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1. 发明公开

KR1020090077544A 위상 동기 루프 및 그것의 위상 동기 방법 无效
标题翻译：相位锁定环和相位锁定方法
公开(公告)号：KR1020090077544A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003553
申请日：2008-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박은철 , 서춘덕 , 고정욱
IPC分类号： H03L7/08
CPC分类号： H03L7/102 , H03B5/124 , H03L7/087 , H03L7/093 , H03L7/099
摘要： A phase locked loop and a phase locking method thereof are provided to reduce a time for reaching a target frequency by selecting a frequency range generating an output signal with the target frequency through one phase locked operation. A voltage controlled oscillator(140) generates an output signal with the output frequency within a predetermined frequency range in response to the output voltage of a loop filter(130). The voltage controlled oscillator includes a bank with a plurality of capacitors. An automatic frequency controller(170) operates in response to the output voltage of the loop filter. The automatic frequency controller controls the frequency range by controlling the capacitance of the voltage controlled oscillator for generating the output frequency while the phase locked loop performs the phase locked operation. An output frequency is synchronized with the target frequency according to the controlled frequency range.
摘要翻译：提供锁相环及其相位锁定方法，通过选择通过一个锁相操作产生具有目标频率的输出信号的频率范围来减少达到目标频率的时间。压控振荡器（140）响应于环路滤波器（130）的输出电压，将输出频率产生在预定频率范围内的输出信号。压控振荡器包括具有多个电容器的组。自动频率控制器（170）响应于环路滤波器的输出电压而工作。自动频率控制器通过控制用于在锁相环执行锁相操作时产生输出频率的压控振荡器的电容来控制频率范围。根据受控频率范围，输出频率与目标频率同步。

2. 发明授权

KR100807332B1 멀티 톤 제너레이터 및 이를 이용한 멀티 톤 생성 방법 失效
标题翻译：多发音发生器和使用该方法的多音发生方法
公开(公告)号：KR100807332B1
公开(公告)日：2008-03-03
申请号：KR1020060127173
申请日：2006-12-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박은철 , 서춘덕
IPC分类号： H04L27/26 , H04B14/00
CPC分类号： H04L27/2601 , H03L7/093 , H03L7/0992
摘要： A multi-tone generator and a method for generating a multi-tone using the same are provided to reduce a chip size and a manufacturing cost by generating at least two MB-OFDM(Multi-Band Orthogonal Frequency Division Multiplexing) band groups simply. A multi-tone generator includes a first frequency generation unit(210), a second frequency generation unit(220), a third frequency generation unit(230), a channel switch unit(240), a multi-phase filter(250), a frequency divider(260), and an output buffer(270). The first frequency generation unit generates a first differential signal corresponding to a first band frequency of each of at least two band groups. The second frequency generation unit generates a second differential signal corresponding to a second band frequency of each of the frequency band groups. The third frequency generation unit generates a third differential signal corresponding to a third band frequency of each of the frequency band groups. The channel switch unit selects one of the first, second and third differential signals. The multi-phase filter generates a four-phase signal by multi-phase-filtering an output signal of the channel switch unit. The frequency divider divides a frequency of the output signal of the channel switch unit, and generates the frequency-divided four-phase signal. The output buffer unit buffers and outputs at least one of the four-phase signal and the frequency-divided phase signal.
摘要翻译：通过简单地生成至少两个MB-OFDM（多频带正交频分复用）频带组，提供了一种多音调发生器和使用其的多音调生成方法，以减少芯片尺寸和制造成本。多音调发生器包括第一频率产生单元（210），第二频率产生单元（220），第三频率产生单元（230），频道切换单元（240），多相滤波器（250）分频器（260）和输出缓冲器（270）。第一频率产生单元产生对应于至少两个频带组中的每一个的第一频带频率的第一差分信号。第二频率发生单元产生与每个频带组的第二频带频率对应的第二差分信号。第三频率产生单元产生与每个频带组的第三频带频率对应的第三差分信号。信道切换单元选择第一，第二和第三差分信号中的一个。多相滤波器通过对通道开关单元的输出信号进行多相滤波来生成四相信号。分频器分频通道开关单元的输出信号的频率，并产生分频四相信号。输出缓冲器单元缓冲并输出四相信号和分频相位信号中的至少一个。

