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1. 发明公开

KR1020090090928A 저잡음 증폭기 无效
标题翻译：低噪音放大器
公开(公告)号：KR1020090090928A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020080016496
申请日：2008-02-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임형선 , 박진수 , 이흥배 , 김영일 , 전상윤 , 권익진 , 김범만 , 윤제형
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/3211 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2203/45306 , H03F2203/45468 , H03F2203/45638
摘要： A low noise amplifier is provided to reduce power consumption by serially connecting a harmonic and noise generating part to a broadband amplifying part without a device like an adder. A low noise amplifying part(110) amplifies an input signal. A harmonic and noise generating part(120) is positioned in an input end of the low noise amplifying part. The harmonic and noise generating part generates a compensating signal for compensating a thermal noise signal and an intermodulation distortion signal about the input signal generated in the low noise amplifying part. A load part(130) outputs a signal amplified in the low noise amplifying part. The harmonic and noise generating part and the low noise amplifying part are serially connected. The harmonic and noise generating part generates an intermodulation distortion compensating signal having an opposite phase of 180 degree about the intermodulation distortion signal generated in the low noise amplifying part.
摘要翻译：提供低噪声放大器以通过将谐波和噪声产生部分串联连接到宽带放大部分而不需要像加法器那样的装置来降低功耗。低噪声放大部分（110）放大输入信号。谐波和噪声产生部分（120）位于低噪声放大部分的输入端。谐波和噪声产生部分产生用于补偿关于在低噪声放大部分中产生的输入信号的热噪声信号和互调失真信号的补偿信号。负载部分（130）输出在低噪声放大部分中放大的信号。谐波和噪声产生部分和低噪声放大部分串联。谐波和噪声产生部分产生与低噪声放大部分中产生的互调失真信号相反的180度相位的互调失真补偿信号。

2. 发明授权

KR100677741B1 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법, 보정장치 및 입력전압 보정에 사용되는 디지털 인터페이스 失效
标题翻译：用于校准压控振荡器的输入电压和用于校准输入电压的数字接口的方法和系统
公开(公告)号：KR100677741B1
公开(公告)日：2007-02-02
申请号：KR1020050018584
申请日：2005-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김대기 , 이흥배 , 전상윤 , 김종욱 , 정성재 , 방희문
IPC分类号： H03L7/187 , H03L7/08
CPC分类号： H03L7/10 , Y10S331/02
摘要： 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법은, 신호위상이 동기화되는 락 탐색 시간을 설정하는 단계, 락 탐색 전압구간을 설정하는 단계, 일정 간격에 따른 출력 주파수값들을 설정하는 단계, 상기 각 출력 주파수값에서의 락을 위해 필요한 전압제어발진기내의 커패시터 뱅크상의 커패시터 연결상태를 확인하는 단계, 상기 각 출력 주파수값에서의 상기 커패시터의 각 연결상태정보를 저장하는 단계 및 채널변경에 따라 상기 출력주파수값 중 하나의 출력주파수값이 결정되면, 채널변경에 따른 출력주파수값에 대응되는 연결상태정보에 따라 상기 커패시터 연결상태를 설정하는 단계를 포함한다. 바람직하게는 상기 커패시터 뱅크는, 커패시턴스가 서로 다른 일정 개수의 커패시터의 병렬 연결구조를 포함하며, 상기 커패시터에는 각각 스위치가 직렬연결된다. 본 발명에 따르면, 전압제어 발진기의 입력전압 보정에 있어서의 지연시간을 단축시키는 효과가 있다.
락 검출, 디지털 인터페이스, 전압제어 발진기, 입력전압 보정, 커패시터 뱅크, 저장부

