도체 소자의 평탄화 장비
    • 用于半导体器件的平面化设备
    • KR2019970046732U
    • 1997-07-31
    • KR2019950048873
    • 1995-12-27
    • 삼성전자주식회사
    • 정기홍고용선홍창기
    • H01L21/304
    • 본고안은반도체소자의제조공정웨이퍼에표면에형성된금속충을평탄화시키기위한 CMP공정에관한것으로특히장비의구조를개선한평탄화장치에대한것이다. 종래의평탄화장치는연마기와세척기의시스템구조가별도로구성되어공정이복잡하여기본사이즈가크며, 향후웨이퍼의사이즈도커질추세이므로이에따르는장비의확대로작업공간을확보하는데커다란어려움을직면하게되는문제점이있었다. 본고안은상술한문제점들을극복하기위한것으로연마기와세척기가하나를장비내어서작업할수 있도록제1, 제2 연마패드와크린스테이션을동일한중심을갖도록배치하여웨이퍼의작업공간의이동거리를짧게하고, 아암이홀더와세척및 패드컨디셔너기능을병행하고, 로디언로드부분을하나로통합하므로서장비의작업공정수및 크기를축소시킴으로서장비의가동효율및 작업시간을단축시킬수 있도록하였다.
    • 3. 发明公开
    • 웨이퍼 연마제의 불순물 제거 장치 및 방법
    • 用于去除晶片抛光剂中的杂质的设备和方法
    • KR1019970052672A
    • 1997-07-29
    • KR1019950059249
    • 1995-12-27
    • 삼성전자주식회사
    • 홍창기정기홍고용선
    • H01L21/304
    • 본 발명은 반도체장치의 기판으로 이용되는 웨이퍼의 연마공정에 있어서, 상기 웨이퍼를 연마하기 위한 연마제내의 불순물 이온을 제거하는 웨이퍼 연마제내의 불순물 이온 제거장치 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 연마제를 담고 있는 연마조와; 상기 연마조의 연마제내로 투입된 두개의 전극판과; 상기 두개의 전극판을 양극판 및 음극판으로 대전시키기 위해 상기 두개의 전극판과 연결된 전원부와; 사상기 연마조내의 연마재를 교반시키는 역할을 맡는 회전날개로 이루어진 구성과, 웨이퍼 연마재를 담고 있는 연마조와, 이 연마조내에 설치된 두개의 전극판과, 상기 연마재를 교반하기 위해 상기 연마조내에 설치된 회전날개를 구비한 웨이퍼 연마제의 불순물 제거장치의 불순물 제거방법에 있어서, 상기 두개의 전극판이 양극과 음극으로 대전되도록 전원을 공급하는 공정을 포함하고 있다. 이 장치 및 방법에 의해서 웨이퍼 연마제내의 금속 불순물 이온을 제거하여 사용함으로써, 반도체 장치 제조공정중 약액세정 처리공정을 수행하지 않을 수 있고, 이에 따라 반도체 장치의 제조공정을 단순화시킬수 있다.
    • 10. 发明公开
    • 화학적 기계적 연마 장치
    • CMP装置
    • KR1020040074269A
    • 2004-08-25
    • KR1020030009793
    • 2003-02-17
    • 삼성전자주식회사
    • 김상준정기홍김익주
    • H01L21/304
    • PURPOSE: A CMP apparatus is provided to improve polishing uniformity of a wafer by expanding uniformly a membrane in a polishing process. CONSTITUTION: A polishing pad is installed on an upper surface of a platen. A polishing head(200) is used for polishing a semiconductor substrate by pressing the semiconductor substrate on the polishing pad. The polishing head includes a support plate(224) installed on a bottom of the polishing head, a membrane(240) having a pressing part, the first fixing part, and the second fixing part, and a clamp(226) for fixing the membrane. A plurality of holes are formed on the support plate. A plurality of holes are formed on the pressing part.
    • 目的:提供一种CMP设备,以通过在抛光过程中均匀地扩展膜来提高晶片的抛光均匀性。 构成:抛光垫安装在压板的上表面上。 抛光头(200)用于通过将半导体衬底压在抛光垫上来研磨半导体衬底。 抛光头包括安装在抛光头底部的支撑板(224),具有按压部分的膜(240),第一固定部分和第二固定部分,以及用于固定膜 。 在支撑板上形成多个孔。 在按压部上形成有多个孔。