3. 发明公开

KR1020060092708A 가변 이득 차동 증폭기, 이에 사용되는 가변 축퇴 임피던스조절장치, 및 가변 축퇴 임피던스 조절 방법 失效
标题翻译：可变增益差分放大器，其变化的变差阻抗控制装置，以及可变衰减阻抗控制方法
公开(公告)号：KR1020060092708A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013788
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김훈태 , 이정은 , 서춘덕
IPC分类号： H03F3/45 , H03F1/32 , H03G3/30
CPC分类号： H03G1/0029
摘要： 증폭 이득을 조절할 수 있고 선형성을 보장할 수 있는 가변 차동 증폭기, 이 가변 차동 증폭기에 사용되는 가변 축퇴 임피던스 조절장치, 및 가변 축퇴 임피던스 조절방법이 제안된다. 이를 위해 본 발명은 제어 신호에 기초하여 가변 이득 차동 증폭기에 의해 증폭될 차동 신호의 DC 레벨을 조절하고, 이 DC 레벨이 조절된 차동 신호에 기초하여 가변 축퇴 임피던스부의 임피던스를 조절한다. 즉, 가변 축퇴 임피던스부의 임피던스를, DC 레벨이 조절된 차동 입력 신호를 이용하여 변화시킴으로써, 차동 증폭기의 이득을 조절하고 선형성을 확보한다.
가변, 이득, 차동, 증폭기, 축퇴, 임피던스

4. 发明公开

KR1020060092002A 주파수 합성 장치 失效
标题翻译：频率合成器
公开(公告)号：KR1020060092002A
公开(公告)日：2006-08-22
申请号：KR1020050013276
申请日：2005-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김훈태 , 서춘덕 , 차충열
IPC分类号： H04B1/40 , H03L7/16
CPC分类号： H03B21/04 , H03L7/18
摘要： 적어도 2 개의 기준주파수를 이용하여 데이터를 송수신하는 무선 통신 시스템을 위해 기준주파수를 합성하는 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 주파수 합성 장치는 국부발진기, 국부발진기로부터 생성된 주파수를 분주하여 적어도 하나의 조정주파수를 생성하는 분주기, 및 국부발진기로부터 생성된 주파수 및 조정주파수를 이용하여 기준주파수를 합성하는 SSB믹서를 포함한다. 따라서, 하드웨어 구조가 간단하며 전력 소요가 증가하지 않고 용이하게 기준주파수 신호를 합성할 수 있다.
광대역, 주파수 합성 장치, SSB 발생장치, 국부발진기

5. 发明授权

KR100450824B1 고주파용 가변 캐패시터 구조 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 고주파용가변캐패시터구조및그제조방법
公开(公告)号：KR100450824B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020068574
申请日：2002-11-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상윤 , 서춘덕
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L27/0808
摘要： A structure of a radio frequency (RF) variable capacitor to increase a quality factor while using a CMOS process and a method of manufacturing the same. The structure of the RF variable capacitor having a variable range of capacitance between a first minimum value and a first maximum value includes a first capacitor, which has a variable range of capacitance between a second minimum value greater than the first minimum value and a second maximum value greater than the first maximum value, and a second capacitor, which is connected in series to the first capacitor and has capacitance of a fixed value.
摘要翻译：在使用CMOS工艺的同时提高品质因数的射频（RF）可变电容器的结构及其制造方法。具有在第一最小值和第一最大值之间的可变电容范围的RF可变电容器的结构包括第一电容器，其具有在大于第一最小值的第二最小值和第二最大值之间的电容的可变范围值大于第一最大值;以及第二电容器，其与第一电容器串联连接并具有固定值的电容。＆lt;图像＆GT;