3. 发明授权

KR100662870B1 씨모스 전압제어 발진기 失效
标题翻译：互补金属氧化物半导体压控振荡器
公开(公告)号：KR100662870B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050013772
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이흥배 , 정성재 , 전상윤
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1243 , H03B2200/0062
摘要： 위상 노이즈를 감소시킬 수 있는 씨모스 전압제어 발진기가 개시된다. 본 발명에 따른 CMOS 전압제어 발진기는 전압전원이 공급되고, 노드P 및 노드N을 포함하며, 주파수를 발진시키는 LC탱크부, 제1 NMOS FET 및 제2 NMOS FET을 포함하며, 네가티브 저항을 갖고 LC탱크부의 발진을 유지시키는 네가티브 저항부, 제1커패시터 및 제2커패시터를 포함하며, 전압전원의 DC전압 성분을 제거하는 DC블락부, 제1저항 및 제2저항을 포함하며, DC블락부를 통과한
AC전압성분이 제1 NMOS FET 및 제2NMOS FET의 게이트에 인가되게 하는 AC블락부, 제3 NMOS FET 및 제4 NMOS FET을 포함하며, 제1저항과 제3 NMOS FET의 게이트가 연결되고, 제2저항과 제4 NMOS FET의 게이트가 연결되며, 제3 NMOS FET의 드레인 및 게이트가 기준 전압부와 연결되며, 전압제어 발진기에 대칭적으로 전류를 흐르게 하는 제1 커런트 미러, 및 제3 NMOS FET의 드레인 및 게이트에 DC전압을 인가하여 상기 제1 커런트 미러에 전압을 공급하는
기준전압부를 포함한다. 이에 의해 전압제어 발진기의 위상 노이즈를 감소시킬 수 있다.
위상 노이즈, 씨모스 전압제어 발진기, DC블락, AC블락, 커런트 미러

4. 发明授权

KR100640065B1 그라운드 실드층을 포함하는 ＭＩＭ 커패시터 失效
标题翻译： MIM电容器包括接地屏蔽层
公开(公告)号：KR100640065B1
公开(公告)日：2006-10-31
申请号：KR1020050017258
申请日：2005-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상윤 , 이흥배 , 방희문 , 이광두 , 정성재
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L23/5225 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： MIM 커패시터가 개시된다. 본 MIM 커패시터는, 기판, 기판 상에서 하부전극, 유전층, 및, 상부전극이 차례로 적층된 구조로 제작된 커패시터부, 및, 커패시터부의 하부전극 및 기판 사이에 위치하며, 소정의 그라운드 단자와 연결된 그라운드 실드층을 포함한다. 이 경우, 그라운드 실드층은 메탈층이나 폴리층으로 구현될 수 있으며, 또는, 3가나 5가 불순물로 도핑된 도핑층으로 구현될 수도 있다. 또한, 그라운드 실드층은 소정 형태로 패터닝된 막형태가 될 수도 있다. 이에 따라, 기판에 의한 영향을 최소화할 수 있게 된다.
MIM 커패시터, 그라운드 실드층, 그라운드 단자, 기판

5. 发明公开

KR1020100133748A 디스크리트 타임 필터 및 이를 포함하는 수신기 无效
标题翻译： DSICRETE时间滤波器和接收器，包括它们
公开(公告)号：KR1020100133748A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：KR1020090052447
申请日：2009-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정호 , 기명오 , 전상윤 , 이흥배
IPC分类号： H03H11/04 , H04B1/10
CPC分类号： H04B1/30 , H03H15/023 , H04L27/00
摘要： PURPOSE: A discrete time filter and a receiver including the same are provided to reduce the folding noise due to the sampling and the frequency decimation by implementing interleaving sampling. CONSTITUTION: A discrete time filter comprises a transconductance circuit(101), a plurality of sampling cells, a first dummy sampling cell, a second dummy sampling cell, a first capacitor(C1), a second capacitor, and a buffer(110). The sampling cell implements the current mode sampling operation based on the current inputted into the input terminal in response to the sampling clock signal.
摘要翻译：目的：提供离散时间滤波器和包含该离散时间滤波器的接收器，以通过实施交织采样来减少由采样和频率抽取引起的折叠噪声。构成：离散时间滤波器包括跨导电路（101），多个采样单元，第一虚拟采样单元，第二虚拟采样单元，第一电容器（C1），第二电容器和缓冲器（110）。采样单元响应于采样时钟信号，基于输入到输入端的电流来实现电流模式采样操作。

6. 发明公开

KR1020090076520A 가변 인덕터 및 광대역 전압 제어 발진기 无效
标题翻译：可调电感器和宽带电压控制振荡器
公开(公告)号：KR1020090076520A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002514
申请日：2008-01-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상윤 , 이흥배 , 차충열 , 방희문 , 정성재 , 최규돈
IPC分类号： H01F27/00
CPC分类号： H01F21/12 , H01F17/0006 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H03B5/1256 , H03B5/1296 , H03B2201/0208 , H03B2201/0216
摘要： A variable inductor and a wideband voltage controlled oscillator are provided to reduce a size of the variable inductor by arranging a first conductive line and a second conductive line on the same plane. A variable inductor(100) includes a first conductor(110), a second conductor(120), a switch(130) and a substrate. An AC signal is applied to the first conductor. The first conductor is formed with a polygon, circle or multiple spiral shape. The second conductor is formed with a loop shape. If the AC signal is applied to the first conductor, the second conductor generates the induction current. The second conductor is arranged on the same plane as the first conductor. The switch switches the loop connection state of the second conductor according to the external control signal and controls the inductance of the first conductor. The substrate supports the first conductor and the second conductor.
摘要翻译：提供可变电感器和宽带压控振荡器以通过在同一平面上布置第一导线和第二导线来减小可变电感器的尺寸。可变电感器（100）包括第一导体（110），第二导体（120），开关（130）和基板。 AC信号施加到第一导体。第一导体形成有多边形，圆形或多个螺旋形状。第二导体形成为环形。如果将AC信号施加到第一导体，则第二导体产生感应电流。第二导体布置在与第一导体相同的平面上。该开关根据外部控制信号切换第二导体的环路连接状态，并控制第一导体的电感。衬底支撑第一导体和第二导体。

7. 发明授权

KR100777394B1 진폭 불균형을 개선하기 위한 온칩 트랜스포머 밸룬 失效
标题翻译：用于改善幅度不平衡的片上变压器BALUN
公开(公告)号：KR100777394B1
公开(公告)日：2007-11-19
申请号：KR1020060044444
申请日：2006-05-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동현 , 전상윤 , 이성수 , 이흥배 , 이해영 , 주성호
IPC分类号： H01F27/28 , H01F27/30 , H01F27/34
CPC分类号： H03H7/42 , H01F27/2804 , H01F27/34
摘要： An on-chip transformer balun to improve amplitude imbalance is provided to reduce the distortion of information due to the inflow of an unwanted signal from a direct conversion type receiver by improving a common mode noise removing characteristic. An on-chip transformer balun(400) to improve amplitude imbalance includes a primary winding(401), and a secondary winding(402). The primary winding is an input stage of the on-chip transformer balun. The secondary winding is an output stage of the on-chip transformer balun. One of the primary winding and the secondary winding is composed of a plurality of metal layers formed by spiral trace parts which are located on different layers except an underpass, and has an asymmetric structure.
摘要翻译：提供了一种用于提高幅度不平衡的片上变压器平衡 - 不平衡转换器，以通过改进共模噪声消除特性来减少由于直接转换型接收机的不想要的信号的流入引起的信息失真。用于改善幅度不平衡的片上变压器平衡不平衡变压器（400）包括初级绕组（401）和次级绕组（402）。初级绕组是片上变压器平衡 - 不平衡转换器的输入级。次级绕组是片上变压器平衡 - 不平衡变换器的输出级。初级绕组和次级绕组中的一个由位于除了地下通道之外的不同层上的螺旋迹线部分形成的多个金属层构成，并且具有不对称结构。