6. 实用新型

KR2019980022886U 속도 변조 회로 失效
标题翻译：速度调制电路
公开(公告)号：KR2019980022886U
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR2019960036250
申请日：1996-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정원 , 이동진 , 서춘덕
IPC分类号： H04N5/20
摘要： 본고안은속도변조회로에관한것으로, AC 신호파형인휘도신호를제 1 지연부에서지연입력받는증폭및 미분부에서트랜지스터와저항과콘덴서및 코일들에의해휘도신호를충분히증폭시키면서미분파형으로출력하도록하고, 상기미분파형의휘도신호는레벨제한부에서얼마간증폭되고일정레벨이상의휘도신호가제거되어윤곽보정효과를갖도록하고, 상기의제한된미분신호는소신호제거부에서일정크기이하의노이즈성소신호가제거되어증폭부를거쳐푸쉬풀구동부로공급되어 2 차미분에의해커진상태인전류치로출력되어제 2 지연부를경유하는중에고주파노이즈가제거되어 CRT의속도변조코일로휘도신호를강조한상태가되도록함으로써증폭부의구성에따른회로의복잡함을없애고간단한회로에서안정된동작이가능하도록한 것이다.
摘要翻译：纸提案涉及速度调制电路，同时充分放大由亮度信号在放大和差分单元中的第一晶体管和一个电阻器和一个电容器和线圈的交流信号波形的亮度信号，用于接收在所述第一延迟单元中的延迟，以便输出一个微分波形和差分波形的亮度信号在一定程度上由电平限制部放大大于一定水平时，亮度信号被去除轮廓具有校正效果，在去除小信号具有预定尺寸或更小的噪声避难所信号的有限差分信号经由放大部被供给到被去除推挽驱动第二输出到由差动电流值的增大的条件是高频通过而除去噪声的第二延迟通过使突出用于亮度信号作为调制线圈也CRT uisok扩增根据所述构成部件中的一个消除了电路的复杂性在于能够以简单的电路稳定工作。

7. 发明公开

KR1020100058906A 알에프아이디 장치의 동작 방법 및 알에프아이디 장치를 포함하는 알에프아이디 시스템 无效
标题翻译：用于操作RFID设备的方法和包括RFID设备的RFID系统
公开(公告)号：KR1020100058906A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080117491
申请日：2008-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송일종 , 구시경 , 구지훈 , 남광우 , 민영훈 , 서춘덕
IPC分类号： G06K17/00 , H04B5/00
CPC分类号： G06K7/0008 , G06K7/10198
摘要： PURPOSE: An RFID system including an operation method of an RFID device and the RFID device is provided to improve data storage efficiency of the RFID device and system by partitioning data to save according to storage capacity of an RFID tag and saving partitioned data in the RFID tag. CONSTITUTION: An RFID(Radio Frequency ID) device(100) accesses RFID tags(200,300). The RFID device compares the size of data to save in an RFID tag and storage capacity of the RFID tag. If the size of data to save is bigger than the storage capacity of the RFID tag, the RFID device partitions the data to save. If the size of data to save is smaller than the storage capacity of the RFID tag, the RFID device writes the data to save in one tag. The RFID device writes data division information in each RFID tag.
摘要翻译：目的：提供一种包括RFID设备和RFID设备的操作方法的RFID系统，以通过分配数据来提高RFID设备和系统的数据存储效率，以便根据RFID标签的存储容量进行节省，并在RFID中保存分区数据标签。规定：RFID（射频识别）设备（100）访问RFID标签（200,300）。 RFID设备比较数据的大小以节省RFID标签和RFID标签的存储容量。如果要保存的数据大小大于RFID标签的存储容量，则RFID设备会分割数据以进行保存。如果要保存的数据的大小小于RFID标签的存储容量，则RFID设备将数据写入以保存在一个标签中。 RFID设备在每个RFID标签中写入数据分割信息。

8. 发明授权

KR100834119B1 ＭＯＳＦＥＴ회로 구조 및 상기 ＭＯＳＦＥＴ 회로 구조를채용한 ＣＭＯＳ 증폭기 失效
标题翻译：具有MOSFET电路架构的MOSFET电路架构和CMOS放大器
公开(公告)号：KR100834119B1
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020060106815
申请日：2006-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고정욱 , 서춘덕 , 김훈태
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 본 발명은 CMOS 증폭기에서 저주파 플리커 노이즈(low frequency flicker noise)를 감소시키는 MOSFET 회로 구조 및 상기 MOSFET 회로 구조를 채용한 CMOS 증폭기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 MOSFET 소자를 구현하는 회로 구조는, 제1 클럭 신호를 입력 받는 제1 신호 입력부; 상기 제1 클럭 신호와 반대의 위상을 갖는 제2 클럭 신호를 입력 받는 제2 신호 입력부; 제어 전압(Vp)을 입력 받는 제어 전압 입력부; 상기 제1 신호 입력부와 연결된 제1 MOSFET 및 상기 제2 신호 입력부와 연결된 제2 MOSFET; 상기 제1 클럭 신호가 소정의 문턱(threshold) 전압 이상인 경우 상기 제어 전압(Vp)이 상기 제1 MOSFET으로 인가되도록 스위칭하는 제1 스위칭부; 및 상기 제2 클럭 신호가 상기 문턱 전압 이상인 경우 상기 제어 전압(Vp)이 상기 제2 MOSFET으로 인가되도록 스위칭하는 제2 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, 저주파 플리커 노이즈, 증폭기, MOSFET

9. 发明公开

KR1020070104063A 자기 교정 전압 제어 발진기를 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于自校准电压控制振荡器的系统和方法
公开(公告)号：KR1020070104063A
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060036188
申请日：2006-04-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채현수 , 이정은 , 서춘덕 , 김훈태
IPC分类号： H03L7/099
CPC分类号： H03L7/087 , H03L7/099 , H03L7/193 , H03L2207/06
摘要： A method and a system for a self-calibrating voltage controlled oscillator are provided automatically to output a signal vibrated at desired frequency by controlling band selection, gain tuning and phase locked loop of a VCO. A system for a self-calibrating voltage controlled oscillator includes a VCO(250) and a mode controller(240). The VCO(Voltage Controlled Oscillator) generates an oscillation signal according to control signals for respective modes. The mode controller generates the control signals for the modes according to a frequency comparison result between first and second clock signals. The second clock signal is generated by dividing a frequency of the oscillation signal. The modes include an automatic band selecting mode, an automatic gain tuning mode, and a phase locking mode.
摘要翻译：通过控制VCO的频带选择，增益调谐和锁相环，自动地提供用于自校准压控振荡器的方法和系统，以输出以期望频率振动的信号。用于自校准压控振荡器的系统包括VCO（250）和模式控制器（240）。 VCO（压控振荡器）根据各模式的控制信号产生振荡信号。模式控制器根据第一和第二时钟信号之间的频率比较结果产生用于模式的控制信号。通过对振荡信号的频率进行分频而产生第二时钟信号。这些模式包括自动频带选择模式，自动增益调谐模式和相位锁定模式。

10. 发明授权

KR100622350B1 저전압 디지털 CMOS 공정에서 다른 문턱 전압을 가지는 ＭＯＳＦＥＴ들을 이용한 적층형 ＣＭＯＳ 커런트 미러 失效
标题翻译：堆叠CMOS电流镜采用不同阈值电压MOSFET的低压数字技术
公开(公告)号：KR100622350B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020050013260
申请日：2005-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서춘덕 , 고정욱
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/262
摘要： 저전압 디지털 CMOS 공정에서 다른 문턱 전압을 가지는 MOSFET들을 이용한 적층형 CMOS 커런트 미러가 개시된다. 본 적층형 CMOS 커런트 미러는 소스 및 게이트가 제1 입력 전류단에 접속된 제1 MOS 트랜지스터, 소스가 제1 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 게이트는 제1 MOS 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 드레인은 접지전원에 접속된 제2 MOS 트랜지스터, 드레인이 제2 입력 전류단에 접속되고, 게이트가 제1 MOS 트랜지스터의 소스 및 게이트에 접속된 제3 MOS 트랜지스터, 및 드레인이 제3 MOS 트랜지스터의 소스에 접속되고, 게이트는 제1 MOS 트랜지스터의 소스 및 게이트에 접속되며, 소스는 접지전원에 접속된 제4 MOS 트랜지스터를 구비한다. 이에 의해, 최소 포화 동작 전압의 최소화 및 출력 전압 스윙 범위의 확보의 두 가지 요건을 모두 만족하여, 커런트 미러의 저전압 구동이 가능해질 뿐만 아니라 선형성이 증가하게 된다.
문턱 전압, MOSFET, 적층형 CMOS 커런트 미러, 저전압, 디지털 CMOS 공정

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