8. 发明授权

KR100709353B1 회로소자의 공정 및 온도변화에 따른 산포를 자동으로보정할 수 있는 집적회로 및 방법 失效
标题翻译：一种集成电路和方法，能够自动校正由于电路元件的过程和温度变化而引起的散射
公开(公告)号：KR100709353B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050099899
申请日：2005-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정성재 , 전상윤
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 본 발명은 회로소자의 공정 산포 및 온도 산포를 집적회로 내에서 자동으로 보정할 수 있는 회로 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복수개의 회로소자로 구성된 집적회로는, 상기 복수개의 회로소자 중에서 산포 보정대상 회로소자와 동일한 소자값 및 산포를 가지는 복수개의 테스트 회로소자와, 상기 보정대상 회로소자보다 산포가 작은 적어도 하나의 기준 회로소자로 이루어진 테스트 회로부와, 상기 테스트 회로부에서 검출되는 소정의 제1 신호 및 제2 신호의 크기 차를 구하는 비교부 및, 상기 비교부에서 구해진 상기 제1 신호와 제2 신호의 크기 차에 따라 상기 검출대상 회로소자의 산포를 보정하는 보상부를 포함한다. 이에 의해, 회로소자의 공정 산포 및 온도 산포를 소자 자체에 대해서 검출하여 보다 정확한 산포 보정을 할 수 있으며, 산포 보정이 집적회로 내에서 수행되기 때문에 산포 보정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
산포, 보정, 집적회로, 온도, 공정
摘要翻译：本发明涉及能够自动校正集成电路内的电路元件的工艺变化和温度差异的电路和方法。根据本发明的包括多个电路元件的集成电路的特征在于包括：多个测试电路元件，其具有与要在多个电路元件中进行色散校正的电路元件相同的元件值和色散，比较器，用于获得由测试电路部分检测的预定第一和第二信号之间的幅度差;以及比较器，用于比较第一信号和第二信号的幅度，以及补偿部分，用于根据该差异校正检测对象电路元件的色散。这使得可以减少校正电路元件的工艺变化和温度变化分布可通过检测该设备本身是更精确的色散补偿所需要的时间，由于色散补偿是在集成电路内进行。

9. 发明公开

KR1020060097843A 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법, 보정장치 및 입력전압 보정에 사용되는 디지털 인터페이스 失效
标题翻译：用于校准用于校准输入电压的电压控制振荡器和数字接口的输入电压的方法和系统
公开(公告)号：KR1020060097843A
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020050018584
申请日：2005-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김대기 , 이흥배 , 전상윤 , 김종욱 , 정성재 , 방희문
IPC分类号： H03L7/187 , H03L7/08
CPC分类号： H03L7/10 , Y10S331/02
摘要： 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 전압제어 발진기의 입력전압 보정방법은, 신호위상이 동기화되는 락 탐색 시간을 설정하는 단계, 락 탐색 전압구간을 설정하는 단계, 일정 간격에 따른 출력 주파수값들을 설정하는 단계, 상기 각 출력 주파수값에서의 락을 위해 필요한 전압제어발진기내의 커패시터 뱅크상의 커패시터 연결상태를 확인하는 단계, 상기 각 출력 주파수값에서의 상기 커패시터의 각 연결상태정보를 저장하는 단계 및 채널변경에 따라 상기 출력주파수값 중 하나의 출력주파수값이 결정되면, 채널변경에 따른 출력주파수값에 대응되는 연결상태정보에 따라 상기 커패시터 연결상태를 설정하는 단계를 포함한다. 바람직하게는 상기 커패시터 뱅크는, 커패시턴스가 서로 다른 일정 개수의 커패시터의 병렬 연결구조를 포함하며, 상기 커패시터에는 각각 스위치가 직렬연결된다. 본 발명에 따르면, 전압제어 발진기의 입력전압 보정에 있어서의 지연시간을 단축시키는 효과가 있다.
락 검출, 디지털 인터페이스, 전압제어 발진기, 입력전압 보정, 커패시터 뱅크, 저장부

10. 发明公开

KR1020050029812A 고주파 전압제어발진기 失效
标题翻译：无线电频率控制振荡器
公开(公告)号：KR1020050029812A
公开(公告)日：2005-03-29
申请号：KR1020030066024
申请日：2003-09-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상윤 , 이흥배 , 서춘덕
IPC分类号： H03B5/24
CPC分类号： H03K3/354 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1253
摘要： A radio frequency voltage controlled oscillator is provided to drastically improve the phase noise by the 1/f noise generated the current source of the RF CMOS VCO structure. A radio frequency voltage controlled oscillator includes a differential oscillator and a current source. The differential oscillator is provided with a pair of FET transistors flowing the current to the lateral direction of the silicon substrate. The current source is provided with a bipolar transistor flowing the current to a vertical direction of the silicon substrate. The FET in the radio frequency voltage controlled oscillator is a p type.
摘要翻译：提供射频压控振荡器，通过产生RF CMOS VCO结构的电流源的1 / f噪声来大大改善相位噪声。射频压控振荡器包括差分振荡器和电流源。差分振荡器设置有一对FET晶体管，其将电流流向硅衬底的横向方向。电流源设置有将电流流向硅衬底的垂直方向的双极晶体管。射频压控振荡器中的FET是p型。

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